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    重庆时时彩千岛: 显示装置以及电子设备.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310526469.4

    申请日:

    2013.10.30

    公开号:

    CN103794511A

    公开日:

    2014.05.14

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20131030|||公开
    IPC分类号: H01L21/336; H01L29/786; H01L21/28; G02F1/1368 主分类号: H01L21/336
    申请人: 株式会社半导体能源研究所; 夏普株式会社
    发明人: 肥塚纯一; 岛行德; 保坂泰靖; 冈崎健一; 松尾拓哉; 森重恭; 神崎庸辅; 松木园广志
    地址: 日本神奈川县厚木市
    优先权: 2012.10.30 JP 2012-238918
    专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;汤春龙
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310526469.4

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.08.03|||2015.11.04|||2014.05.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124;设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜;以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种显示装置,包括:
    像素部,该像素部包括:
    像素晶体管;
    包括无机材料且覆盖所述像素晶体管的第一绝缘膜;
    所述第一绝缘膜上的包括有机材料的第二绝缘膜;以及
    所述第二绝缘膜上的包括无机材料的第三绝缘膜;以及
    所述像素部的外部的驱动电路部,该驱动电路部包括:
    对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管;
    覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜;以及
    所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜,
    其中,所述驱动电路部包括所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝缘膜上的第一区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的第二区域。

    2.  根据权利要求1所述的显示装置,
    所述驱动电路部包括:
    所述第二绝缘膜上的所述第三绝缘膜;以及
    所述第三绝缘膜中的开口部,
    其中所述第一区域或所述第二区域位于所述开口部之下。

    3.  根据权利要求2所述的显示装置,其中在所述驱动电路部中,所述开口部形成在所述驱动晶体管上。

    4.  根据权利要求1所述的显示装置,包括所述驱动电路部的外部的非显示区域,
    所述非显示区域包括:
    所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜,以及
    所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝缘膜上的第三区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的第四区域。

    5.  根据权利要求1所述的显示装置,
    所述驱动电路部包括:
    所述第二绝缘膜上的覆盖所述驱动晶体管的所述第三绝缘膜;以及
    所述第三绝缘膜中的开口部,
    其中所述开口部的端部位于离所述驱动晶体管的沟道形成区域的中心200μm以内的范围。

    6.  根据权利要求1所述的显示装置,
    所述驱动电路部包括:
    所述第二绝缘膜上的覆盖所述驱动晶体管的所述第三绝缘膜;以及
    位于离所述驱动晶体管的沟道形成区域的中心200μm以内的范围的所述第三绝缘膜的端部。

    7.  根据权利要求1所述的显示装置,其中所述像素晶体管和所述驱动晶体管的沟道都形成在氧化物半导体层中。

    8.  根据权利要求1所述的显示装置,其中所述像素晶体管和所述驱动晶体管都包括栅电极、所述栅电极上的氧化物半导体层以及所述氧化物半导体层上的源电极及漏电极。

    9.  根据权利要求7所述的显示装置,其中所述氧化物半导体层包含选自由氧化铟、氧化锡和氧化锌构成的组中的至少一种氧化物。

    10.  根据权利要求7所述的显示装置,其中所述氧化物半导体层是In-Ga-Zn类氧化物半导体层。

    11.  根据权利要求7所述的显示装置,其中所述氧化物半导体层包括结晶部,并且所述结晶部的c轴平行于形成有所述氧化物半导体层的表面的法线向量。

    12.  根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一绝缘膜是包含氧和氮中的至少一个的硅膜。

    13.  根据权利要求12所述的显示装置,其中所述第一绝缘膜具有氧化硅膜和氮化硅膜的叠层结构。

    14.  根据权利要求12所述的显示装置,其中所述第一绝缘膜具有 氧氮化硅膜和氮化硅膜的叠层结构。

    15.  根据权利要求14所述的显示装置,其中所述氮化硅膜覆盖产生在所述氧氮化硅膜中的空洞。

    16.  根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二绝缘膜是丙烯酸类树脂材料。

    17.  根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三绝缘膜是包含氮的硅膜。

    18.  一种显示装置,包括:
    像素部,包括:
    像素晶体管;
    包括包含氧的硅膜的第一绝缘膜,该第一绝缘膜覆盖所述像素晶体管;
    所述第一绝缘膜上的包括丙烯酸类树脂材料的第二绝缘膜;以及
    所述第二绝缘膜上的包括包含氮的硅膜的第三绝缘膜;以及
    所述像素部的外部的驱动电路部,该驱动电路部包括:
    对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管;
    覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜;以及
    所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜,
    其中,所述驱动电路部包括所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝缘膜上的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

    19.  根据权利要求1所述的显示装置,
    所述像素部包括:
    所述第二绝缘膜上的第一电极;
    所述第一电极上的所述第三绝缘膜;以及
    所述第三绝缘膜上的第二电极。

    20.  根据权利要求18所述的显示装置,
    所述像素部包括:
    所述第二绝缘膜上的第一电极;
    所述第一电极上的所述第三绝缘膜;以及
    所述第三绝缘膜上的第二电极。

    21.  一种包括根据权利要求1所述的显示装置的电子设备。

    22.  一种包括根据权利要求18所述的显示装置的电子设备。

    关 键 词:
    显示装置 以及 电子设备
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