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    重庆时时彩神计划在线: 具有轻度掺杂漏极区的薄膜晶体管结构及其制造方法.pdf

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    具有 轻度 掺杂 漏极区 薄膜晶体管 结构 及其 制造 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN03106856.1

    申请日:

    2003.03.05

    公开号:

    CN1527404A

    公开日:

    2004.09.08

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情: 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20030305授权公告日:20080528终止日期:20160305|||授权|||实质审查的生效|||公开
    IPC分类号: H01L29/786; G02F1/136; H01L21/336 主分类号: H01L29/786; G02F1/136; H01L21/336
    申请人: 统宝光电股份有限公司;
    发明人: 石安; 孟昭宇; 郭文源
    地址: 台湾省新竹科学工业区苗栗县
    优先权:
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN03106856.1

    授权公告号:

    |||100391008||||||

    法律状态公告日:

    2017.04.19|||2008.05.28|||2006.04.12|||2004.09.08

    法律状态类型:

    专利权的终止|||授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种用于平面显示器的薄膜晶体管结构及其制造方法,该结构包括:设置于该平面显示器的驱动电路区中的第一薄膜晶体管,其栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度;以及设置于该平面显示器的有源矩阵区中的第二薄膜晶体管,其栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。

    权利要求书

    1: 一种薄膜晶体管结构,其应用于一平面显示器上,其包括: 一第一薄膜晶体管,设置于该平面显示器的一驱动电路区域,该第一 薄膜晶体管的栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度 加上沟道区域的长度;以及 一第二薄膜晶体管,设置于该平面显示器的一有源矩阵区域,该第二 薄膜晶体管的栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。
    2: 如权利要求1所述的薄膜晶体管结构,其所应用于其上的该平面显 示器为一液晶显示器。
    3: 如权利要求1所述的薄膜晶体管结构,其该第一薄膜晶体管与该第 二薄膜晶体管完成于同一衬底上。
    4: 一种薄膜晶体管制造方法,应用于一平面显示器,其包括下列步骤: 提供一衬底; 于该衬底上方形成一多晶硅层并定义出一第一多晶硅结构与一第二多 晶硅结构; 于该些多晶硅结构中形成N沟道区域后,于该些多晶硅结构上各覆盖 一第一掩模结构,并对露出的部分N沟道区域进行一轻度掺杂离子注入; 除去该第一多晶硅结构上的该第一掩模结构后再形成长度比该第一掩 模结构大的一第二掩模结构,并对露出的部分N沟道区域再进行一重度掺 杂离子注入,进而于该第一多晶硅结构中形成至少一轻度掺杂漏极区域与 一重度掺杂源/漏极区域,并于该第二多晶硅结构中形成至少一重度掺杂源/ 漏极区域;以及 除去该些掩模结构后形成一栅极绝缘层与一栅极导体层,并分别将该 第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构上方的该栅极导体层定义出一第一栅 极导体结构与一第二栅极导体结构,而该第一栅极导体结构的长度等于或 大于相对应的该轻度掺杂漏极区域的长度加上该沟道区域的长度,而该第 二栅极导体结构的长度约等于相对应的该沟道区域的长度。
    5: 如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法,其中还包括下列步骤: 于定义该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构的同时定义出一第三多 晶硅结构; 于该第一、第二多晶硅结构中形成N沟道区域之前,在该第三多晶硅 结构覆盖一第三掩模结构; 在分别将该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构上方的该栅极导体层 定义出一第一栅极导体结构与一第二栅极导体结构的同时,于该第三多晶 硅结构上方的该栅极导体层定义出一第三栅极导体结构;以及 于该第一、第二多晶硅结构的上方覆盖一第四掩模结构后,利用该第 三栅极导体结构为掩模来对该第三多晶硅结构进行重度掺杂离子注入,进 而形成一P沟道薄膜晶体管。
    6: 如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法,其中该些掩模结构的材 料为光致抗蚀剂。
    7: 如权利要求4所述的薄膜晶体管制造方法,其中该第一多晶硅结构 与该第二多晶硅结构分属该平面显示器中的一驱动电路区域与一有源矩阵 区域。
    8: 一种薄膜晶体管制造方法,应用于一平面显示器,其包括下列步骤: 提供一衬底; 于该衬底上方形成一多晶硅层; 于该多晶硅层中形成N沟道区域后,于该多晶硅层上覆盖一掩模结构, 并对露出的部分N沟道区域进行一轻度掺杂离子注入,进而形成至少一轻 度掺杂漏极区域; 除去该多晶硅层上的该掩模结构后形成一栅极绝缘层与一栅极导体 层,并将该栅极导体层定义出一栅极导体结构,而该栅极导体结构与部分 的该轻度掺杂漏极区域产生重叠;以及 利用该栅极导体结构为掩模而对露出的部分该轻度掺杂漏极区域再进 行一重度掺杂离子注入,进而于该多晶硅层中形成至少一重度掺杂源/漏极 区域,而该栅极导体结构的长度约等于剩余的该轻度掺杂漏极区域的长度 加上沟道区域的长度。
    9: 如权利要求8所述的薄膜晶体管制造方法,其中该些掩模结构的材 料为光致抗蚀剂。
    10: 如权利要求8所述的薄膜晶体管制造方法,其所完成的该薄膜晶体 管属该平面显示器中的一驱动电路区域。

    说明书


    具有轻度掺杂漏极区的薄膜晶体管结构及其制造方法

        【技术领域】

        本发明涉及一种薄膜晶体管结构及其制造方法,尤其涉及应用于平面显示器上具轻度掺杂漏极区域的薄膜晶体管结构及其制造方法。

        背景技术

        请参见图1(a)和1(b),其是一薄膜晶体管液晶显示器的功能方块示意图,其主要由两个部分所组成,第一部分是一有源矩阵10,而第二部分则为一驱动电路11。而在传统的非晶硅工艺中,有源矩阵10独立完成于一玻璃衬底1之上,而驱动电路11必须另外以一个或多个集成电路的形式来完成后,再通过外部线路12来与有源矩阵10进行连接(如图1(a)所示)。

        但是在低温多晶硅技术被应用于薄膜晶体管液晶显示器的制造过程之后,上述有源矩阵10与驱动电路11便可以同一工艺同时完成于玻璃衬底1之上(如图1(b)所示),进而实现成本降低的改进。

        请参见图2(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f),其以低温多晶硅工艺来完成分别处于有源矩阵与驱动电路中的各式薄膜晶体管的步骤示意图。图2(a)表示出在玻璃衬底2上以激光回火方式,在低温环境下形成多晶硅层21的结构,而图2(b)则表示出形成N沟道的离子注入(例如硼离子,B+),其中P沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模22所?;?。随后再于完成以光致抗蚀剂所形成栅极掩模23地?;は?,进行源/漏极区域的离子注入(例如氢化磷离子,PHx+),进而形成如图2(c)所示的N沟道薄膜晶体管的源/漏极区域24。而在同是光致抗蚀剂所形成的掩模22与栅极掩模23被去除后,再定义出栅极绝缘层25与栅极金属结构26(例如以钼来完成),然后再以此栅极金属结构26为掩模进行低浓度的离子注入(例如磷离子,P+),藉以完成N沟道区域中的轻度掺杂漏极结构241,而由图2(d)可看出,栅极金属结构26的长度小于原有的栅极掩模23,利用此一差距便可定义出该轻度掺杂漏极结构241。而图2(e)则表示出用以形成P沟道区域中源/漏极的离子注入(例如氢化硼离子,B2Hx+),其中N沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模27所?;?。至于图2(f)则表示出已完成?;げ?8与形成接触金属导线插塞29的面板结构。

        由于N沟道薄膜晶体管会因为缩短沟道而导致热电子效应的产生,因此必须增加掩模数目与工艺步骤来增设轻度掺杂漏极结构241,进而抑制热电子效应所产生的影响,用以增加元件的稳定度并减少漏电流。但是,为了尽量节省掩模数目与工艺步骤,通常轻度掺杂漏极结构241皆以自对准方式来完成,故其所完成的轻度掺杂漏极结构241与上方的栅极金属结构26将不具有重叠区域(如图2(d)所示)。但是,根据实际的结果显示,当轻度掺杂漏极结构241与上方的栅极金属结构26间具有一重叠区域时,元件稳定度的改善效果将是最好,但是如此也将会附带产生一个寄生电容,而此寄生电容会使得该像素在关闭时,对像素单元中的储存电容与液晶电容产生一偏置电压,使得原先的电压电平漂移。而如何在上述状况中找出一优选解决方案,便是发展本发明的主要目的。

        【发明内容】

        本发明是一种薄膜晶体管结构,应用于一平面显示器上,其包括:一第一薄膜晶体管,设置于该平面显示器的一驱动电路区域,该第一薄膜晶体管的栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度;以及一第二薄膜晶体管,设置于该平面显示器的一有源矩阵区域,该第二薄膜晶体管的栅极导体结构的长度约等于其沟道区域的长度。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管结构,其所应用于其上的该平面显示器为一液晶显示器。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管结构,其该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管完成于同一衬底上。

        本发明的另一方面是一种薄膜晶体管制造方法,应用于一平面显示器,其包括下列步骤:提供一衬底;于该衬底上方形成一多晶硅层并定义出一第一多晶硅结构与一第二多晶硅结构;于该些多晶硅结构中形成N沟道区域后,于该些多晶硅结构上各覆盖一第一掩模结构,并对露出的部分N沟道区域进行一轻度掺杂离子注入;除去该第一多晶硅结构上的该第一掩模结构后再形成长度比该第一掩模结构大的一第二掩模结构,并对露出的部分N沟道区域再进行一重度掺杂离子注入,进而于该第一多晶硅结构中形成至少一轻度掺杂漏极区域与一重度掺杂源/漏极区域,并于该第二多晶硅结构中形成至少一重度掺杂源/漏极区域;以及除去该些掩模结构后形成一栅极绝缘层与一栅极导体层,并分别将该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构上方的该栅极导体层定义出一第一栅极导体结构与一第二栅极导体结构,而该第一栅极导体结构的长度等于或大于相对应的该轻度掺杂漏极区域的长度加上该沟道区域的长度,而该第二栅极导体结构的长度约等于相对应的该沟道区域的长度。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管制造方法,其中还包括下列步骤:于定义该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构的同时定义出一第三多晶硅结构;于该第一、第二多晶硅结构中形成N沟道区域之前,在该第三多晶硅结构覆盖一第三掩模结构;在分别将该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构上方的该栅极导体层定义出一第一栅极导体结构与一第二栅极导体结构的同时,于该第三多晶硅结构上方的该栅极导体层定义出一第三栅极导体结构;以及于该第一、第二多晶硅结构的上方覆盖一第四掩模结构后,利用该第三栅极导体结构为掩模来对该第三多晶硅结构进行重度掺杂离子注入,进而形成一P沟道薄膜晶体管。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管制造方法,其中该些掩模结构的材料为光致抗蚀剂。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管制造方法,其中该第一多晶硅结构与该第二多晶硅结构分属该平面显示器中的一驱动电路区域与一有源矩阵区域。

        本发明的另一方面是一种薄膜晶体管制造方法,应用于一平面显示器,其包括下列步骤:提供一衬底;于该衬底上方形成一多晶硅层;于该多晶硅层中形成N沟道区域后,于该多晶硅层上覆盖一掩模结构,并对露出的部分N沟道区域进行一轻度掺杂离子注入,进而形成至少一轻度掺杂漏极区域;除去该多晶硅层上的该掩模结构后形成一栅极绝缘层与一栅极导体层,并将该栅极导体层定义出一栅极导体结构,而该栅极导体结构与部分的该轻度掺杂漏极区域产生重叠;以及利用该栅极导体结构为掩模而对露出的部分该轻度掺杂漏极区域再进行一重度掺杂离子注入,进而于该多晶硅层中形成至少一重度掺杂源/漏极区域,而该栅极导体结构的长度约等于剩余的该轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管制造方法,其中该些掩模结构的材料为光致抗蚀剂。

        根据上述构想,本发明所述的薄膜晶体管制造方法,其所完成的该薄膜晶体管属该平面显示器中的一驱动电路区域。

        【附图说明】

        本发明藉由下列附图及详细说明,可得以更深入地了解,图中:

        图1(a)和1(b)是一薄膜晶体管液晶显示器的功能方块示意图;

        图2(a)、2(b)、2(c)、2(d)、2(e)和2(f)是现有技术中以低温多晶硅工艺来完成分别处于有源矩阵与驱动电路中的各式薄膜晶体管的步骤示意图;

        图3是本发明的薄膜晶体管液晶显示器的结构示意图;

        图4(a)、4(b)、4(c)、4(d)、4(e)、4(f)和4(g)是以低温多晶硅工艺来完成分别处于有源矩阵与驱动电路中的两种不同结构的薄膜晶体管的本发明第一优选实施例的步骤示意图;以及

        图5(a)、5(b)、5(c)、5(d)、5(e)和5(f)是本发明第二优选实施例的步骤示意图。

        附图中的附图标记说明如下:

        1???玻璃衬底????????????10??有源矩阵

        11??驱动电路????????????12??外部线路

        2???玻璃衬底????????????21??多晶硅层

        22??掩模????????????????23??栅极掩模

        24??源/漏极区域?????????241?轻度掺杂漏极结构

        25??栅极绝缘层??????????26??栅极金属结构

        27??掩模????????????????28???;げ?br>
        29??接触金属导线插塞????30??轻度掺杂漏极结构

        31??栅极金属结构????????32??轻度掺杂漏极结构

        33??栅极金属结构????????4???玻璃衬底

        41??多晶硅层????????????42??掩模

        43??栅极掩模????????????431?光致抗蚀剂栅极掩模

        44??源/漏极区域?????????441?轻度掺杂漏极结构

        442??轻度掺杂漏极结构??????45??栅极绝缘层

        46???栅极金属结构??????????47??掩模

        48????;げ????????????????49??接触金属导线插塞

        5????玻璃衬底??????????????51??多晶硅层

        52???掩模??????????????????53??栅极掩模

        54???栅极绝缘层????????????551?栅极金属结构

        552??栅极金属结构??????????56??源/漏极区域

        57???掩模??????????????????571?栅极金属结构

        58???掩模??????????????????59??源/漏极区域

        591??轻度掺杂漏极结构??????60???;げ?br>
        61???接触金属导线插塞

        【具体实施方式】

        由于以低温多晶硅技术来制造薄膜晶体管液晶显示器的优点在于同时于一衬底上完成有源矩阵与驱动电路。而由上述说明可知,轻度掺杂漏极结构与上方的栅极金属结构间的重叠区域对于元件特性有着正反两面的影响,一方面可改善元件稳定度,但另一方面却因附带产生漏电流与寄生电容而使数据电压电平产生漂移。然而有源矩阵与驱动电路对于其内部薄膜晶体管的性能有着不同的要求,其中有源矩阵中的薄膜晶体管对于电压电平的要求较高,而驱动电路中的薄膜晶体管则对于元件稳定性的要求较高。因此,为能同时符合上述两种电路对于元件特性不同的要求,本发明便发展出如图3所示的薄膜晶体管液晶显示器结构示意图,而从图中可清楚看出,制造在驱动电路区域中的N沟道薄膜晶体管的轻度掺杂漏极结构30与上方的栅极金属结构31间将具有重叠的区域,如此一来,将可有效改善驱动电路区域中薄膜晶体管的元件稳定度,而衍生的寄生电容对于驱动电路并无太大的影响。而在有源矩阵区域中,N沟道薄膜晶体管的轻度掺杂漏极结构32与上方的栅极金属结构33间将不具有重叠的区域,如此一来,将可有效抑制漏电流寄生电容对于电压电平偏移的影响。

        再请参见图4(a)至4(g),其是以低温多晶硅工艺来完成分别处于有源矩阵与驱动电路中的两种不同结构的薄膜晶体管的本发明第一优选实施例的步骤示意图。图4(a)表示出于玻璃衬底4上以激光回火方式,在低温环境下形成多晶硅层41的结构,而图4(b)则表示出形成N沟道的离子注入(例如硼离子,B+),其中P沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模42所?;?。随后再于完成以光致抗蚀剂所形成栅极掩模43的?;は?,进行如图4(c)所示的低浓度离子注入(例如氢化磷离子,PHx+)。而图4(d)所示则为于驱动电路中的N沟道薄膜晶体管处重新形成一尺寸较大的光致抗蚀剂栅极掩模431后,再进行一源/漏极区域的离子注入(例如氢化磷离子,PHx+),进而形成如图所示的N沟道薄膜晶体管的源/漏极区域44以及驱动电路中的N沟道薄膜晶体管处的轻度掺杂漏极结构441。而在同是光致抗蚀剂所形成的掩模42与栅极掩模431被去除后,再定义出栅极绝缘层45与栅极金属结构46(例如以钼来完成),然后再以此栅极金属结构46为掩模进行低浓度的离子注入(例如氢化磷离子,PHx+),藉以完成有源矩阵中N沟道薄膜晶体管的轻度掺杂漏极结构442,而由图4(e)可看出,有源矩阵中的栅极金属结构46的长度小于原有的栅极掩模43,利用此一差距便可定义出有源矩阵中的该轻度掺杂漏极结构442。而图4(f)则表示出用以形成P沟道区域中源/漏极的离子注入(例如氢化硼离子,B2Hx+),其中N沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模47所?;?。至于图4(g),则表示出已完成?;げ?8与形成接触金属导线插塞49的面板结构。而从完成后的图示结构中可清楚看出,制造在驱动电路区域中的N沟道薄膜晶体管的轻度掺杂漏极结构与上方的栅极金属结构间将具有重叠的区域,如此一来,将可有效改善驱动电路区域中薄膜晶体管的元件稳定度,而衍生的寄生电容对于驱动电路并无太大的影响。而在有源矩阵区域中,N沟道薄膜晶体管的轻度掺杂漏极结构与上方的栅极金属结构间将不具有重叠的区域,如此一来,将可有效抑制漏电流寄生电容对于电压电平偏移的影响。

        另外,根据上述轻度掺杂漏极结构与其上方栅极金属结构具有重叠区域的N沟道薄膜晶体管制造步骤的精神,本发明还单独针对一互补金属氧化物半导体薄膜晶体管而发展出下列工艺。请参见图5(a)至5(f),其是本发明第二优选实施例的步骤示意图,图5(a)表示出于玻璃衬底5上以激光回火方式,在低温环境下形成多晶硅层51的结构,而图5(b)则表示出形成N沟道的离子注入(例如硼离子,B+),其中P沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模52所?;?。随后再于完成以光致抗蚀剂所形成栅极掩模53的?;は?,进行如图5(c)所示的低浓度离子注入(例如氢化磷离子,PHx+)。而图5(d)所示是形成一栅极绝缘层54后,再分别于N沟道薄膜晶体管与P沟道薄膜晶体管处形成一尺寸较大的栅极金属结构551(例如可用钼来完成)以及正常尺寸的栅极金属结构552(例如可用钼来完成),然后再进行P沟道薄膜晶体管的源/漏极区域的离子注入(例如氢化硼离子,B2Hx+),进而形成如图所示的P沟道薄膜晶体管的源/漏极区域56。而利用光致抗蚀剂所形成的掩模57,定义出N沟道薄膜晶体管中正常尺寸的栅极金属结构571,而P沟道薄膜晶体管区域被光致抗蚀剂所形成的掩模58所?;?,然后再以光致抗蚀剂所形成的掩模57、58进行高浓度的离子注入(例如氢化磷离子,PHx+),藉以完成如图5(e)所示的N沟道薄膜晶体管的源/漏极区域59及轻度掺杂漏极结构591,而由图中可看出,其栅极金属结构571的长度大于原有的栅极掩模53,利用此一差距便可定义出有源矩阵中的该轻度掺杂漏极结构591。而图5(f)则表示出已完成?;げ?0与形成接触金属导线插塞61的面板结构。而从上述说明可清楚看出,其以不增加工艺掩模数目的方法来完成轻度掺杂漏极结构与其上方栅极金属结构具有重叠区域的N沟道薄膜晶体管,如此一来,将可有效改善所完成薄膜晶体管的元件稳定度。

        综上所述,在不脱离所附权利要求请求?;さ姆段У那榭鱿?,本领域技术人员可对本发明作各种更改与润饰。

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