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    私彩重庆时时彩返奖率: 低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310714376.4

    申请日:

    2013.12.20

    公开号:

    CN103676219A

    公开日:

    2014.03.26

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/035申请日:20131220|||公开
    IPC分类号: G02F1/035 主分类号: G02F1/035
    申请人: 北京航天时代光电科技有限公司
    发明人: 郑国康; 夏君磊; 刘福民; 黄韬; 汪飞琴; 关涛
    地址: 100094 北京市海淀区丰滢东路1号
    优先权:
    专利代理机构: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 范晓毅
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310714376.4

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.01.25|||2014.04.23|||2014.03.26

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法,该调制器包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件,铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极,铌酸锂衬底采用x切y传晶片,钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层,且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧,金属电极位于退火外扩散区的表面,且正负电极关于钛扩散区域对称;第一、二保偏尾纤组件均包括第一保偏光纤和第一光纤固定块,该调制器同时实现器件低插入损耗和低偏振相关损耗,实现两个偏振态的功率均分,有效消除调制波形失真的情况,提高电光调制精度。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件,第一保偏尾纤组件为输入端,第二保偏尾纤组件为输出端,其中铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底(1)、钛扩散波导区(2)、退火外扩散区(3)和金属电极(4),铌酸锂衬底(1)采用x切y传晶片,钛扩散区域(2)和退火外扩散区(3)位于铌酸锂衬底(1)的表层,且退火外扩散区(3)位于钛扩散区域(2)的两侧,金属电极(4)位于退火外扩散区(3)的表面,且正负电极关于钛扩散区域(2)对称;第一保偏尾纤组件包括第一保偏光纤(5)和第一光纤固定块(7),第一保偏光纤(5)粘接在第一光纤固定块(7)表面的第一V型槽(8)内,第二保偏尾纤组件包括第二保偏光纤(6)和第二光纤固定块(7’),第二保偏光纤(6)粘接在第二光纤固定块(7’)表面的第二V型槽(8’)内。

    2.  根据权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:所述第一保偏光纤(5)的慢轴与第一V型槽(8)截面的对称轴夹角为45°;所述第二保偏光纤(6)的慢轴与第二V型槽(8’)截面的对称轴夹角为0°。

    3.  根据权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:所述第一光纤固定块(7)和第二光纤固定块(7’)为长方形块体,材质为硅晶体,表面的第一V型槽(8)或第二V型槽(8’)通过湿法腐蚀形成。

    4.  根据权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:所述钛扩散区域(2)的宽度为4~8微米,厚度为2~6微米。

    5.  根据权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:所述退火外扩散区(3)的厚度为2~6微米。

    6.  根据权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器,其特征在于:所述金属电极(4)中正负电极之间的距离为10~20微米。

    7.  权利要求1所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器的制备方法,其特征在于:包括铌酸锂光波导芯片的制备过程和第一保偏尾纤组件、第二保偏尾纤组件与铌酸锂光波导芯片的粘接过程,
    其中铌酸锂光波导芯片的制备过程如下:
    第一步,选取x切y传铌酸锂晶片,通过光刻剥离工艺或湿法腐蚀光刻工艺,结合钛膜的生长,在晶片表面形成钛膜的直波导图形;
    第二步,将第一步处理后的晶片放入扩散炉中进行钛扩散,形成铌酸锂上的钛扩散波导区(2);
    第三步,对第二步处理后的晶片在非钛扩散波导区域进行退火外扩散处理,形成退火外扩散区(3);
    第四步,在退火外扩散区(3)表面制备金属电极(4),并使金属电极(4)关于钛扩散区域(2)对称,制备得到铌酸锂光波导芯片;
    其中第一保偏尾纤组件、第二保偏尾纤组件与铌酸锂光波导芯片的粘接过程如下:
    第五步,将两个第二保偏尾纤组件分别装夹在两个六维微调架上,第四步制备得到铌酸锂光波导芯片装夹在一个载片台上;
    第六步、将其中一个第二保偏尾纤组件中的第二保偏光纤(6A)接入偏振可调谐光源,另外一个第二保偏尾纤组件中的第二保偏光纤(6B)接入光功率计;
    第七步、调节两个六维微调架除沿光纤轴向旋转外的其他五维,使所述两个第二保偏光纤(6A、6B)与钛扩散波导区(2)对准;
    第八步、将第二保偏光纤(6B)从光功率计取下后接入消光比测试仪,同时微调两根第二保偏光纤(6A、6B)的轴向旋转,每微调一次轴向旋转,读取一次消光比数据,读取消光比数据的方法为:旋转偏振可调谐光源的 偏振态一周,观察消光比测试仪上依次出现的四个极大值,所述四个极大值作为消光比测量值的绝对值;
    第九步、重复第八步,直到测得的四个消光比数据的绝对值达到最大;
    第十步、保持第二保偏光纤(6A、6B)的轴向旋转不动,将第二保偏光纤(6B)从消光比测试仪取下后接入光功率计,调节第二保偏光纤(6A、6B)的其他五维,直到探测到的光功率最大;
    第十一步、在第二保偏光纤(6B)的端面点紫外胶,并再次调节第二保偏光纤(6B)除轴向旋转外的其他五维,直到探测到的光功率最大;
    第十二步、对紫外胶进行曝光固化,完成第二保偏光纤(6B)与载片台上铌酸锂光波导芯片一端的耦合连接;
    第十三步、将第二保偏光纤(6A)从六维微调架上取下,将第一保偏光纤组件装在所述六维微调架上;
    第十四步、将第一保偏光纤组件中的第一保偏光纤(5)接入低偏振宽谱光源,将第二保偏光纤(6B)接入光功率计;
    第十五步、调节第一保偏光纤(5)除轴向旋转外的其他五维,使第一保偏光纤(5)与钛扩散区域(2)对准;
    第十六步、将第二保偏光纤(6B)从光功率计取下后入消光比测试仪,微调装有第一保偏光纤组件的六维微调架,直到消光比测试仪测出的功率最大,消光比最??;
    第十七步、在第一保偏光纤(5)的端面点紫外胶,对紫外胶进行曝光固化,完成第一保偏光纤(5)与载片台上铌酸锂光波导芯片另一端的耦合连接。

    8.  权利要求7所述的低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器的制备方法,其特征在于:所述第三步对晶片在非钛扩散波导区域进行退火外扩散处理,形成退火外扩散区(3)的具体步骤如下:
    (1)、将第二步处理后的晶片进行清洗,在晶片表面形成与第一步中形 成的钛扩散区域(2)完全重合的二氧化硅图形,即二氧化硅完全覆盖钛扩散波导区域(2);
    (2)、将晶片放入退火炉中,在通氧的条件下进行退火,形成退火外扩散区(3)。

    关 键 词:
    偏振 相关 损耗 铌酸锂 直条 波导 相位 调制器 及其 制备 方法
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