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    助赢重庆时时彩破解版: 采用电子束工艺定义连接孔的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201210435742.8

    申请日:

    2012.11.05

    公开号:

    CN103794551A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20121105|||公开
    IPC分类号: H01L21/768; G03F1/76(2012.01)I 主分类号: H01L21/768
    申请人: 中国科学院微电子研究所
    发明人: 李春龙; 贺晓彬; 赵超; 李俊峰; 闫江; 王文武
    地址: 100029 北京市朝阳区北土城西路3#
    优先权:
    专利代理机构: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201210435742.8

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.05.15|||2015.07.01|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种采用电子束工艺定义半导体器件连接孔的方法,包括:在衬底上形成器件的基本结构,包括需要与连接孔电性连接的下层结构;在基本结构上形成第一硬掩模层;采用电子束曝光工艺,在第一硬掩模层上形成负胶的光刻胶图案,定义出连接区;以光刻胶图案为掩模,刻蚀第一硬掩模层,形成第一硬掩模图案;在第一硬掩模图案上形成第二硬掩模层;去除第一硬掩模图案,留下的第二硬掩模层构成第二硬掩模图案,暴露了连接区;以第二硬掩模图案为掩模,刻蚀形成与下层结构接触的连接孔。依照本发明的方法,通过先后两次图案化硬掩模,采用负胶的电子束工艺成功定义出了微纳米级的连接孔图形。提高了效率和安全性。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种采用电子束工艺定义连接孔的方法,包括:
    在衬底上形成器件的基本结构,包括需要与连接孔电性连接的下层结构;
    在基本结构上形成第一硬掩模层;
    采用电子束曝光工艺,在第一硬掩模层上形成负胶的光刻胶图案,定义出连接区;
    以光刻胶图案为掩模,刻蚀第一硬掩模层,形成第一硬掩模图案;
    在第一硬掩模图案上形成第二硬掩模层;
    去除第一硬掩模图案,留下的第二硬掩模层构成第二硬掩模图案,暴露了连接区;
    以第二硬掩模图案为掩模,刻蚀形成与下层结构接触的连接孔。

    2.  如权利要求1的方法,其中,下层结构包括MOSFET的源漏区和栅极堆叠、多层布线中的镶嵌结构、衬底表面钝化层中的焊垫。

    3.  如权利要求1的方法,其中,第一硬掩模层与第二硬掩模层材质不同。

    4.  如权利要求3的方法,其中,第一硬掩模层和/或第二硬掩模层选自多晶硅、非晶硅、微晶硅、非晶碳、非晶锗、SiC、SiGe、氮化硅、氧化硅及其组合。

    5.  如权利要求1的方法,其中,采用等离子体干法刻蚀工艺刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图案。

    6.  如权利要求1的方法,其中,形成第二硬掩模层之后还包括采用CMP工艺平坦化第二硬掩模层直至暴露第一硬掩模图案。

    7.  如权利要求1的方法,其中,采用湿法腐蚀工艺去除第一硬掩模图案。

    8.  如权利要求1的方法,其中,负胶包括COP、环氧Exopy618、SAL601、AR-N-7520。

    关 键 词:
    采用 电子束 工艺 定义 连接 方法
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