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    重庆时时彩会被抓吗: 存储电容、像素单元及存储电容的制造方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410033377.7

    申请日:

    2014.01.23

    公开号:

    CN103792744A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G02F 1/136申请公布日:20140514|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/136申请日:20140123|||公开
    IPC分类号: G02F1/136; G02F1/1362; G02F1/1368; G02F1/1343; H01L23/522; H01L21/02 主分类号: G02F1/136
    申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
    发明人: 姚晓慧; 许哲豪
    地址: 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
    优先权:
    专利代理机构: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 刘敏
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410033377.7

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.05.25|||2014.06.11|||2014.05.14

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例公开了一种存储电容,包括基底,位于该基底上且由第一金属层形成的第一电极,形成在该基底及该第一电极上的第一绝缘层,形成在该第一绝缘层上的半导体层,形成在该半导体层上的第二金属层,形成在该第一绝缘层、该半导体层及该第二金属层上的第二绝缘层,以及形成在该第二绝缘层及该第二金属层上并作为第二电极的像素电极。该第二绝缘层上开设有一个接触窗以暴露第二金属层。该像素电极经由该接触窗与该暴露的第二金属层电性连接。另,本发明实施例还公开了一种具有该存储电容的像素单元及一种该存储电容的制造方法。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种存储电容,其特征在于,该存储电容(100)包括基底(10),位于该基底(10)上且由第一金属层形成的第一电极(20),形成在该基底(10)及该第一电极(20)上的第一绝缘层(30),形成在该第一绝缘层(30)上的半导体层(40),形成在该半导体层(40)上的第二金属层(50),形成在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上的第二绝缘层(60),以及形成在该第二绝缘层(60)及该第二金属层(50)上并作为第二电极的像素电极(70),该第二绝缘层(60)上开设有一个接触窗(52)以暴露第二金属层(50),该像素电极(70)经由该接触窗(52)与该暴露的第二金属层(50)电性连接。

    2.  如权利要求1所述的存储电容,其特征在于,该基底(10)由玻璃或者塑胶制成。

    3.  如权利要求1所述的存储电容,其特征在于,该第一电极(20)为钼层、铝层、钛层或铜层,或者是任意两层的堆叠。

    4.  如权利要求1所述的存储电容,其特征在于,该第一电极(20)包括一共享线(205)。

    5.  如权利要求1所述的存储电容,其特征在于,该第一电极(20)包括一扫描线(202)。

    6.  一种像素单元,包括存储电容(100)及薄膜晶体管(206),其特征在于,该存储电容(100)包括基底(10),位于该基底(10)上且由第一金属层形成的第一电极(20),形成在该基底(10)及该第一电极(20)上的第一绝缘层(30),形成在该第一绝缘层(30)上的半导体层(40),形成在该半导体层(40)上的第二金属层(50),形成在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上的第二绝缘层(60),以及形成在该第二绝缘层(60)及该第二金属层(50)上并作为第二电极的像素电极(70),该第二绝缘层(60)上开设有一个接触窗(52)以暴露第二金属层(50),该像素电极(70)经由该接触窗(52)与该暴露的第二金属层(50)电性连接,该薄膜晶体管(206)与该像素电极(70)电性连接。

    7.  如权利要求6所述的像素单元,其特征在于,该第一电极(20)为钼层、铝层、钛层或铜层,或者是任意两层的堆叠。

    8.  如权利要求6所述的像素单元,其特征在于,该第一电极(20)包括一共享线(205)。

    9.  如权利要求6所述的像素单元,其特征在于,该第一电极(20)包括一扫描线(202)。

    10.  一种存储电容的制造方法,包括以下步骤:
    提供一个基底(10);
    在该基底(10)上形成一个第一金属层,图案化该第一金属层以形成一个第一电极(20);
    在该基底(10)及该第一电极(20)上形成一个第一绝缘层(30);
    在该第一绝缘层(30)上依次形成一个半导体层(40)及一个第二金属层(50);
    在该第一绝缘层(30)、该半导体层(40)及该第二金属层(50)上形成一个第二绝缘层(60),并暴露一部分的第二金属层(50);及
    在该第二绝缘层(60)及该暴露的第二金属层(50)上形成一作为第二电极的像素电极(70),以使该像素电极(70)与该第二金属层(50)电性接触。

    关 键 词:
    存储 电容 像素 单元 制造 方法
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