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    重庆时时彩经验视频: 一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310719197.X

    申请日:

    2013.12.23

    公开号:

    CN103676505A

    公开日:

    2014.03.26

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/42申请日:20131223|||公开
    IPC分类号: G03F7/42 主分类号: G03F7/42
    申请人: 大连奥首科技有限公司
    发明人: 侯军; 李波
    地址: 116025 辽宁省大连市高新园区火炬路1号A座201-1
    优先权:
    专利代理机构: 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 代理人: 郭官厚
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310719197.X

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.04.13|||2014.04.23|||2014.03.26

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺,所述剥离液包括剥离剂、润湿剂、有机胺或有机铵盐、缓蚀剂、助剂和有机溶剂。所述剥离液对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力,能够完全去除光刻胶,无残留,此外还能保证无腐蚀,具有广泛的工业应用潜力和价值。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种用于芯片的光刻胶剥离液,所述光刻胶剥离液包括下述重量份的各种组分:


    2.  如权利要求1所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述剥离剂为全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚,其结构式为CmF2m+1CH2CH2O(C2H4O)nH,m和n均选自6-12的整数。

    3.  如权利要求1-2任一项所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述润湿剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚,结构式为R1O(C2H4O)p(C3H6O)qH,其中R1为C10-C18的直链或支链烷基,p为4-12之间的整数,q为4-10之间的整数。

    4.  如权利要求1-3任一项所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述有机胺或有机铵盐选自二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵中的任何一种或任何多种的混合物。

    5.  如权利要求1-4任一项所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述缓蚀剂为苯并三氮唑、1-C1-C6烷基苯并三氮唑、1-羟基苯并三氮唑、1-羟甲基苯并三氮唑、3-巯基-1,2,4-三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、6-氯-1-羟基苯并三氮唑中的任何一种或任何多种的混合物。

    6.  如权利要求1-5任一项所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述助剂为冠醚类化合物,其选自开链冠醚、苯并冠醚、羟基苯并冠醚、环烷基并冠醚中的任何一种或任何多种的混合物。

    7.  如权利要求1-6任一项所述的光刻胶剥离液,其特征在于:
    所述有机溶剂为醇醚化合物、砜类化合物或吡咯烷酮类化合物。

    8.  如权利要求1-7任一项所述光刻胶剥离液的制备方法,所述方法包括如下步骤:
    (1)分别称取上述各自重量份的各种组分;
    (2)将有机溶剂加入到搅拌釜中,然后顺次加入有机胺或有机铵盐、剥离剂,搅拌至均匀透明;
    (3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂,搅拌至均匀透明,即得所述光刻胶剥离液。

    9.  使用权利要求1-8任一项所述芯片光刻胶剥离液的去胶工艺,所述去胶工艺包括如下步骤:
    (1)将芯片在60-90℃下浸泡于光刻胶剥离液中,超声波10-30分钟;
    (2)将去胶完毕后的芯片用纯水漂洗3-10分钟,漂洗1-3次,然后氮气吹干。

    关 键 词:
    一种 用于 芯片 光刻 剥离 制备 方法 工艺
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