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    重庆时时彩5000w平台: 用于制造具有可饱和半导体吸收材料的镜体的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201580009536.2

    申请日:

    2015.01.19

    公开号:

    CN106030935A

    公开日:

    2016.10.12

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 3/11申请日:20150119|||公开
    IPC分类号: H01S3/11; G02F1/35; H01S3/113; H01S3/04; H01S5/40 主分类号: H01S3/11
    申请人: 国家科学研究中心
    发明人: J-L·乌达尔; S·布乔勒
    地址: 法国巴黎
    优先权: 2014.01.20 FR 1450430
    专利代理机构: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201580009536.2

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.02.08|||2016.10.12

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种用于制造具有可饱和半导体吸收材料的镜体的方法,其包括:将可饱和半导体吸收材料(205)沉积在生长衬底(200)上,从而形成结构;将至少一个金属层沉积在所述结构上,从而形成第一镜体(211);和由通过电绝缘掩模(312)进行的电沉积将导热衬底(212)沉积在所述金属层上,以允许选择性沉积所述导热衬底,从而预定义所述具有可饱和半导体吸收材料的镜体的边界。

    权利要求书

    1.一种用于制造具有半导体可饱和吸收体的镜体的方法,包括:
    -将半导体可饱和吸收材料(205)沉积在用于生长的衬底(200)上,从而形成结构;
    -将至少一个金属层沉积在所述结构上,从而形成第一镜体(211);
    -由通过电绝缘掩模(312)进行的电沉积将导热衬底(212)沉积在所述金属层上,以允
    许选择性地沉积所述导热衬底,从而预定义所述具有半导体可饱和吸收体的镜体的边界。
    2.根据权利要求1中所述的方法,包括:用于将晶体缺陷引入所述半导体可饱和吸收材
    料中的步骤,从而将所述半导体可饱和吸收材料中的载流子的寿命限制到100ps。
    3.根据权利要求2中所述的方法,其中,所述用于引入晶体缺陷的步骤包括用于在所述
    可饱和吸收材料中进行离子辐射的步骤。
    4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述第一镜体(211)用作所述电沉积
    的阴极(302)。
    5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述电绝缘掩模(312)具有包括绝缘
    区域(316)和开放区域(314)的结构形成图案,从而预定义所述具有半导体可饱和吸收体的
    镜体的所述边界。
    6.根据前述权利要求中任一项所述的制造方法,还包括:用于将第二镜体(207)沉积在
    所述可饱和吸收材料上的步骤。
    7.根据权利要求6中所述的方法,还包括:用于将第一相层(203)沉积在所述第一镜体
    与所述可饱和吸收材料之间的步骤,和用于将第二相层(206)沉积在所述第二镜体(207)与
    所述可饱和吸收材料(205)之间的步骤。
    8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,还包括:用于将通过所述掩模(312)预定义
    的所述具有半导体可饱和吸收体的镜体分离的步骤。
    9.一种具有半导体可饱和吸收体的镜体,包括:
    -半导体可饱和吸收材料(205);
    -包括金属层的第一镜体(211),设置于所述可饱和吸收材料上;
    -导热衬底(212),所述导热衬底通过电解沉积形成在所述第一镜体(211)上。
    10.根据权利要求9中所述的具有半导体可饱和吸收体的镜体,其中,所述半导体可饱
    和吸收材料(205)由形成量子阱和势垒(barrier)的半导体层的堆叠构成。
    11.根据权利要求9或10中所述的具有半导体可饱和吸收体的镜体,其中,所述可饱和
    吸收材料包括致使所述半导体可饱和吸收材料中的载流子的寿命小于100ps的晶体缺陷。
    12.根据权利要求9至11中任一项所述的具有半导体可饱和吸收体的镜体,其中,所述
    导热衬底(212)具有包括在5与200μm之间的厚度。
    13.根据权利要求9至12中任一项所述的具有半导体可饱和吸收体的镜体,还包括在所
    述可饱和吸收材料上的第二镜体(207)。

    关 键 词:
    用于 制造 具有 饱和 半导体 吸收 材料 方法
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