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    重庆时时彩投注站加盟: 运算放大器及使用该运算放大器进行放大的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201510051993.X

    申请日:

    2015.01.30

    公开号:

    CN105991099A

    公开日:

    2016.10.05

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):H03F 3/45变更事项:申请人变更前:博通集成电路(上海)有限公司变更后:博通集成电路(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张东路1387号41幢变更后:201203 上海市浦东新区张东路1387号41幢|||实质审查的生效IPC(主分类):H03F 3/45申请日:20150130|||公开
    IPC分类号: H03F3/45 主分类号: H03F3/45
    申请人: 博通集成电路(上海)有限公司
    发明人: 不公告发明人
    地址: 201203 上海市浦东新区张东路1387号41幢
    优先权:
    专利代理机构: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 成春荣;竺云
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510051993.X

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2018.08.14|||2018.02.06|||2016.11.09|||2016.10.05

    法律状态类型:

    授权|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及电路,公开了一种运算放大器及使用该运算放大器进行放大的方法。上述运算放大器包括输入对、辅助单元、偶数个数的放大级、反馈单元、第一电流源、第二电流源。输入对和辅助单元都连接到第一电流源。输入对接收差分输入电压。输入对和辅助单元都进一步连接到偶数个数的放大级的第一级。偶数个数的放大级串联连接,并且各放大级的最后一级输出差分输出电压。反馈单元配置为接收差分输出电压的共模电压并将反馈单元的第一节点上的电压反馈给辅助单元,以提供偏置电压给辅助单元。辅助单元避免输入对的死锁。

    权利要求书

    1.一种运算放大器,其特征在于,包括:
    输入对、辅助单元、偶数个数的放大级、反馈单元、第一电流源、第二
    电流源;其中
    所述输入对和所述辅助单元都连接到所述第一电流源,所述输入对还配
    置为接收差分输入电压,所述输入对和所述辅助单元都进一步连接到所述偶
    数个数的放大级的第一级;
    所述偶数个数的放大级串联连接,各放大级的最后一级被配置为输出差
    分输出电压;
    所述第二电流源连接于所述偶数个数的放大级与所述反馈单元之间;
    所述反馈单元配置为接收来自所述最后一级的差分输出电压的共模电
    压,并被配置为将所述反馈单元的第一节点上的电压反馈给所述辅助单元,
    以提供偏置电压给所述辅助单元,其中所述辅助单元配置为避免所述输入对
    的死锁。
    2.如权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述差分输出电压的
    共模电压包括在所述差分输出电压之间的中值电压电位。
    3.如权利要求1所述的运算放大器,其特征在于,所述输入对包括第一
    MOS晶体管和第二MOS晶体管,所述辅助单元包括第三MOS晶体管和第
    四MOS晶体管,所述第二电流源包括第五MOS晶体管,所述反馈单元包括
    第七MOS晶体管和第八MOS晶体管,所述偶数个数的放大级包括第一放大
    级和第二放大级,所述运算放大器还包括第六MOS晶体管;
    其中,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的第一节点连接所
    述第一电流源,所述第一电流源连接于所述第一MOS晶体管的第一节点与
    第一电源之间,所述第一MOS晶体管的第二节点配置为接收正输入电压,
    所述第二MOS晶体管的第二节点配置为接收负输入电压,所述第一MOS
    晶体管的第三节点连接所述第三MOS晶体管的第三节点,所述第二MOS
    晶体管的第三节点连接所述第四MOS晶体管的第三节点;
    所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的第一节点连接所述第一
    电流源,所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的第二节点连接所述
    第七MOS晶体管的第三节点,所述第三MOS晶体管的第三节点还连接所述
    第一放大级的第一端口,所述第四MOS晶体管的第三节点还连接所述第一
    放大级的第二端口;
    所述第五MOS晶体管的第一节点连接第一电源,所述第五MOS晶体管
    的第二节点连接所述第一放大级的第三端口,所述第五MOS晶体管的第三
    节点连接所述第七MOS晶体管的第三节点;
    所述第七MOS晶体管的第一节点连接所述第八MOS晶体管的第一节点
    和所述第六MOS晶体管的第三节点,所述第七MOS晶体管的第二节点连接
    第一电阻和第二电阻的连接点,所述第八MOS晶体管的第二节点连接所述
    第五电压源的正端,所述第八MOS晶体管的第三节点连接所述第一和第二
    MOS晶体管的第一节点;
    所述第六MOS晶体管的第二节点连接所述第二放大级的第五端口,所述
    第六MOS晶体管的第一节点接地并连接所述第五电压源的负端。
    4.如权利要求3所述的运算放大器,其特征在于,
    所述第一放大级的第三端口连接第三电压源,所述第一放大级的第四和
    第七端口连接第四电压源,所述第一放大级的第五端口连接所述第二放大级
    的第一端口,所述第一放大级的第六端口连接所述第二放大级的第二端口,
    所述第一放大级的第八端口连接第一电压源,所述第二放大级的第三端口配
    置为输出正输出电压,所述第二放大级的第四端口配置为输出负输出电压,
    其中,第一电阻和第二电阻串联连接在正输出电压端口和负输出电压端口之
    间。
    5.如权利要求4所述的运算放大器,其特征在于,
    所述第一放大级包括第九MOS晶体管、第十MOS晶体管、第十一MOS
    晶体管、第十二MOS晶体管、第十三MOS晶体管、第十四MOS晶体管,
    其中,所述第一放大级的第一端口包括所述第十一MOS晶体管的第一
    节点,所述第一放大级的第二端口包括所述第十二MOS晶体管的第一节点,
    所述第一放大级的第三端口包括所述第十MOS晶体管的第二节点,所述第
    一放大级的第四端口包括所述第十三MOS晶体管的第二节点,所述第一放
    大级的第五端口包括所述第十二MOS晶体管的第三节点,所述第一放大级
    的第六端口包括所述第十一MOS晶体管的第三节点,所述第一放大级的第
    七端口包括所述第十四MOS晶体管的第二节点,所述第一放大级的第八端
    口包括所述第十一MOS晶体管的第二节点;
    其中,所述第九MOS晶体管和所述第十MOS晶体管的第一节点都连接
    到所述第一电源,所述第九MOS晶体管和所述第十MOS晶体管的第二节点
    都连接到所述第五MOS晶体管的第二节点,所述第九MOS晶体管的第三节
    点连接所述第十一MOS晶体管的第三节点,所述第十MOS晶体管的第三节
    点连接所述第十二MOS晶体管的第三节点;
    所述第十一MOS晶体管的第一节点连接所述第十三MOS晶体管的第三
    节点,所述第十二MOS晶体管的第一节点连接所述第十四MOS晶体管的第
    三节点,所述第十一MOS晶体管和所述第十二MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第一电压源;以及
    所述第十三MOS晶体管和所述第十四MOS晶体管的第一节点连接到第
    二电源,所述第十三MOS晶体管和所述第十四MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第四电压源。
    6.如权利要求5所述的运算放大器,其特征在于,
    所述第一放大级还包括第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中,
    所述第九MOS晶体管通过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体
    管相连,所述第十MOS晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二
    MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接第二
    电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体管的
    第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接所述第十二MOS晶体管
    的第三节点。
    7.如权利要求5所述的运算放大器,其特征在于,
    所述第二放大级包括第十七MOS晶体管、第十八MOS晶体管、第十九
    MOS晶体管、第二十MOS晶体管,
    其中,所述第二放大级的第一端口包括所述第十七MOS晶体管的第二节
    点,所述第二放大级的第二端口包括所述第十八MOS晶体管的第二节点,
    所述第二放大级的第三端口包括所述第十七MOS晶体管的第三节点,所述
    第二放大级的第四端口包括所述第十八MOS晶体管的第三节点,所述第二
    放大级的第五端口包括所述第二十MOS晶体管的第二节点,所述第二放大
    级的第六端口包括所述第十九MOS晶体管的第二节点;
    其中,所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管的第一节点连
    接到所述第一电源,所述第十七MOS晶体管的第二节点连接所述第十二
    MOS晶体管的第三节点,所述第十八MOS晶体管的第二节点连接所述第十
    一MOS晶体管的第三节点,所述第十七MOS晶体管的第三节点连接所述第
    十九MOS晶体管的第三节点,所述第十八MOS晶体管的第三节点连接所述
    第二十MOS晶体管的第三节点;
    所述第十九MOS晶体管和所述第二十MOS晶体管的第一节点连接到第
    二电源,所述第十九MOS晶体管和所述第二十MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第四电压源。
    8.如权利要求7所述的运算放大器,其特征在于,所述第一、第二、第
    三、第四MOS晶体管、所述第五MOS晶体管、所述第九MOS晶体管、所
    述第十MOS晶体管、所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管包
    括PMOS晶体管,所述第六MOS晶体管、所述第七MOS晶体管、所述第八
    MOS晶体管、所述第十一MOS晶体管、所述第十二MOS晶体管、所述第
    十三MOS晶体管、所述第十四MOS晶体管、所述第十九MOS晶体管和所
    述第二十MOS晶体管包括NMOS晶体管,所述第一电源包括正电源,所述
    第二电源包括接地;以及
    所述MOS晶体管中的每一个的第一节点包括源极,所述MOS晶体管中
    的每一个的第二节点包括栅极,所述MOS晶体管中的每一个的第三节点包
    括漏极。
    9.如权利要求8所述的运算放大器,其特征在于,所述第一放大级还包
    括第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中所述第九MOS晶体管通
    过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体管相连,所述第十MOS
    晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接第二
    电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体管的
    第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接所述第十二MOS晶体管
    的第三节点;以及
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管包括PMOS晶体管,
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第一节点包括
    源极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第二节
    点包括栅极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的
    第三节点包括漏极。
    10.如权利要求7所述的运算放大器,其特征在于,所述第一、第二、第
    三、第四MOS晶体管、所述第五MOS晶体管、所述第九MOS晶体管、所
    述第十MOS晶体管、所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管包
    括NMOS晶体管,所述第六MOS晶体管、所述第七MOS晶体管、所述第八
    MOS晶体管、所述第十一MOS晶体管、所述第十二MOS晶体管、所述第
    十三MOS晶体管、所述第十四MOS晶体管、所述第十九MOS晶体管和所
    述第二十MOS晶体管包括PMOS晶体管,所述第一电源包括地源,所述第
    二电源包括正电源;以及
    所述MOS晶体管中的每一个的第一节点包括源极,所述MOS晶体管中
    的每一个的第二节点包括栅极,所述MOS晶体管中的每一个的第三节点包
    括漏极。
    11.如权利要求10所述的运算放大器,其特征在于,所述第一放大级还
    包括第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中,所述第九MOS晶体
    管通过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体管相连,所述第十
    MOS晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接第二
    电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体管的
    第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接握权这第十二MOS晶体
    管的第三节点;以及
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管包括NMOS晶体管,
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第一节点包括
    源极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第二节
    点包括栅极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的
    第三节点包括漏极。
    12.一种运算放大器中的方法,其特征在于,所述运算放大器包括:
    输入对、辅助单元、偶数个数的放大级、反馈单元、第一电流源、第二电
    流源;其中
    所述输入对和所述辅助单元的第一节点都连接到所述第一电流源,所述输
    入对和所述辅助单元的第三节点都连接到所述偶数个数的放大级的第一级;
    所述偶数个数的放大级串联连接;
    所述第二电流源连接于所述偶数个数的放大级与所述反馈单元之间;
    所述反馈单元配置为接收来自各放大级的最后一级的差分输出电压的共
    模电压;
    所述方法包括以下步骤:
    通过所述输入对来接收差分输入电压;
    通过所述偶数个数的放大级来放大所述差分输入电压;
    通过各放大级的最后一级来输出差分输出电压;
    通过所述反馈单元将所述反馈单元的第一节点上的电压反馈到所述辅助
    单元,以提供偏置电压给所述辅助单元,其中所述辅助单元配置为避免所述
    输入对的死锁。
    13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述差分输出电压的共模
    电压具有在所述差分输出电压之间的中值。
    14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述输入对包括第一MOS
    晶体管和第二MOS晶体管,所述辅助单元包括第三MOS晶体管和第四MOS
    晶体管,所述第二电流源包括第五MOS晶体管,所述反馈单元包括第七MOS
    晶体管和第八MOS晶体管,所述偶数个数的放大级包括第一放大级和第二
    放大级,所述运算放大器还包括第六MOS晶体管;
    其中,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的第一节点连接所
    述第一电流源,所述第一电流源连接于所述第一MOS晶体管的第一节点与
    第一电源之间,所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的第二节点分
    别配置为接收正输入电压和负输入电压,所述第一MOS晶体管的第三节点
    连接所述第三MOS晶体管的第三节点,所述第二MOS晶体管的第三节点连
    接所述第四MOS晶体管的第三节点;
    所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的第一节点连接所述第一
    电流源,所述第三MOS晶体管和所述第四MOS晶体管的第二节点连接所述
    第七MOS晶体管的第三节点,所述第三MOS晶体管的第三节点还连接所述
    第一放大级的第一端口,所述第四MOS晶体管的第三节点还连接所述第一
    放大级的第二端口;
    所述第五MOS晶体管的第一节点连接第一电源,所述第五MOS晶体管
    的第二节点连接所述第一放大级的第三端口,所述第五MOS晶体管的第三
    节点连接所述第七MOS晶体管的第三节点;
    所述第七MOS晶体管的第一节点连接所述第八MOS晶体管的第一节点
    和所述第六MOS晶体管的第三节点,所述第七MOS晶体管的第二节点连接
    第一电阻和第二电阻的连接点,所述第八MOS晶体管的第二节点连接第五
    电压源的正端,所述第八MOS晶体管的第三节点连接所述第一和第二MOS
    晶体管的第一节点;
    所述第六MOS晶体管的第二节点连接所述第二放大级的第五端口,所述
    第六MOS晶体管的第一节点接地并连接所述第五电压源的负端。
    15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,
    所述第一放大级的第三端口连接第三电压源,所述第一放大级的第四和
    第七端口连接第四电压源,所述第一放大级的第五端口连接所述第二放大级
    的第一端口,所述第一放大级的第六端口连接所述第二放大级的第二端口,
    所述第一放大级的第八端口连接第一电压源,所述第二放大级的第三端口配
    置为输出正输出电压,所述第二放大级的第四端口配置为输出负输出电压,
    其中,第一电阻和第二电阻串联连接在正输出电压端口和负输出电压端口之
    间。
    16.如权利要求15所述的方法,其特征在于
    所述第一放大级包括第九MOS晶体管、第十MOS晶体管、第十一MOS
    晶体管、第十二MOS晶体管、第十三MOS晶体管、第十四MOS晶体管,
    其中,所述第一放大级的第一端口包括所述第十一MOS晶体管的第一
    节点,所述第一放大级的第二端口包括所述第十二MOS晶体管的第一节点,
    所述第一放大级的第三端口包括所述第十MOS晶体管的第二节点,所述第
    一放大级的第四端口包括所述第十三MOS晶体管的第二节点,所述第一放
    大级的第五端口包括所述第十二MOS晶体管的第三节点,所述第一放大级
    的第六端口包括所述第十一MOS晶体管的第三节点,所述第一放大级的第
    七端口包括所述第十四MOS晶体管的第二节点,所述第一放大级的第八端
    口包括所述第十一MOS晶体管的第二节点;
    其中,所述第九MOS晶体管和所述第十MOS晶体管的第一节点连接到
    所述第一电源,所述第九MOS晶体管和所述第十MOS晶体管的第二节点都
    连接到所述第五MOS晶体管的第二节点,所述第九MOS晶体管的第三节点
    连接所述第十一MOS晶体管的第三节点,所述第十MOS晶体管的第三节点
    连接所述第十二MOS晶体管的第三节点;
    所述第十一MOS晶体管的第一节点连接所述第十三MOS晶体管的第三
    节点,所述第十二MOS晶体管的第一节点连接所述第十四MOS晶体管的第
    三节点,所述第十一MOS晶体管和所述第十二MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第一电压源;以及
    所述第十三MOS晶体管和所述第十四MOS晶体管的第一节点连接到第
    二电源,所述第十三MOS晶体管和所述第十四MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第四电压源。
    17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,
    所述第一放大级还包括第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中,
    所述第九MOS晶体管通过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体
    管相连,所述第十MOS晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二
    MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接第二
    电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体管的
    第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接所述第十二MOS晶体管
    的第三节点。
    18.如权利要求16所述的方法,其特征在于
    所述第二放大级包括第十七MOS晶体管、第十八MOS晶体管、第十九
    MOS晶体管、第二十MOS晶体管,
    其中,所述第二放大级的第一端口包括所述第十七MOS晶体管的第二节
    点,所述第二放大级的第二端口包括所述第十八MOS晶体管的第二节点,
    所述第二放大级的第三端口包括所述第十七MOS晶体管的第三节点,所述
    第二放大级的第四端口包括所述第十八MOS晶体管的第三节点,所述第二
    放大级的第五端口包括所述第二十MOS晶体管的第二节点,所述第二放大
    级的第六端口包括所述第十九MOS晶体管的第二节点;
    其中,所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管的第一节点连
    接到所述第一电源,所述第十七MOS晶体管的第二节点连接所述第十二
    MOS晶体管的第三节点,所述第十八MOS晶体管的第二节点连接所述第十
    一MOS晶体管的第三节点,所述第十七MOS晶体管的第三节点连接所述第
    十九MOS晶体管的第三节点,所述第十八MOS晶体管的第三节点连接所述
    第二十MOS晶体管的第三节点;
    所述第十九MOS晶体管和所述第二十MOS晶体管的第一节点连接到第
    二电源,所述第十九MOS晶体管和所述第二十MOS晶体管的第二节点连接
    到所述第四电压源。
    19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述第一、第二、第三、
    第四MOS晶体管、所述第五MOS晶体管、所述第九MOS晶体管、所述第
    十MOS晶体管、所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管包括
    PMOS晶体管,所述第六MOS晶体管、所述第七MOS晶体管、所述第八MOS
    晶体管、所述第十一MOS晶体管、所述第十二MOS晶体管、所述第十三
    MOS晶体管、所述第十四MOS晶体管、所述第十九MOS晶体管和所述第
    二十MOS晶体管包括NMOS晶体管,所述第一电源包括正电源,所述第二
    电源包括接地;以及
    所述MOS晶体管中的每一个的第一节点包括源极,所述MOS晶体管中
    的每一个的第二节点包括栅极,所述MOS晶体管中的每一个的第三节点包
    括漏极。
    20.如权利要求19所述的方法,其特征在于,所述第一放大级还包括
    第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中,所述第九MOS晶体管通
    过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体管相连,所述第十MOS
    晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接所述
    第二电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体
    管的第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接所述第十二MOS晶
    体管的第三节点;以及
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管包括PMOS晶体管,
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第一节点包括
    源极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第二节
    点包括栅极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的
    第三节点包括漏极。
    21.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述第一、第二、第三、
    第四MOS晶体管、所述第五MOS晶体管、所述第九MOS晶体管、所述第
    十MOS晶体管、所述第十七MOS晶体管和所述第十八MOS晶体管包括
    NMOS晶体管,所述第六MOS晶体管、所述第七MOS晶体管、所述第八MOS
    晶体管、所述第十一MOS晶体管、所述第十二MOS晶体管、所述第十三
    MOS晶体管、所述第十四MOS晶体管、所述第十九MOS晶体管和所述第
    二十MOS晶体管包括PMOS晶体管,所述第一电源包括地源,所述第二电
    源包括正电源;以及
    所述MOS晶体管中的每一个的第一节点包括源极,所述MOS晶体管中
    的每一个的第二节点包括栅极,所述MOS晶体管中的每一个的第三节点包
    括漏极。
    22.如权利要求21所述的操作方法,其特征在于,所述第一放大级还包
    括第十五MOS晶体管和第十六MOS晶体管,其中,所述第九MOS晶体管
    通过所述第十五MOS晶体管与所述第十一MOS晶体管相连,所述第十MOS
    晶体管通过所述第十六MOS晶体管与所述第十二MOS晶体管相连;
    所述第十五MOS晶体管的第一节点连接所述第九MOS晶体管的第三节
    点,所述第十六MOS晶体管的第一节点连接所述第十MOS晶体管的第三节
    点,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的第二节点连接第二
    电压源,所述第十五MOS晶体管的第三节点连接所述第十一MOS晶体管的
    第三节点,所述第十六MOS晶体管的第三节点连接所述第十二MOS晶体管
    的第三节点;以及
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管包括NMOS晶体管,
    所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第一节点包括
    源极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的第二节
    点包括栅极,所述第十五MOS晶体管和所述第十六MOS晶体管的每一个的
    第三节点包括漏极。

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    运算放大器 使用 进行 放大 方法
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