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    重庆时时彩代理费多少: 一种阵列基板、其制备方法及显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410041098.5

    申请日:

    2014.01.27

    公开号:

    CN103792746A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G02F 1/1362申请公布日:20140514|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1362申请日:20140127|||公开
    IPC分类号: G02F1/1362 主分类号: G02F1/1362
    申请人: 北京京东方光电科技有限公司; 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 沈奇雨
    地址: 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
    优先权:
    专利代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410041098.5

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.04.19|||2014.06.11|||2014.05.14

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种阵列基板、其制备方法及显示装置,在该阵列基板中,以相邻的两行像素单元为一组像素单元行,在每组像素单元行中,由于同列的相邻两个像素单元中的像素电极均与一复合型晶体管电性连接,且该复合型晶体管可以在不同水平的控制电压控制下开启或关闭,以在不同时刻分别为同列的相邻两个像素单元的像素电极充电,因此每组像素单元行可以共用一条位于该两行像素单元之间的栅线,与现有的阵列基板相比,在阵列基板上设置的栅线的数量减少了一半,从而可以提高阵列基板的开口率,进而可以提显示面板的亮度。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,包括衬底基板,以及位于所述衬底基板上呈矩阵排列的多个具有像素电极的像素单元,其特征在于:
    以相邻的两行像素单元为一组像素单元行,每组所述像素单元行共用一条位于该两行像素单元之间的栅线,且相邻列的像素单元之间具有一条数据线;
    在每组所述像素单元行中,同列的相邻两个像素单元中的像素电极分别与一复合型晶体管的两输出端电性连接,各所述复合型晶体管的控制端分别与所述栅线电性连接,各所述复合型晶体管的输入端分别与所述数据线电性连接;其中,
    所述复合型晶体管在不同水平的控制电压控制下开启或关闭,以在不同时刻分别为同列的相邻两个像素单元的像素电极充电。

    2.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述复合型晶体管包含第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的掺杂极性相反;其中,
    在每组所述像素单元行中,所述第一薄膜晶体管的漏极与位于第一行的像素单元的像素电极电性连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与位于第二行的像素单元的像素电极电性连接,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别与所述栅线电性连接,所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极分别与所述数据线电性连接。

    3.  如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在一所述复合型晶体管中,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管在垂直于所述衬底基板的方向层叠设置。

    4.  如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管位于所述衬底基板与所述第二薄膜晶体管之间,所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管;或,
    所述第二薄膜晶体管位于所述衬底基板与所述第一薄膜晶体管之间,所述 第一薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

    5.  如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管共用一栅极。

    6.  如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管位于所述衬底基板与所述第二薄膜晶体管之间,在所述衬底基板与所述第一薄膜晶体管之间设置有第一挡光层,所述第一挡光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影;
    所述第二薄膜晶体管位于所述衬底基板与所述第一薄膜晶体管之间,在所述衬底基板与所述第二薄膜晶体管之间设置有第二挡光层,所述第二挡光层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影。

    7.  如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一薄膜晶体管的有源层与源极之间以及有源层与漏极之间均设置有第一欧姆接触层;和/或,在所述第二薄膜晶体管的有源层与源极之间以及有源层与漏极之间均设置有第二欧姆接触层。

    8.  如权利要求3-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,数据线与所述第一薄膜晶体管的源极同层设置,所述第二薄膜晶体管的源极通过过孔与所述数据线电性连接;或
    数据线与所述第二薄膜晶体管的源极同层设置,所述第一薄膜晶体管的源极通过过孔与所述数据线电性连接。

    9.  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
    在衬底基板上形成包括像素单元的像素电极、栅线、数据线和复合型晶体管的图形,其中,
    以相邻的两行像素单元为一组像素单元行,每组所述像素单元行共用一条位于该两行像素单元之间的栅线,且相邻列的像素单元之间具有一条数据线;
    在每组所述像素单元行中,同列的相邻两个像素单元中的像素电极分别与一复合型晶体管的两输出端电性连接,各所述复合型晶体管的控制端分别与所述栅线电性连接,各所述复合型晶体管的输入端分别与所述数据线电性连接;其中,
    所述复合型晶体管在不同水平的控制电压控制下开启或关闭,以在不同时刻分别为同列的相邻两个像素单元的像素电极充电。

    10.  如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成所述复合型晶体管的图形,具体包括:
    在所述衬底基板上形成包含第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的图形;其中,
    所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的掺杂极性相反,在每组所述像素单元行中,所述第一薄膜晶体管的漏极与位于第一行的像素单元的像素电极电性连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与位于第二行的像素单元的像素电极电性连接,所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极分别与所述栅线电性连接,所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极分别与所述数据线电性连接。

    11.  如权利要求10所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成包含第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的图形,具体包括:
    在所述衬底基板上形成包括第一薄膜晶体管的源极和漏极的图形;
    在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极上形成包括第一薄膜晶体管的有源层的图形;
    在所述第一薄膜晶体管的有源层上形成第一栅极绝缘层和在所述第一栅极绝缘层上形成包括栅极的图形;
    在所述栅极上形成第二栅极绝缘层和在所述第二栅极绝缘层上形成包括第二薄膜晶体管的有源层的图形;
    在所述第二薄膜晶体管的有源层上形成包括第二薄膜晶体管的源极和漏 极的图形。

    12.  如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成包括数据线的图形,具体包括:
    在所述衬底基板上形成包括第一薄膜晶体管的源极和漏极的图形的同时,在所述衬底基板上形成包括数据线的图形,所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线电性连接;或
    在所述第二薄膜晶体管的有源层上形成包括第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形的同时,在所述第二薄膜晶体管的有源层上形成包括数据线的图形,所述第一薄膜晶体管的源极与所述数据线电性连接。

    13.  如权利要求12所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成包括栅线的图形,具体包括:
    在所述第一薄膜晶体管的有源层上形成包括与所述有源层相互绝缘的栅极的图形的同时,在所述第一薄膜晶体管的有源层上形成包括栅线的图形。

    14.  如权利要求13所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成包括像素单元的像素电极的图形,具体包括:
    在所述衬底基板上形成包括第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形之后,在第二薄膜晶体管的漏极上方形成钝化层和在所述钝化层上形成包括像素单元的像素电极的图形;其中,位于第一行的像素单元中的像素电极通过贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述钝化层的第一过孔与所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接,位于第二行的像素单元中的像素电极通过贯穿所述钝化层的第二过孔与所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接。

    15.  如权利要求11所述的制备方法,其特征在于:
    在所述衬底基板上形成包括第一薄膜晶体管的源极和漏极的图形之后,在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极上形成包括第一薄膜晶体管的有源层的图形之前,还包括:在所述第一薄膜晶体管的源极与将要形成的有源层之间,以及所述第一薄膜晶体管的漏极与将要形成的有源层之间形成包括有第一欧姆 接触层的图形;和/或
    在所述栅极上形成包括与所述栅极相互绝缘的第二薄膜晶体管的有源层的图形之后,在所述第二薄膜晶体管的有源层上形成包括第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形之前,还包括:在所述第二薄膜晶体管的有源层与将要形成的源极之间,以及所述第二薄膜晶体管的有源层与将要形成的漏极之间形成包括有第二欧姆接触层的图形。

    16.  如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成包括第一薄膜晶体管的源极和漏极的图形之前,还包括:
    在所述衬底基板与将要形成的第一薄膜晶体管之间形成包括有第一挡光层的图形,且所述第一挡光层在所述衬底基板的正投影覆盖将要形成的所述第一薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板的正投影。

    17.  一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

    关 键 词:
    一种 阵列 制备 方法 显示装置
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