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    重庆时时彩后三750注: 数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310502766.5

    申请日:

    2013.10.23

    公开号:

    CN103778959A

    公开日:

    2014.05.07

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/02申请日:20131023|||公开
    IPC分类号: G11C16/02; G06F12/16 主分类号: G11C16/02
    申请人: 三星电子株式会社
    发明人: 李元奭; 尹恩振; 文荣国; 黄成植; 孙东贤
    地址: 韩国京畿道
    优先权: 2012.10.23 KR 10-2012-0118017
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310502766.5

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2019.04.16|||2015.10.14|||2014.05.07

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了数据存储设备、控制器以及数据存储设备的操作方法。非易失性存储器包括:存储单元阵列,包括多个非易失性存储单元;解码器,通过多个字线与存储单元阵列连接;数据输入/输出电路,通过多个位线与存储单元阵列连接;电压检测器,被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号;以及控制逻辑,被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而响应于电压变化信号使存储在存储单元阵列中的数据无效。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种非易失性存储器,包括:
    存储单元阵列,包括多个非易失性存储单元;
    解码器,通过多个字线与存储单元阵列连接;
    数据输入/输出电路,通过多个位线与存储单元阵列连接;
    电压检测器,被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号;以及
    控制逻辑,被配置成响应于电压变化信号控制解码器和数据输入/输出电路从而使存储在存储单元阵列中的数据无效。

    2.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述电压检测器被配置成检测电源电压是否低于阈值电平,以及根据检测结果输出电压变化信号。

    3.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述控制逻辑被配置成通过控制解码器和数据输入/输出电路使数据无效从而利用数据“1”或数据“0”重写存储单元阵列的非易失性存储单元。

    4.  如权利要求3所述的非易失性存储器,其中所述控制逻辑被配置成控制解码器和数据输入/输出电路,从而利用数据“1”和数据“0”当中相对于重写要求最少电力消耗的数据来重写存储单元阵列的非易失性存储单元。

    5.  如权利要求3所述的非易失性存储器,还包括:
    寄存器,被配置成由外部设备设置,
    其中所述控制逻辑还被配置成,
    根据寄存器中设置的信息响应于电压变化信号确定是否使存储在存储单元阵列中的数据无效,以及
    根据确定结果选择性地对数据执行无效。

    6.  如权利要求4所述的非易失性存储器,其中所述控制逻辑还被配置成,
    在使数据无效时根据寄存器的信息确定利用数据“1”还是数据“0”重写非易失性存储单元,以及
    使用确定的数据执行重写操作。

    7.  如权利要求2所述的非易失性存储器,还包括:
    随机数据生成器,被配置成响应于控制逻辑的控制生成随机数据,
    其中所述控制逻辑被配置成控制解码器和数据输入/输出电路从而利用来自随机数据生成器的随机数据重写非易失性存储单元。

    8.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述存储单元阵列包括存储不同特性的数据的至少两个区域,并且响应于电压变化信号选择性地使存储在所述至少两个区域中的数据无效。

    9.  如权利要求8所述的非易失性存储器,还包括:
    寄存器,被配置成由外部设备设置,
    其中所述控制逻辑被配置成基于寄存器的信息决定所述至少两个区域中的第一区域是将被无效的区域并且所述至少两个区域中的第二区域是不被无效的区域。

    10.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中,所述存储单元阵列包括:
    引导信息区域,被配置成存储引导信息;以及
    常规区域,被配置成存储用户数据,以及
    其中所述非易失性存储器被配置,从而响应于电压变化信号使存储在常规区域中的用户数据无效并且响应于电压变化信号不使存储在引导信息区域中的引导信息无效。

    11.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中,所述存储单元阵列包括:
    安全区域,被配置成存储安全数据;以及
    非安全区域,被配置成存储非安全数据,以及
    其中所述非易失性存储器被配置,从而响应于电压变化信号使存储在安全区域中的安全数据无效并且响应于电压变化信号不使存储在非安全区域中的非安全数据无效。

    12.  如权利要求1所述的非易失性存储器,还包括:
    超级电容器,被配置成在断电时供应电力,以及
    其中所述控制逻辑还被配置成在断电时使用来自超级电容器的电力使存储在存储单元阵列中的数据无效,断电是外部地提供给非易失性存储器的电力被切断的状态。

    13.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述控制逻辑还被配置成响应于来自外部设备的复位命令使存储在存储单元阵列中的数据无效。

    14.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述非易失性存储器是随机存取存储器。

    15.  如权利要求1所述的非易失性存储器,其中所述非易失性存储器是磁随机存取存储器(MRAM)。

    16.  一种存储系统,包括:
    非易失性存储器;以及
    存储控制器,被配置成控制非易失性存储器,
    其中所述非易失性存储器包括,
    存储单元阵列,包括多个非易失性存储单元;
    解码器,通过多个字线与存储单元阵列连接;
    数据输入/输出电路,通过多个位线与存储单元阵列连接;
    电压检测器,被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号;以及
    控制逻辑,被配置成响应于电压变化信号控制解码器和数据输入/输出电路从而使存储在存储单元阵列中的数据无效。

    17.  一种存储系统,包括:
    非易失性主存储器,包括多个非易失性存储芯片;以及
    存储控制器,被配置成控制非易失性主存储器,
    其中所述存储控制器被配置成检测电源电压的变化并且控制非易失性主存储器从而基于检测到的变化使所述多个非易失性存储芯片中的至少一个非易失性存储芯片无效。

    18.  如权利要求17所述的存储系统,其中由存储控制器预先选择所述至少一个被无效的非易失性存储芯片。

    19.  如权利要求17所述的存储系统,其中,所述非易失性主存储器还包括:
    超级电容器,被配置成在断电时向所述至少一个非易失性存储芯片供电,断电是外部地提供给存储系统的电力被切断的状态。

    20.  如权利要求17所述的存储系统,还包括:
    超级电容器,位于非易失性主存储器外部并且被配置成向非易失性主存储器供电,以及
    其中所述非易失性主存储器被配置,从而在断电时,所述至少一个非易失性存储芯片使用从超级电容器供应的电力对存储的数据执行无效操作,断电是外部地提供给存储系统的电力被切断的状态。

    21.  如权利要求17所述的存储系统,其中所述非易失性主存储器被配置,从而所述至少一个非易失性存储芯片检测电源电压是否低于预定电平,并且 根据检测结果对存储的数据执行无效操作。

    22.  如权利要求17所述的存储系统,其中所述存储控制器被配置成检测断电并且基于检测到的断电向所述至少一个非易失性存储芯片发出复位命令,并且所述非易失性存储器被配置,从而所述至少一个非易失性存储芯片响应于复位命令对存储的数据执行无效操作。

    23.  一种包括多个非易失性存储单元的非易失性存储器的操作方法,包括:
    检测电源电压的变化;以及
    响应于该检测使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效。

    24.  如权利要求23所述的操作方法,其中使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效包括:
    利用数据重写所述多个非易失性存储单元。

    25.  如权利要求23所述的操作方法,其中使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效包括:
    读取存储在所述多个非易失性存储单元中的数据;
    基于读取的数据决定数据“1”和“0”当中哪个数据对于重写所述多个非易失性存储单元的一部分或全部要求更少电力消耗;以及
    利用被决定为要求更少电力消耗的数据来重写所述多个非易失性存储单元的一部分或全部。

    26.  如权利要求23所述的操作方法,其中使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效包括:
    生成随机数据;以及
    利用所述随机数据重写所述多个非易失性存储单元。

    27.  如权利要求23所述的操作方法,还包括:
    接收指示检测到电源电压的变化的复位命令;以及
    响应于该复位命令使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效。

    28.  如权利要求23所述的操作方法,其中使用存储在超级电容器中的电力执行使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效。

    29.  如权利要求23所述的操作方法,其中根据存储在寄存器中的数据选择性地执行使存储在所述多个非易失性存储单元中的数据无效。

    30.  一种计算系统,包括:
    非易失性主存储器;
    存储控制器,被配置成控制非易失性主存储器;以及
    中央处理单元,被配置成经由存储控制器访问非易失性主存储器并且使用非易失性主存储器作为工作存储器,
    其中所述非易失性主存储器包括,
    存储单元阵列,包括多个非易失性存储单元,
    解码器,通过多个字线与存储单元阵列连接,
    数据输入/输出电路,通过多个位线与存储单元阵列连接,
    电压检测器,被配置成检测电源电压的变化以输出电压变化信号,以及
    控制逻辑,被配置成响应于电压变化信号控制解码器和数据输入/输出电路从而使存储在存储单元阵列中的数据无效。

    31.  一种非易失性存储器,包括:
    存储单元阵列,包括多个非易失性存储单元;
    电压检测器,被配置成检测供应到非易失性存储器的电源电压的变化并且输出电压变化信号;以及
    控制器,被配置成响应于电压变化信号对存储单元阵列执行重写操作,所述重写操作使得利用复位数据重写存储在存储单元阵列中的数据。

    32.  如权利要求31所述的非易失性存储器,还包括:
    解码器,通过多个字线与存储单元阵列连接;以及
    数据接口电路,被配置成向非易失性存储器输入数据以及从非易失性存储器输出数据,所述数据接口电路通过多个位线与存储单元阵列连接,
    其中所述控制器被配置,从而执行重写操作包括控制解码器和数据接口电路以利用复位数据重写存储在存储单元阵列中的数据。

    33.  如权利要求31所述的非易失性存储器,其中,
    所述复位数据是第一数据值和第二数据值中的一个,
    与使用第一数据值作为复位数据执行重写操作相对应的电力消耗不同于与使用第二数据值作为复位数据执行重写操作相对应的电力消耗,以及
    所述非易失性存储控制器被配置成使用第一数据值和第二数据值当中与最低电力消耗相对应的数据值作为复位数据来执行重写操作。

    34.  如权利要求33所述的非易失性存储器,其中所述第一数据值是“0” 而且所述第二数据值是“1”。

    关 键 词:
    数据 存储 设备 控制器 以及 操作方法
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