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    重庆时时彩5分钟: 射频识别中的串联稳压电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201210434635.3

    申请日:

    2012.11.02

    公开号:

    CN103792979A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20121102|||公开
    IPC分类号: G05F1/56 主分类号: G05F1/56
    申请人: 上?;缂傻缏酚邢拊鹑喂?
    发明人: 傅志军; 马和良
    地址: 201203 上海市浦东新区碧波路572弄39号
    优先权:
    专利代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201210434635.3

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.08.03|||2015.04.29|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种射频识别中的串联稳压电路,包括:一耦合电路,将输入的正弦波信号耦合到射频识别卡片端,并产生谐振电压;一限幅电路,与所述耦合电路的输出端相连接,为串联稳压电路提供输入电压,并对该输入电压进行限幅;一串联稳压电路,与所述限幅电路的输出端相连接,用于稳定电源电压;其包括:一启动电路,用于完成所述串联稳压电路整个电路的启动;一分压电路,对所述电源电压进行分压,为串联稳压主电路和所述启动电路提供输入电压;一串联稳压主电路,将MOS晶体管串接在电源产生的环路中,通过控制MOS管的栅极电压来控制和稳定所述电源电压。本发明能使射频识别卡片不容易下电,且有利于解调电路的解调。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种射频识别中的串联稳压电路,包括:
    一耦合电路,将输入的正弦波信号耦合到射频识别卡片端,并产生谐振电压;
    一限幅电路,与所述耦合电路的输出端相连接,为串联稳压电路提供输入电压,并对该输入电压进行限幅;其特征在于,还包括:
    一串联稳压电路,与所述限幅电路的输出端相连接,用于稳定电源电压;其包括:
    一启动电路,用于完成所述串联稳压电路整个电路的启动;
    一分压电路,对所述电源电压进行分压,为串联稳压主电路和所述启动电路提供输入电压;
    一串联稳压主电路,将MOS晶体管串接在电源产生的环路中,通过控制MOS管的栅极电压来控制和稳定所述电源电压。

    2.  如权利要求1所述的串联稳压电路,其特征在于,所述耦合电路包括:原端电感(L1),副端电感(L2)和第一电容(C1);所述第一电容(C1)与副端电感(L2)并联连接,输入的正弦波信号通过原端电感(L1)耦合到副端电感(L2),并与所述第一电容(C1)发生谐振,产生谐振电压。

    3.  如权利要求2所述的串联稳压电路,其特征在于,所述限幅电路包括:第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M7),第一PMOS晶体管(M3)、第二PMOS晶体管(M4)、第三PMOS晶体管(M5)和第四PMOS晶体管(M6),第一电阻(R1);
    第一NMOS晶体管(M1)的栅极和漏极与第一电容(C1)的一端相连 接,第二NMOS晶体管(M2)的栅极和漏极与电容(C1)的另一端相连接,第一NMOS晶体管(M1)的源极与第二NMOS晶体管(M2)的源极相连接,其连接的端点记为REGIN点;第一PMOS晶体管(M3)和第四PMOS晶体管(M6)的源极以及第三NMOS晶体管(M7)的漏极与所述REGIN点相连接;第一PMOS晶体管(M3)的栅极与其漏极、第二PMOS晶体管(M4)的源极和第四PMOS晶体管(M6)的栅极相连接;第二PMOS晶体管(M4)的栅极与其漏极和第三PMOS晶体管(M5)的源极相连接;第三PMOS晶体管(M5)的栅极与漏极接地;第四PMOS晶体管(M6)的漏极与第三NMOS晶体管(M7)的栅极和第一电阻(R1)的一端相连接;第一电阻(R1)的另一端和第三NMOS晶体管(M7)的源极接地;
    所述串联稳压电路的输入电压由第一NMOS晶体管(M1)和第二NMOS晶体管(M2)的源极连接的端点REGIN点提供,经过所述限幅电路限幅,保证REGIN点的电压不超过第一PMOS晶体管(M3),第二PMOS晶体管(M4)和第三PMOS晶体管(M5)的阈值电压之和。

    4.  如权利要求1所述的串联稳压电路,其特征在于,所述启动电路由第十六PMOS晶体管(M32)、第十七PMOS晶体管(M33)、第十八PMOS晶体管(M34)、第十九PMOS晶体管(M35)和第二十PMOS晶体管(M36),第四NMOS晶体管(M13)和第九NMOS晶体管(M22)构成;其中:
    所述第十六PMOS晶体管(M32)、第十七PMOS晶体管(M33)、第十八PMOS晶体管(M34)、第十九PMOS晶体管(M35)和第二十PMOS晶体管(M36)的栅极接地,然后依次串联连接;第十六PMOS晶体管(M32) 的源极与所述限幅电路的输出端相连接,第二十PMOS晶体管(M36)的漏极与第四NMOS晶体管(M13)的漏极相连接的端点,记为ST点;第四NMOS晶体管(M13)的源极接地,其栅极输入由分压电路提供的第一输入电压(VMID);第九NMOS晶体管(M22)的漏极与所述限幅电路的输出端相连接,其源极与电源电压(VDD)相连接,其栅极与所述ST点相连接。

    5.  如权利要求4所述的串联稳压电路,其特征在于,所述第十六PMOS晶体管(M32)、第十七PMOS晶体管(M33)、第十八PMOS晶体管(M34)、第十九PMOS晶体管(M35)和第二十PMOS晶体管(M36)尺寸采用倒比管尺寸。

    6.  如权利要求4所述的串联稳压电路,其特征在于:所述分压电路由第十二PMOS晶体管(M28)、第十三PMOS晶体管(M29)、第十四PMOS晶体管(M30)和第十五PMOS晶体管(M31),第三电容(C3)构成,该4个PMOS晶体管采用二极管连接方式,然后依次串接在电源电压(VDD)与地之间;其中:第十二PMOS晶体管(M28)的源极与电源电压(VDD)相连接,第十五PMOS晶体管(M31)的漏极接地;第十三PMOS晶体管(M29)的漏极与第十四PMOS晶体管(M30)源极相连接的端点的电压为所述第一输入电压(VMID),提供给所述启动电路,该第一输入电压(VMID)是二分之一的电源电压;第十四PMOS晶体管(M30)的漏极与第十五PMOS晶体管(M31)源极相连接的端点的电压为第二输入电压(VSPL),提供给所述串联稳压主电路,该第二输入电压(VSPL)是四分 之一的电源电压;
    第三电容(C3)连接在电源电压(VDD)与地之间。

    7.  如权利要求6所述的串联稳压电路,其特征在于:所述串联稳压主电路由第五PMOS晶体管(M14)、第六PMOS晶体管(M17)、第七PMOS晶体管(M20)、第八PMOS晶体管(M21)、第九PMOS晶体管(M23)、第十PMOS晶体管(M24)和第十一PMOS晶体管(M25),第五NMOS晶体管(M15)、第六NMOS晶体管(M16)、第七NMOS晶体管(M18)、第八NMOS晶体管(M19)、第九NMOS晶体管(M22)、第十NMOS晶体管(M26)和第十一NMOS晶体管(M27)组成;其中:
    第五PMOS晶体管(M14)、第六PMOS晶体管(M17)、第七PMOS晶体管(M20)和第八PMOS晶体管(M21)的源极与所述限幅电路的输出端相连接;
    第五PMOS晶体管(M14)的栅极与漏极、第六PMOS晶体管(M17)的栅极和第五NMOS晶体管(M15)的漏极相连接;第五NMOS晶体管(M15)的栅极与电源电压(VDD)相连接,其源极与第六NMOS晶体管(M16)的漏极相连接;第六NMOS晶体管(M16)的源极接地;
    第六PMOS晶体管(M17)的漏极与第七PMOS晶体管(M20)的漏极和栅极、第八PMOS晶体管(M21)的栅极和第七NMOS晶体管(M18)的漏极相连接;第八PMOS晶体管(M21)的漏极和第七NMOS晶体管(M18)的栅极与电源电压(VDD)相连接;
    第七NMOS晶体管(M18)的源极与第八NMOS晶体管(M19) 的漏极相连接,第八NMOS晶体管(M19)的源极接地;
    第九PMOS晶体管(M23)的源极与电源电压(VDD)相连接,其栅极输入偏置电压(VB);第九PMOS晶体管(M23)的漏极与第十PMOS晶体管(M24)和第十一PMOS晶体管(M25)的源极相连接;
    第十PMOS晶体管(M24)的栅极输入由所述分压电路提供的第二输入电压(VSPL);第十PMOS晶体管(M24)的漏极与第十NMOS晶体管(M26)的栅极和漏极相连接,其连接的端点记为NET2;第十NMOS晶体管(M26)的源极接地;
    第十一PMOS晶体管(M25)的栅极输入参考电压(VREF);第十一PMOS晶体管(M25)的漏极与第十一NMOS晶体管(M27)的栅极和漏极相连接,其连接的端点记为NET1;第十一NMOS晶体管(M27)的源极接地;
    所述第六NMOS晶体管(M16)的栅极与端点NET1相连接;所述第八NMOS晶体管(M19)的栅极与端点NET2相连接;
    所述偏置电压(VB)用于保证第十PMOS晶体管(M24)和第十一PMOS晶体管(M25),第十NMOS晶体管(M26)和第十一NMOS晶体管(M27)能提供恒定的工作电流。

    关 键 词:
    射频 识别 中的 串联 稳压 电路
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