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    重庆时时彩什么时候开始有的: 用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310383281.9

    申请日:

    2013.08.29

    公开号:

    CN103792838A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G04F 5/14申请日:20130829|||公开
    IPC分类号: G04F5/14; H01S5/022 主分类号: G04F5/14
    申请人: 霍尼韦尔国际公司
    发明人: D.W.杨格纳; J.A.里德莱; S.T.鲁
    地址: 美国新泽西州
    优先权: 2012.10.29 US 13/662850
    专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李涛;谭祐祥
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310383281.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.08.11|||2015.11.25|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及用以增强阳极键合蒸气室中的压力均匀性的制造技术。一种制造一个或多个蒸气室的方法,所述方法包括:在具有第一直径的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯;和在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧,所述第二晶片具有第二直径。将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面,所述第三晶片具有第三直径。将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上,所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径。在所述牺牲性晶片之上设置金属化键合板。在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时,将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。

    权利要求书

    权利要求书
    1.   一种制造一个或多个蒸气室的方法,所述方法包括:
    在具有内表面区域和周缘的第一晶片中形成一个或多个蒸气室管芯,所述第一晶片具有第一直径;
    在所述蒸气室管芯之上将第二晶片阳极键合至所述第一晶片的第一侧,所述第二晶片具有第二直径;
    将第三晶片定位在所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面,所述第三晶片具有第三直径;
    将牺牲性晶片放置在所述第三晶片之上,所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径;
    将金属化键合板置于所述牺牲性晶片之上;和
    在所述牺牲性晶片已就位的情况下向所述金属化键合板施加电压时,将所述第三晶片阳极键合至所述第一晶片的所述第二侧。

    2.   如权利要求1所述的方法,进一步包括:在所述第一晶片中形成一个或多个互连的排气通路,所述排气通路提供至少一个路径供来自所述一个或多个蒸气室管芯的气体行进到所述第一晶片的所述周缘外,其中所述排气通路允许朝向所述第一晶片的所述内表面区域的气体在所述第二晶片和第三晶片向所述第一晶片的阳极键合期间与所述第一晶片的所述周缘外的气体处于大致连续的压力平衡。

    3.   一种用于制造蒸气室的晶片构造,包括:
    第一晶片,包括多个蒸气室管芯,所述第一晶片具有内表面区域和周缘,所述第一晶片具有第一直径;
    第二晶片,在所述蒸气室管芯之上被阳极键合至所述第一晶片的第一侧,所述第二晶片具有大致等于所述第一直径的第二直径;
    第三晶片,位于所述蒸气室管芯之上在所述第一晶片的与所述第二晶片相对的第二侧上面,所述第三晶片具有大致等于所述第一直径和第二直径的第三直径;
    牺牲性晶片,位于所述第三晶片之上,所述牺牲性晶片具有大于所述第一直径、第二直径和第三直径的直径;
    在所述牺牲性晶片之上的金属化键合板;和
    其中,所述牺牲性晶片的直径足够大,以防止在所述第三晶片被阳极键合至所述第一晶片时发生电弧放电。

    关 键 词:
    用以 增强 阳极 蒸气 中的 压力 均匀 制造 技术
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