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    关 键 词:
    像素 结构 显示 面板
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    摘要
    申请专利号:

    CN201310703647.6

    申请日:

    2013.12.19

    公开号:

    CN103792739A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1343申请日:20131219|||公开
    IPC分类号: G02F1/1343 主分类号: G02F1/1343
    申请人: 友达光电股份有限公司
    发明人: 张琬珩; 郑孝威; 范姜士权
    地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号
    优先权: 2013.11.05 TW 102140117
    专利代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310703647.6

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.06.01|||2014.06.11|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    像素结构与显示面板。本发明公开了一种像素结构,设置于第一基板上,包含扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极以及至少一凸起部。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种像素结构,设置于一第一基板上,其特征在于,该像素结构包含:
    一扫描线,位于该第一基板上;
    一数据线,位于该第一基板上;
    一主动元件,电性连接该扫描线与该数据线;
    一像素电极,位于该第一基板上,并电性连接该主动元件;
    一第一介电层,位于该第一基板上,并至少覆盖该像素电极;
    一共通电极,至少部分位于该第一介电层上,且该共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于所述第一电极分支之间的一第一开口,该共通电极的所述第一电极分支与该第一开口在一垂直投影方向与该像素电极至少部份重叠;以及
    至少一凸起部,位于该第一介电层上,并至少部分位于两相邻的所述第一电极分支之间。

    2.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该凸起部具有面对该第一介电层的一底面、与该底面相对的一顶面以及邻接该底面与该顶面的一第一斜面。

    3.  根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,至少部份的所述第一电极分支共形地覆盖该第一斜面。

    4.  根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,至少部份的所述第一电极分支覆盖该第一介电层。

    5.  根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,该凸起部的数量为多个,且所述第一电极分支至少其中之一介于两相邻的所述凸起部之间,介于该两相邻的所述凸起部之间的该第一电极分支共形地覆盖该两相邻的所述凸起部的所述第一斜面,以及介于该两相邻的所述凸起部之间的该第一介电层。

    6.  根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该共通电极还包含至少一第二电极分支,位于该第一介电层上,该第二电极分支在垂直投影方向上与该数据线至少部分重叠。

    7.  根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,还包含:
    一图案化第二介电层,至少部份介于该数据线与该第一介电层之间,藉此于该第一介电层上形成一隆起部,该第二电极分支至少部分覆盖该隆起部。

    8.  根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,该隆起部具有至少一第二斜面,该第二电极分支至少部分覆盖该第二斜面。

    9.  根据权利要求8所述的像素结构,其特征在于,该第二斜面具有一斜率倒数,且该斜率倒数大于1。

    10.  根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,还包含:
    一图案化第二介电层,位于该第一介电层上,至少部份介于该第一介电层与该第二电极分支之间。

    11.  根据权利要求10所述的像素结构,其特征在于,该图案化第二介电层具有至少一第二斜面,该第二电极分支至少部分覆盖该第二斜面。

    12.  根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,该第一介电层具有至少一隆起部,该第二电极分支至少部分覆盖该隆起部,且该第二电极分支在一垂直投影方向与该数据线至少部分重叠。

    13.  根据权利要求12所述的像素结构,其特征在于,该隆起部具有至少一第二斜面,该第二电极分支至少部分覆盖该第二斜面。

    14.  根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,位于该第二电极分支下方的该第一介电层的厚度大于该第一电极分支下方的该第一介电层的厚度。

    15.  一种显示面板,其特征在于,包含:
    一第一基板;
    一扫描线,位于该第一基板上;
    一数据线,位于该第一基板上;
    一主动元件,电性连接该扫描线与该数据线;
    一像素电极,位于该第一基板上,并电性连接该主动元件;
    一第一介电层,位于该第一基板上,并至少覆盖该像素电极;
    一共通电极,至少部分位于该第一介电层上,且该共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于所述第一电极分支之间的一第一开口,该共通电极的所述第一电极分支与该第一开口在一垂直投影方向与该像素电极至少部份重叠;
    至少一凸起部,位于该第一介电层上,并至少部分位于两相邻的所述第一电极分支之间;
    一第二基板,与该第一基板相对设置;以及
    一显示介质层,设置于该第一基板与该第二基板之间。

    说明书

    说明书像素结构与显示面板
    技术领域
    本发明是有关于一种像素结构,特别是有关于一种液晶显示面板的像素结构。
    背景技术
    液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)为平面薄型的显示装置,由一定数量的彩色或黑白像素组成,放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗低,因此倍受工程师青睐,为目前主流的显示装置。
    在高解析度液晶显示面板中,共通电极与像素电极形成一电容,利用共通电极与像素电极的设计,如此便能制造出电场并通过液晶层,并且利用电场去控制液晶分子的方向,因而操控各像素的灰阶。提升共通电极与像素电极对于液晶层的操控效率,将能提升液晶显示面板的穿透率表现。
    发明内容
    本发明提供一种像素结构,用以提升共通电极与像素电极对于液晶层的操控效率。
    根据本发明一实施方式,一种像素结构,设置于第一基板上,包含扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极以及至少一凸起部。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。
    于本发明的一或多个实施方式中,凸起部具有面对第一介电层的底面、与底面相对的顶面以及邻接底面与顶面的第一斜面。
    于本发明的一或多个实施方式中,至少部份的第一电极分支共形地覆盖第一斜面。
    于本发明的一或多个实施方式中,至少部份的第一电极分支覆盖第一介电层。
    于本发明的一或多个实施方式中,凸起部的数量为多个,且第一电极分支至少其中之一介于两相邻的凸起部之间,介于两相邻的凸起部之间的第一电极分支共形地覆盖两相邻的凸起部的第一斜面,以及介于两相邻的凸起部之间的第一介电层。
    于本发明的一或多个实施方式中,共通电极还包含至少一第二电极分支,位于第一介电层上,第二电极分支在垂直投影方向上与数据线至少部分重叠。
    于本发明的一或多个实施方式中,像素结构还包含图案化第二介电层,至少部份介于数据线与第一介电层之间,藉此于第一介电层上形成隆起部,第二电极分支至少部分覆盖隆起部。
    于本发明的一或多个实施方式中,像素结构还包含图案化第二介电层,位于第一介电层上,至少部份介于第一介电层与第二电极分支之间。
    于本发明的一或多个实施方式中,图案化第二介电层具有至少第二斜面,第二电极分支至少部分覆盖第二斜面。
    于本发明的一或多个实施方式中,第一介电层具有至少一隆起部,第二电极分支至少部分覆盖隆起部,且第二电极分支在第一基板上的正投影与数据线至少部分重叠。
    于本发明的一或多个实施方式中,隆起部具有至少一第二斜面,第二电极分支至少部分覆盖第二斜面。
    于本发明的一或多个实施方式中,位于第二电极分支下方的第一介电层的厚度大于第一电极分支下方的第一介电层的厚度。
    根据本发明另一实施方式,一种显示面板包含第一基板、扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极、至少一凸起部、第二基板以及显示介质层。扫描线位于第一基板上。数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的 第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。第二基板与第一基板相对设置。显示介质层设置于第一基板与第二基板之间。
    本发明上述实施方式藉由设置凸起部位于两相邻的第一电极分支之间,因而使第一电极分支与像素电极所形成的电场在显示介质层中变得蜷曲,因而提升显示介质层的操控效率。另外,在不改变第一电极分支与像素电极之间的介电层整体厚度的情况下,加厚第二电极分支与数据线之间的介电层厚度,如此将可减少源极驱动芯片的能量消耗,同时却不会使显示介质层的操控效率下降。
    附图说明
    图1A绘示依照本发明一实施方式的显示面板的剖面图;
    图1B绘示图1A的像素结构的俯视示意图;
    图2A绘示本发明的实施例具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的模拟位能分布;
    图2B绘示比较例不具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的模拟位能分布;
    图3绘示图2A与图2B的穿透率-位置图;
    图4A、图4B与图4C分别绘示不同实施方式的局部放大图,其绘示区域如图1A的区域M所示;
    图5绘示依照本发明另一实施方式的像素结构的剖面图;
    第6绘示依照本发明再一实施方式的像素结构的剖面图;
    图7A绘示依照本发明又一实施方式的像素结构在图案化前的剖面图;
    图7B绘示图7A的像素结构在图案化后的剖面图;
    图8A绘示依照本发明一实施方式的像素结构,在其第二电极分支没有制程偏移时的剖面示意图;
    图8B绘示依照本发明一实施方式的像素结构,在其第二电极分支有制程偏移时的剖面示意图;
    图9绘示依照本发明多个实施例的穿透率偏差-斜面斜率图。
    其中,附图标记:
    100:像素结构
    110:扫描线
    120:数据线
    130:主动元件
    140:像素电极
    150:第一介电层
    160:共通电极
    161、161a、161b:第一电极分支
    163:第二电极分支
    170:凸起部
    171:底面
    173:顶面
    175:第一斜面
    180:图案化第二介电层
    190:隆起部
    191:第二斜面
    200:显示面板
    210:第一基板
    220:显示介质层
    230:第二基板
    240:彩色滤光层
    250:遮光层
    300、310、500、510、520:曲线
    400:第一蚀刻区
    410:第二蚀刻区
    A-A’:剖面线
    FO:第一开口
    M:区域
    X:斜面长度
    Y:斜面高度
    具体实施方式
    以下将以图式揭露本发明的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说,在本发明部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。
    请同时参照图1A与图1B,其中图1A绘示依照本发明一实施方式的显示面板200的剖面图,图1B绘示图1A的像素结构100的俯视示意图,且图1A的剖面位置可如图1B的线段A-A’所绘示。
    本实施方式的显示面板200包含第一基板210、像素结构100、显示介质层220以及第二基板230。像素结构100设置于第一基板210上,且此像素结构100包含扫描线110、数据线120、主动元件130、像素电极140、第一介电层150、共通电极160以及至少一凸起部170。扫描线110位于第一基板210上。数据线120位于第一基板210上。主动元件130电性连接扫描线110与数据线120。像素电极140位于第一基板210上,并电性连接主动元件130。第一介电层150位于第一基板210上,并至少覆盖像素电极140。共通电极160至少部分位于第一介电层150上,且共通电极160具有至少二个第一电极分支161以及位于第一电极分支161之间的第一开口FO。共通电极160的第一电极分支161与第一开口FO在垂直投影方向与像素电极140至少部份重叠。凸起部170位于第一介电层150上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支161之间。第二基板230与第一基板210相对设置。显示介质层220设置于第一基板210与第二基板230之间。
    具体而言,显示介质层220可为液晶层,亦可为电润湿材料层等,但不限于此。应了解到,以上所举的显示介质层220的具体实施方式仅为例示,而非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,可依实际需要,弹性选择显示介质层220的具体实施方式。
    图2A绘示本发明的实施例具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的模拟位能分布。图2B绘示比较例不具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的 模拟位能分布。图3绘示图2A与图2B的穿透率-位置图。在液晶显示面板中,若共通电极与像素电极所形成的电场,在液晶层中是较蜷曲(twisted)的,则其将具有较强的液晶分子扭转能力,因而将具有较好的液晶效率,以及较高的穿透率。如图2A与图2B所绘示,由于图2A中的像素结构100具有凸起部170,图2A中的位能分布较图2B的曲折,因而图2A中的电场具有较强的液晶分子扭转能力。图2A与图2B中的圆圈与椭圆表示液晶分子被扭转的幅度,可以明显看出图2A中的液晶分子被扭转的幅度较图2B大。因此,如图3所绘示,本发明实施例的曲线300绘示具有凸起部的像素结构的穿透率,比较例的曲线310绘示不具有凸起部的像素结构的穿透率,其中具有凸起部的像素结构的穿透率明显较不具有凸起部的像素结构的穿透率高。
    如图1A与图1B所绘示,具体而言,凸起部170可位于第一开口FO内。应了解到,以上所举的凸起部170的设置位置仅为例示,而非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,可依实际需要,弹性选择凸起部170的设置位置。
    具体而言,显示面板200还可包含彩色滤光层240与遮光层250。彩色滤光层240设置于第二基板230面对显示介质层220的一面,并对应于像素电极140。遮光层250亦设置于第二基板230面对显示介质层220的该面,并位于彩色滤光层180的相对两侧。
    此外,共通电极163还可包含至少一第二电极分支163,此第二电极分支163位于第一介电层150上,且第二电极分支163在垂直投影方向上与数据线120至少部分重叠。为了避免数据线120的信号干扰而造成暗态漏光,设置第二电极分支163在数据线120上方,可以屏蔽数据线120所产生的电场。
    请参照图4A、图4B与图4C,图4A、图4B与图4C分别绘示不同实施方式的局部放大图,其绘示区域如图1A的区域M所示。如图4A、图4B与图4C所绘示,凸起部170可具有面对第一介电层150的底面171、与底面171相对的顶面173以及邻接底面171与顶面173的第一斜面175。
    如图4A所绘示,上述的第一电极分支可分为两部分,其中一部分为第一电极分支161a,另一部分为第一电极分支161b。第一电极分支161a共形地覆盖第一斜面175?;痪浠八?,第一电极分支161a有一部份设置于第一斜面175上,而这些第一电极分支161a的其余部份则设置于第一介电层150上。另外, 第一电极分支161b覆盖第一介电层150?;痪浠八?,第一电极分支161b完全设置在第一介电层150上。
    如图4B所绘示,所有第一电极分支161皆共形地覆盖第一斜面175?;痪浠八?,所有第一电极分支161皆有一部份设置于第一斜面175上,而这些第一电极分支161的其余部份则设置于第一介电层150上。
    如图4C所绘示,凸起部170的数量为多个,且第一电极分支161至少其中之一介于两相邻的凸起部170之间,介于两相邻的凸起部170之间的第一电极分支161共形地覆盖两相邻的凸起部170的第一斜面175,以及介于两相邻的凸起部170之间的第一介电层150。
    藉由让凸起部170具有斜面结构,并且设置部份第一电极分支161共形地覆盖第一斜面175,将可以使第一电极分支161与像素电极140所形成的电场在显示介质层170中变得更加蜷曲,因而将具有更强的扭转液晶分子能力以及较好的液晶效率,相对地具有较高的穿透率。
    参照图5,其绘示依照本发明另一实施方式的像素结构100的剖面图。像素结构100还可包含图案化第二介电层180,至少部份介于数据线120与第一介电层150之间,藉此于第一介电层150上形成隆起部190,第二电极分支163至少部分覆盖隆起部190。
    藉由设置第二电极分支163于隆起部190上,将减少在第二电极分支163与金属层重叠区域的寄生电容,因而可以减少源极驱动芯片提供信号时的能量消耗,同时因为第一电极分支161与像素电极140的设置位置并没有改变,因而液晶效率不会受到影响。具体而言,位于第二电极分支163下方的介电层,比如第一介电层150与图案化第二介电层180,的厚度大于第一电极分支161下方的介电层,比如第一介电层150,的厚度。
    关于图5中像素结构100的制程,首先提供第一基板210并形成像素电极140与数据线120于第一基板210上。然后,形成图案化第二介电层180于第一基板210上,此图案化第二介电层180将覆盖数据线120。之后,再形成第一介电层150于第一基板210上,此第一介电层150将覆盖像素电极140与图案化第二介电层180上,因而形成隆起部190。最后,再分别形成第一电极分支161与第二电极分支163于第一介电层150上,其中第二电极分支163设置于隆起部190上。
    图6绘示依照本发明再一实施方式的像素结构100的剖面图。图6与图5的主要差异在于,图案化第二介电层180位于第一介电层150上并形成隆起部190,且至少部份介于第一介电层150与第二电极分支163之间。
    关于图6中像素结构100的制程,首先提供第一基板210,并形成像素电极140与数据线120于第一基板210上。然后,形成第一介电层150于第一基板210上,此第一介电层将覆盖像素电极140与数据线120。之后,再形成图案化第二介电层180于第一介电层150上,因而形成隆起部190。最后,再形成第一电极分支161于第一介电层150上,第二电极分支163于隆起部190上。
    图7A绘示依照本发明又一实施方式的像素结构100在图案化前的剖面图。图7B绘示依照本发明又一实施方式的像素结构100在图案化后的剖面图。如图7B所绘示,第一介电层150可具有至少一隆起部190,第二电极分支163至少部分覆盖隆起部190,且第二电极分支163在垂直投影方向与数据线120至少部分重叠。
    关于图7A与图7B中像素结构100的制程,首先提供第一基板210,并形成像素电极140与数据线120于第一基板210上。然后,形成第一介电层150于第一基板210上,此第一介电层150将覆盖像素电极140与数据线120。之后,再分别对于第一蚀刻区400与第二蚀刻区410进行蚀刻,并因而形成隆起部190与凸起部170。最后,再分别形成第一电极分支161与第二电极分支163于第一介电层150上,其中第二电极分支163设置于隆起部190上。
    需要特别注意的是,关于图5与图6中的凸起部170,并没有描述相关的制程细节。凸起部170可以使用类同于图5与图6中隆起部190的制程方式形成,也就是利用形成图案化介电层的方式形成。
    另外,共通电极160的不同电极分支如第一电极分支161与第二电极分支163可互相电连接。应了解到,以上所举的共通电极160的具体实施方式仅为例示,而非用以限制本发明,本发明所属技术领域中具有通常知识者,可依实际需要,弹性选择共通电极160的具体实施方式。
    图8A绘示依照本发明一实施方式的像素结构,在其第二电极分支163没有制程偏移时的剖面示意图。图8B绘示依照本发明一实施方式的像素结构,在其第二电极分支163有制程偏移时的剖面示意图。如图8A所绘示,隆起部 190(或图案化第二介电层)可具有至少一第二斜面191,第二电极分支163至少部分覆盖第二斜面191。
    由于在实际的制程中,可能会发生偏移的情况,也就是如图8B所绘示的情况,如此情况将会造成液晶效率偏差,相对地造成穿透率偏差(deviation)。若隆起部190或图案化第二介电层具有第二斜面191,则可以减少制程偏差对于穿透率的影响。此原由为在第二电极分支163与第一介电层150(见图1A与图1B)下方的像素电极140(见图1A与图1B)之间具有一电场,此电场在第二电极分支163受到制程偏差时会有剧烈变化,而具有第二斜面191可减小制程偏差发生时的电场分布变化。若第二斜面191的斜率倒数X/Y大于1,更可以进一步地显著减少制程偏差对于液晶效率的影响。图9绘示依照本发明多个实施例的穿透率偏差-斜面斜率图,其中曲线500绘示隆起部的高度为200nm的穿透率偏差、曲线510绘示隆起部的高度为400nm的穿透率偏差以及曲线520绘示隆起部的高度为600nm的穿透率偏差。不管考虑曲线500、510以及520,皆可以明显发现当第二斜面191的斜率倒数X/Y大于1时,制程偏差对于穿透率的影响显著减少。
    本发明上述实施方式藉由设置凸起部170位于两相邻的第一电极分支161之间,因而使共通电极160与像素电极140所形成的电场在显示介质层170中变得曲折,因而提升显示介质层170的操控效率,进而提升显示介质层170的穿透率。另外,在不改变像素电极140与第一电极分支161之间的介电层整体厚度的情况下,加厚第二电极分支163与数据线120之间的介电层厚度,如此将可减少源极驱动芯片的能量消耗,同时却不会使显示介质层170的操控效率下降。
    虽然本发明已以实施方式揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与润饰,因此本发明的?;し段У笔雍蟾降纳昵胱ɡ段缍ㄕ呶?。

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