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    重庆时时彩大小怎么样: 半导体工艺常温铝蚀刻制程.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201110458141.4

    申请日:

    2011.12.31

    公开号:

    CN103774148A

    公开日:

    2014.05.07

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):C23F1/20变更事项:申请人变更前:聚灿光电科技(苏州)有限公司变更后:聚灿光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前:215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号变更后:215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号|||实质审查的生效IPC(主分类):C23F 1/20申请日:20111231|||公开
    IPC分类号: C23F1/20 主分类号: C23F1/20
    申请人: 聚灿光电科技(苏州)有限公司
    发明人: 魏臻
    地址: 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号
    优先权:
    专利代理机构: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 张利强
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110458141.4

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2016.03.16|||2015.04.08|||2014.06.11|||2014.05.07

    法律状态类型:

    授权|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种半导体工艺常温铝蚀刻制程,包括如下步骤:a)准备过程:准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂;b)制备过程:依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂;c)制备过程:均匀搅拌后于室温中静置;d)蚀刻过程:放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。本发明旨在提供其他方法来达到有效刻蚀铝的目的,以达到扩大铝刻蚀时的选择范围,从而使有效刻铝的药品的品种更加多样化,以满足不同情况下的需要。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于,包括如下步骤:
    a)准备过程:准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂;
    b)制备过程:依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂;
    c)制备过程:均匀搅拌后于室温中静置;
    d)蚀刻过程:放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。

    2.  根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:所述的盐酸浓度为36%-38%。

    3.  根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:所述的硝酸浓度为69%-72%。

    4.  根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:所述的阴离子表面活性剂包括十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种。

    5.  根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:所述的盐酸与硝酸的比例范围在5:1到10:1之间,所述的去离子水的体积等于所述的盐酸与硝酸体积总和;当溶液体积在1至2升范围内时,添加1.5至2克的阴离子表面活性剂。

    6.  根据权利要求5所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:所述的盐酸与硝酸的比例为5:1,溶液中添加有1.8g的十二烷基磺酸钠。

    7.  根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程,其特征在于:搅拌均匀后在室温下静置直至与室温平衡。

    关 键 词:
    半导体 工艺 常温 蚀刻
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