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    重庆时时彩赌博违法吗: 变流装置及其控制方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310481137.9

    申请日:

    2013.10.15

    公开号:

    CN103792737A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1343申请日:20131015|||公开
    IPC分类号: G02F1/1343; G02F1/133 主分类号: G02F1/1343
    申请人: 友达光电股份有限公司
    发明人: 郑伟成; 吕美如; 李益志; 丁天伦
    地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号
    优先权: 2013.08.20 TW 102129871
    专利代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310481137.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.11.02|||2014.06.11|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种显示面板,其包括第一基板、位于第一基板上的多个像素结构、第二基板、位于第一基板与第二基板之间的显示介质。每一像素结构包括:扫描线、数据线、主动元件、像素电极、共用电极、绝缘层以及反向电极。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。共用电极与像素电极电性绝缘。绝缘层位于像素电极与共用电极之间。反向电极与像素电极以及共用电极电性绝缘,其中反向电极对称于像素电极设置,且反向电极的电压绝对值大于像素电极的电压绝对值。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种显示面板,其特征在于,包括一第一基板、位于该第一基板上的多个像素结构、一第二基板、位于该第一基板与该第二基板之间的一显示介质,其中每一像素结构包括:
    一扫描线以及一数据线;
    一主动元件,与该扫描线以及该数据线电性连接;
    一像素电极,与该主动元件电性连接;
    一共用电极,与该像素电极电性绝缘;
    一绝缘层,位于该像素电极与该共用电极之间;以及
    一反向电极,与该像素电极以及该共用电极电性绝缘,其中该反向电极对称于该像素电极设置,且该反向电极的一电压绝对值大于该像素电极的一电压绝对值。

    2.  如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该反向电极与该像素电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该共用电极以及该膜层之间。

    3.  如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该反向电极与该共用电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该像素电极以及该膜层之间。

    4.  如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该反向电极围绕该像素电极的四周设置或是位于该像素电极的两侧设置。

    5.  如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,该像素电极与该共用电极重叠,且该反向电极不与该像素电极重叠且不与该共用电极重叠。

    6.  如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,该反向电极与该像素电极之间具有一间隙,且该共用电极未延伸至该间隙内。

    7.  如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,该像素电极与该共用电极重叠且与反向电极重叠。

    8.  如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,共用电极与反向电极具有一间隙,且像素电极与此间隙重叠。

    9.  如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,该像素电极与该共用电极重叠,且该反向电极与该共用电极重叠。

    10.  如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,该反向电极与该像素电 极之间具有一间隙,且该共用电极延伸至该间隙内。

    11.  如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该反向电极对应于该像素电极的一中心位置设置,且该共用电极位于该反向电极的两侧。

    12.  如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,该共用电极与该反向电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该像素电极与该膜层之间。

    13.  如权利要求11所述的显示面板,其特征在于,该共用电极、该反向电极以及该像素电极三者位于不同膜层。

    14.  如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该反向电极由多层导电层组成。

    15.  如权利要求1-14任一所述的显示面板,其特征在于,该反向电极的相位与该像素电极的相位实质上相差0度或180度。

    16.  如权利要求1-14任一所述的显示面板,其特征在于,该显示介质为垂直配向型液晶,且为负型液晶。

    说明书

    说明书变流装置及其控制方法
    技术领域
    本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于显示面板的像素结构。
    背景技术
    随着液晶显示器的显示规格不断地朝向大尺寸发展,市场对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比、快速反应及广视角等特性。为了克服大尺寸液晶显示面板的视角问题,液晶显示面板的广视角技术也必须不停地进步与突破。目前常见的广视角技术包括:扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(in-plane switching,IPS)液晶显示面板、边际场切换式(fringe field switching,FFS)液晶显示面板与多域垂直配向式(multi-domain vertical alignment,MVA)液晶显示面板。
    以边际场切换式液晶显示面板为例,其具有广视角以及低色偏(color shift)等特性。然而,在公知的边际场切换式液晶显示面板中,有两个主要问题需要克服。首先,由于在像素电极(pixel electrode)上方的液晶分子以及在像素电极的分支部之间的配向狭缝(alignment slit)上方的液晶分子感受到的电场大小与方向不同,导致液晶分子倾倒方向不一致,而产生非预期的暗线(disclination line)或暗点(disclination node)等等不明确现象(disclination),进而影响液晶显示面板的穿透率。此外,垂直配向的负型液晶在公知的边际场切换式电极结构中,其多域(multi-domain)配向性的效果并不显著,使得当使用者在较大的视角进行观看时,所见的影像会产生颜色偏白(color washout)的现象。鉴于上述问题,发明人研发出改善黑纹现象以及大视角颜色偏白现象的显示面板。
    发明内容
    本发明提供一种显示面板,可以改善黑纹现象以及大视角颜色偏白的现象。
    本发明实施例提供一种显示面板,其包括第一基板、位于第一基板上的多 个像素结构、第二基板、位于第一基板与第二基板之间的显示介质,其中每一像素结构包括:扫描线、数据线、主动元件、像素电极、共用电极(common electrode)、绝缘层以及反向电极(counter electrode)。主动元件与扫描线以及数据线电性连接。像素电极与主动元件电性连接。共用电极与像素电极电性绝缘。绝缘层位于像素电极与共用电极之间。反向电极与像素电极以及共用电极电性绝缘,其中反向电极对称于像素电极设置,且反向电极的电压绝对值大于像素电极的电压绝对值。
    上述的显示面板,其中该反向电极与该像素电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该共用电极以及该膜层之间。
    上述的显示面板,其中该反向电极与该共用电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该像素电极以及该膜层之间。
    上述的显示面板,其中该反向电极围绕该像素电极的四周设置或是位于该像素电极的两侧设置。
    上述的显示面板,其中该像素电极与该共用电极重叠,且该反向电极不与该像素电极重叠且不与该共用电极重叠。
    上述的显示面板,其中该反向电极与该像素电极之间具有一间隙,且该共用电极未延伸至该间隙内。
    上述的显示面板,其中该像素电极与该共用电极重叠且与反向电极重叠。
    上述的显示面板,其中共用电极与反向电极具有一间隙,且像素电极与此间隙重叠。
    上述的显示面板,其中该像素电极与该共用电极重叠,且该反向电极与该共用电极重叠。
    上述的显示面板,其中该反向电极与该像素电极之间具有一间隙,且该共用电极延伸至该间隙内。
    上述的显示面板,其中该反向电极对应于该像素电极的一中心位置设置,且该共用电极位于该反向电极的两侧。
    上述的显示面板,其中该共用电极与该反向电极位于同一膜层,且该绝缘层位于该像素电极与该膜层之间。
    上述的显示面板,其中该共用电极、该反向电极以及该像素电极三者位于不同膜层。
    上述的显示面板,其中该反向电极由多层导电层组成。
    上述的显示面板,其中该反向电极的相位与该像素电极的相位实质上相差0度或180度。
    上述的显示面板,其中该显示介质为垂直配向型液晶,且为负型液晶。
    基于上述,本发明的显示面板的像素结构除了像素电极以及共用电极之外,还具有反向电极,如此可使得显示面板不易产生黑纹现象且具有增强的多域配向性,进而可使显示面板在大视角下的颜色偏白现象获得改善。
    为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
    附图说明
    图1为依照本发明的显示面板的剖面示意图;
    图2A为依照本发明的第一实施例的像素结构的俯视示意图;
    图2B为图2A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图3A为依照本发明的第二实施例的像素结构的俯视示意图;
    图3B为图3A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图4A为依照本发明的第三实施例的像素结构的俯视示意图;
    图4B为图4A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图5A为依照本发明的第四实施例的像素结构的俯视示意图;
    图5B为图5A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图6A为依照本发明的第五实施例的像素结构的俯视示意图;
    图6B为图6A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图7A为依照本发明的第六实施例的像素结构的俯视示意图;
    图7B为图7A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图8A为依照本发明的第七实施例的像素结构的俯视示意图;
    图8B为图8A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图9A为依照本发明的第八实施例的像素结构的俯视示意图;
    图9B为图9A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图10A为依照本发明的第九实施例的像素结构的俯视示意图;
    图10B为图10A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图11A为依照本发明的第十实施例的像素结构的俯视示意图;
    图11B为图11A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图12A为依照本发明的第十一实施例的像素结构的俯视示意图;
    图12B为图12A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图13A为依照本发明的第十二实施例的像素结构的俯视示意图;
    图13B为图13A中沿线I-I’与沿线II-II’的剖面示意图;
    图14A为依照本发明的第十三实施例的像素结构的俯视示意图;
    图14B为图14A中沿线I-I’的剖面示意图;
    图15A与图15B为依照本发明的一些实施例的显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线图。
    其中,附图标记:
    10:第一基板           12:像素阵列层
    20:第二基板           30:显示介质
    100、200、300、400、500、600、700、800、900、900、1000、1100、1200、1300:像素结构
    110、210、310、410、510、610、710、810、910、1010、1110、1210、1310:像素电极
    110a、210a、310a、410a、510a、610a、710a、810a、910a、1010a、1110a、1210a、1310a:封闭框形部
    110b、210b、310b、410b、510b、610b、710b、810b、910b、1010b、1110b、1210b、1310b:V形分支部
    114、214、614、714、814、914、1014、1214、1314:间隙
    120、220、320、420、520、620、720、820、920、1020、1120、1220a、1220b、1320:反向电极
    130、230、330、430、530、630、730、830、930、1030、1130、1230、1330:共用电极
    140、240、340、440、540、640、740、840、940、1040、1140、1142、1240、1242、1340:绝缘层
    150:液晶倾倒方向       2000:显示面板
    C:接触窗               CH:通道层
    D:漏极                    D1、D2、D3、D4:方向
    DL:数据线                 G:栅极
    GI:栅绝缘层               I-I’:线
    S:源极                    SL:扫描线
    ST:V型配向狭缝            T:主动元件
    V1:像素电极电压           V2:反向电极电压
    V3:共用电极电压           W1、W2、W1’、W2’:宽度
    具体实施方式
    图1为依照本发明的显示面板2000的剖面示意图。图2A为依照本发明的第一实施例的像素结构的俯视示意图,而图2B为图2A中沿线I-I’的剖面示意图。图1仅绘示出显示面板2000的部分构件(为了清楚起见,省略扫描线SL、数据线DL及主动元件T等未绘示)。
    本发明的显示面板2000(如图1所示)具有第一基板10、第二基板20、显示介质30以及像素阵列层12。在本发明中,显示面板2000为液晶显示面板。在本实施例中,显示面板2000例如是垂直配向边际场切换式(vertical alignment-fringe field switching,VA-FFS)液晶显示面板,此类VA-FFS液晶显示面板同时具有垂直配向模式的高对比以及边际场切换模式的广视角特性。在下文中,本发明的实施例将以显示面板2000为VA-FFS液晶显示面板为例来说明。
    第一基板10的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、金属或其类似材质。第一基板10上包括配置有像素阵列层12,所述像素阵列层12由多个像素结构100构成,而像素结构100的设计将参照图2A于下文中详细地描述。
    第二基板20位于第一基板10的对向。第二基板20的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其类似材质。
    显示介质30位于第一基板10上的像素阵列层12与第二基板20之间。显示介质30包括多个液晶分子(未绘示)。液晶分子可以是正型液晶分子或负型液晶分子。由于负型液晶分子的介电各向异性(dielectric anisotropy,△ε)小于0,且垂直配向液晶分子具有高对比度,因此负型垂直配向的液晶分子可有效地增加对比度与视角并抑制色偏问题。本文中的实施例的显示介质30为垂直配向的负型液晶,但本发明不限于此。
    像素阵列层12位于第一基板10上,且像素阵列层12上方覆盖有显示介质30。像素阵列层12由多个像素结构100构成。为了清楚地说明本发明的实施例,图2A仅绘示出图1的显示面板2000的像素阵列层12的其中一个像素结构100,本领域技术人员应可以理解,图1的像素阵列层12实际上是由多个图2A所示的像素结构100组成的阵列形式所构成。
    在下文中,将详细地描述像素结构100。图2A所示的像素结构100包括扫描线SL、数据线DL、主动元件T、像素电极110、反向电极120、共用电极130、绝缘层140以及栅绝缘层(gate insulating layer)GI。
    扫描线SL与数据线DL的延伸方向不相同,较佳的是扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。此外,扫描线SL与数据线DL是位于不相同的膜层,且两者之间夹有绝缘层(未绘示)。扫描线SL与数据线DL主要用来传递驱动此像素结构100的驱动信号。扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然而,本发明不限于此。根据其他实施例,扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料例如是包括合金、金属材料的氧化物、金属材料的氮化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
    主动元件T与扫描线SL以及数据线DL电性连接。在此,主动元件T例如是薄膜晶体管,其包括栅极G、通道层CH、漏极D以及源极S。栅极G与扫描线SL电性连接,源极S与数据线DL电性连接?;谎灾?,当有控制信号输入扫描线SL时,扫描线SL与栅极G之间会电性导通;当有控制信号输入数据线DL时,数据线DL会与源极S电性导通。通道层CH位于栅极G的上方并且位于源极S与漏极D的下方。本实施例的主动元件T是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。在其他实施例中,主动元件T也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
    在主动元件T的栅极G上方更覆盖有栅绝缘层GI(如图2B所示的栅绝缘层GI),且有栅绝缘层GI使扫描线SL以及数据线DL电性隔离。栅绝缘层GI的材料例如是包括无机材料、有机材料或上述的组合。无机材料例如是包括氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)或上述至少二种材料的堆叠层。像素电极110与主动元件T电性连接。更详细地说,像素电极110可透过接触窗C与主动元件T的漏极D电性连接。像素电极110的材质例如是透明导电层,其包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物(indium-tin-oxide,ITO)、铟锌氧化物(indium zinc  oxide,IZO)、铝锡氧化物(aluminum tin oxide,ATO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide,AZO)、铟锗锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
    在本实施例中,像素电极110包括封闭框形部110a以及多个V形分支部110b。但本发明不限于此,像素电极110也可以是具有米字形图案的像素电极(未绘示)或是具有其他图案的像素电极。在本实施例中,如图2A所示,V形分支部110b的尖端在X方向与Y方向上彼此对向排列。V形分支部110b的末端与封闭框形部110a连接且不会突出于封闭框形部110a之外。在本实施例中,封闭框形部110a具有一对在X方向上对称设置的凹陷外侧边缘,但本发明不限于此。对向设置的两个相邻V形分支部110b彼此相连接以构成十字形图案。在本实施例中,多个V形分支部110b的宽度可不相同,例如宽度W1大于宽度W2。此外,相邻的两个V形分支部110b之间具有V形配向狭缝ST,且V形配向狭缝ST以尖端在X方向与Y方向上相对地排列在封闭框形部110a的内部。更明确地说,在本发明中,由于像素电极110具有V形分支部110b以及V形配向狭缝ST,因此可形成四个配向区域,使得显示介质30中的多个液晶分子分别沿着方向D1~D4倾倒。
    反向电极120与像素电极110电性绝缘,且如图2A所示,反向电极120对称于像素电极110设置。在本实施例中,反向电极120为在XY平面上具有四方型外框的图案化电极,但本发明不限于此。反向电极120的材质包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
    共用电极130与像素电极110电性绝缘,且共用电极130与反向电极120电性绝缘。更详细地说,共用电极130与像素电极110之间设置有绝缘层140。在本实施例中,如图2A所示,共用电极130被像素电极110覆盖,但本发明不限于此。共用电极130的材质包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。
    绝缘层140的材料例如是包括无机材料、有机材料或上述的组合。无机材料例如是包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层。
    在本实施例中,如图2B所示,反向电极120与共用电极130位于同一膜层, 且像素电极110与所述膜层之间配置有绝缘层140。更详细地说,反向电极120与像素电极110之间具有一间隙114,且共用电极130未延伸至所述间隙114内。在本发明中,并未具体限定反向电极120在像素结构100中所处的膜层。下文将参照附图详细地说明其他实施例的像素电极110、反向电极120以及共用电极130之间的相对配置。
    此外,当于驱动所述像素结构100时,反向电极120电压V2的绝对值大于像素电极110电压V1的绝对值。此外,在本实施例中,反向电极120的相位与像素电极110的相位实质上相差0度(同相),但其相位也可实质上相差180度(反相),只要反向电极120与像素电极110之间的电压差固定即可。当未对所述像素结构100施加驱动电压时,液晶分子呈垂直(如图2A中的Z方向)配向排列。而当对所述像素结构100施加驱动电压时,由于反向电极120电压V2的绝对值大于像素电极110电压V1的绝对值,因此液晶分子会由最靠近反向电极120的处(即像素电极110的封闭框形部110a)依序向像素结构100的中心倾倒,如图2A所绘示的液晶分子倾倒方向150。
    更具体而言,由于本发明的像素电极110具有像素电极110、反向电极120以及共用电极130三种电极,且反向电极电压V2的绝对值大于像素电极电压V1的绝对值,因此,在本发明中,液晶分子不仅会分别沿着XY平面上的多个方向D1~D4倾倒,更可使在每一配向区域中,V形分支部110b上方的液晶分子以及V形配向狭缝ST上方的液晶分子倾倒方向相同,且由最靠近反向电极120之处(即像素电极110的封闭框形部110a)依序向像素结构100的中心倾倒(沿着如图2A所绘示的液晶分子倾倒方向150依序倾倒)。因此,本发明的显示面板2000不仅具有增强的多域配向效果,且不易有黑纹现象与大视角下颜色偏白的问题。
    在上述实施例中,像素电极110、反向电极120以及共用电极130的相对配置如图2A以及图2B所示,然本发明不限于此。于下文将列举多个实施例以说明像素电极、反向电极以及共用电极的各种变化。
    图3A为依照本发明的第二实施例的像素结构的俯视示意图。图3B为图3A中沿线I-I’的剖面示意图。图3A与图3B的实施例与上述图2A与图2B的第一实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。如图3A所示,像素电极210包括封闭框形部210a以及多个V形分支部210b,且 像素电极210与像素电极110相似,因此不再赘述。此外,如图3B所示,反向电极220与共用电极230位于同一膜层,且像素电极210与所述膜层之间具有绝缘层240。本实施例与第一实施例的差异在于,共用电极230延伸至反向电极220与像素电极210之间的间隙214内。
    图4A为依照本发明的第三实施例的像素结构的俯视示意图。图4B为图4A中沿线I-I’的剖面示意图。图4A与图4B的实施例与上述图2A与图2B的第一实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本发明的第三实施例中,如图4A所示,像素电极310的封闭框形部310a具有一平整的外侧边缘,且其多个V形分支部310b的宽度彼此相同。在本实施例中,如图4B所示,像素电极310与反向电极320位于同一膜层,且共用电极330与所述膜层之间具有绝缘层340。更详细地说,在本实施例中,反向电极320的形状为环形且围绕在像素电极310的周围。此外,共用电极330的分布区域大于像素电极310与反向电极320的分布区域。亦即,像素电极310与共用电极330重叠,且反向电极320与共用电极330重叠。
    图5A为依照本发明的第四实施例的像素结构的俯视示意图。图5B为图5A中沿线I-I’的剖面示意图。图5A与图5B的实施例与上述图2A与图2B的第一实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本实施例中,其像素电极410、反向电极420与共用电极430的相对配置与图4B所示的配置相同,因此不再赘述。本实施例与第三实施例的差异在于像素电极410的图案。如图5A所示,像素电极410的封闭框形部410a具有在X方向与Y方向上对称的两对凹陷外侧边缘。除了形成十字型图案的V形分支部410b与形成X方向凹陷外侧边缘的V形分支部410b外,像素电极410由多个彼此宽度相同的V形分支部410b构成,且其V形分支部410b末端的宽度小于其尖端的宽度。
    图6A为依照本发明的第五实施例的像素结构的俯视示意图。图6B为图6A中沿线I-I’的剖面示意图。图6A与图6B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。同样地,如图6A所示,像素电极510包括封闭框形部510a以及多个V形分支部510b,所述像素电极510与像素电极410相似,因此不再赘述。此外,如图6B所示,像素电极510与反向电极520位于同一膜层,且共用电极530与所述膜层之间具有绝缘层540。本实施例与第四实施例的差异在于,共用电极530的分布区域小 于反向电极520的分布区域,但本发明不限于此,共用电极530的分布区域也可以等于反向电极520的分布区域?;谎灾?,像素电极510与共用电极530重叠,且反向电极520不与像素电极510重叠但可与共用电极530重叠。
    图7A为依照本发明的第六实施例的像素结构的俯视示意图。图7B为图7A中沿线I-I’的剖面示意图。图7A与图7B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。同样地,如图7A所示,像素电极610包括封闭框形部610a以及多个V形分支部610b,所述像素电极610与像素电极410相似,因此不再赘述。此外,如图7B所示,像素电极610与反向电极620位于同一膜层,且共用电极630与所述膜层之间具有绝缘层640。本实施例与第五实施例的差异在于,反向电极620与像素电极610之间具有一间隙614,且共用电极630未延伸至所述间隙614内。
    图8A为依照本发明的第七实施例的像素结构的俯视示意图。图8B为图8A中沿线I-I’的剖面示意图。图8A与图8B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。如图8A与图8B所示,反向电极720与像素电极710位于同一膜层,且共用电极730与所述膜层之间具有绝缘层740。类似地,像素电极710与共用电极730重叠,反向电极720不与像素电极710重叠且不与共用电极730重叠。本实施例与第六实施例的差异在于像素电极710的图案,在本实施例中,像素电极710的封闭框形部710a具有一对在X方向上对称的凹陷外侧边缘,且多个V形分支部710b的宽度彼此不相同,例如其宽度W1’大于宽度W2’。
    图9A为依照本发明的第八实施例的像素结构的俯视示意图。图9B为图9A中沿线I-I’的剖面示意图。图9A与图9B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本发明的第八实施例中,如图9A所示,封闭框形部810a具有平整的外侧边缘,且多个V形分支部810b的宽度彼此相同。在本实施例中,如图9B所示,反向电极820与共用电极830位于同一膜层,且像素电极810与所述膜层之间具有绝缘层840。在本实施例中,反向电极820的形状为环形且围绕在像素电极810的周围。此外,共用电极830的分布区域小于像素电极810的分布区域,但本发明不限于此,共用电极830的分布区域也可以等于像素电极810的分布区域?;谎灾?,像素电极810与共用电极830重叠,反向电极820不与像素电极810重叠且不与共 用电极830重叠。更详细地说,反向电极820与像素电极810之间具有一间隙814,且共用电极830未延伸至所述间隙814内。
    图10A为依照本发明的第九实施例的像素结构的俯视示意图。图10B为图10A中沿线I-I’的剖面示意图。图10A与图10B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本实施例中,如图10A所示,封闭框形部910a具有一平整的外侧边缘,且多个V形分支部910b的宽度彼此相同。在本实施例中,如图10B所示,反向电极920与共用电极930位于同一膜层,且像素电极910与所述膜层之间具有绝缘层940。在本实施例中,反向电极920的形状为长条状,并位于像素电极910的两侧设置。此外,共用电极930的分布区域小于像素电极910的分布区域,但本发明不限于此,共用电极930的分布区域也可以等于像素电极910的分布区域?;谎灾?,像素电极910与共用电极930重叠,反向电极920不与像素电极910重叠且不与共用电极930重叠。更详细地说,反向电极920与像素电极910之间具有一间隙914,且共用电极930未延伸至所述间隙914内。
    图11A为依照本发明的第十实施例的像素结构的俯视示意图。图11B为图11A中沿线I-I’的剖面示意图。图11A与图11B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本实施例中,如图11A所示,封闭框形部1010a具有一平整的外侧边缘。反向电极1020的形状为长条状,并对应于像素电极1010的中心处(亦即,V形分支部1010b的尖端处)设置。共用电极1030位于反向电极1020的两侧,且于反向电极1020的两侧与共用电极1030之间具有间隙1014。在本实施例中,如图11B所示,反向电极1020与共用电极1030位于同一膜层,且像素电极1010与所述膜层之间具有绝缘层1040。
    图12A为依照本发明的第十一实施例的像素结构的俯视示意图。图12B为图12A中沿线I-I’的剖面示意图。图12A与图12B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本实施例中,如图12A所示,封闭框形部1110a具有一平整的外侧边缘,且多个V形分支部1110b的宽度彼此相同。在本实施例中,如图12B所示,像素电极1110、反向电极1120以及共用电极1130三者位于不同膜层,各膜层之间具有绝缘层(如图12B中的绝缘层1140与绝缘层1142)。在本实施例 中,反向电极1120由导电层组成,举例而言,所述导电层为第二金属层M2(亦即,与源极S与漏极D同一膜层),且反向电极1120的形状为长条状,并对应于像素电极1110的中心处(亦即,V形分支部1110b的尖端处)设置。共用电极1130位于反向电极1120的两侧,并与反向电极1120的两侧部分重叠。
    图13A为依照本发明的第十二实施例的像素结构的俯视示意图。图13B为图13A中沿线I-I’与沿线II-II’的剖面示意图。图13A与图13B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本实施例中,如图13A所示,封闭框形部1210a具有一平整的外侧边缘,且多个V形分支部1210b的宽度彼此相同。在本实施例中,如图13B所示,反向电极1220可由多层导电层组成,举例而言,所述导电层为第一金属层M1(亦即,与栅极G同一膜层)以及第二金属层M2(亦即,与源极S与漏极D同一膜层)。在反向电极1220为由M1组成的下层反向电极1220a以及由M2组成的上层反向电极1220b的情况下,像素电极1210、下层反向电极1220a、上层反向电极1220b以及共用电极1230四者位于不同的膜层。下层反向电极1220a与上层反向电极1220b之间具有栅绝缘层GI,且上层反向电极1220b与共用电极1230以及共用电极1230与像素电极1210之间分别具有绝缘层1242与绝缘层1240。在本实施例中,下层反向电极1220a与上层反向电极1220b的形状为长条状,且分别在Y方向与X方向上对称于像素电极1210设置。下层反向电极1220a以及上层反向电极1220b与像素电极1210之间具有间隙1214,且共用电极1230未延伸至间隙1214内。亦即,像素电极1210与共用电极1230重叠,且下层反向电极1220a以及上层反向电极1220b不与像素电极1210重叠且不与共用电极1230重叠。
    图14A为依照本发明的第十三实施例的像素结构的俯视示意图。图14B为图14A中沿线I-I’的剖面示意图。图14A与图14B的实施例与上述图2A与图2B的实施例相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符号表示,且不再重复说明。在本发明的第十三实施例中,如图14A所示,像素电极1310包括封闭框形部1310a以及多个V形分支部1310b,所述像素电极1310与像素电极810相似,因此不再赘述。在本实施例中,如图14B所示,反向电极1320与共用电极1330位于同一膜层,且像素电极1310与所述膜层之间具有绝缘层1340。在本实施例中,反向电极1320的形状为环形且围绕在像素电极1310的周围。此外,像素电 极1310的分布区域大于共用电极1330的分布区域?;谎灾?,像素电极1310与共用电极1330重叠且与反向电极1320重叠。更详细地说,反向电极1320与共用电极1330之间具有一间隙1314,且像素电极1310与所述间隙1314重叠。
    图14A与图14B为依照本发明的一些实施例的显示面板的光穿透率(transmittance)相对于灰阶(gray level)的迦玛曲线(gamma curve)图。X轴表示灰阶,Y轴为光穿透率,曲线STD表示标准伽玛曲线(standard gamma curve,例如伽玛2.2)。请同时参照图14A与图5A至图7A,曲线A、曲线B与曲线C分别表示依照本发明第四实施例、第五实施例与第六实施例的显示面板的伽玛曲线。这些实施例唯一的差异在于共用电极的分布区域。在第四实施例中(如图5A所示),共用电极430的分布区域大于像素电极410与反向电极420的分布区域;在第五实施例中(如图6A所示),共用电极530的分布区域大于像素电极510的分布区域且小于反向电极520的分布区域;在第六实施例中(如图7A所示),共用电极630的分布区域小于像素电极610与反向电极620的分布区域。类似地,请同时参照图14B与图2A至图3A,曲线D与曲线E分别表示依照本发明第一实施例与第二实施例的显示面板的伽玛曲线。在第一实施例中(如图2A所示),共用电极130的分布区域小于像素电极110与反向电极120的分布区域;在第二实施例中(如图3A所示),共用电极230的分布区域大于像素电极210的分布区域且小于反向电极220的分布区域。由图14A与图14B可看出,共用电极的分布并不会对伽玛曲线造成影响,换言之,可以视需要选择合适的共用电极的分布区域来设计本发明的显示面板。
    综上所述,在本发明的显示面板2000中,具有包括像素电极、共用电极以及反向电极三种电极的像素结构。反向电极与像素电极以及共用电极电性绝缘,且反向电极对称于像素电极设置。此外,反向电极电压V2的绝对值大于像素电极电压V1的绝对值。因此,可确保在像素电极V形分支部上方的液晶分子以及在V形配向狭缝上方的液晶分子的倾倒方向相同,且其沿着液晶分子倾倒方向150依序倾倒,进而可使显示面板2000不易产生黑纹现象。更详细地说,在本发明中,液晶分子不仅会分别沿着XY平面上的多个方向D1~D4倾倒,且在每一配向区域中,在V形分支部上方的液晶分子以及在V形配向狭缝ST上方的液晶分子倾倒方向相同,因此,可增强多域配向的效果,进而改善大视角下颜色偏白的问题,以提高显示面板2000的显示品质。
    虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的?;し段У币匀ɡ笫槲?。

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