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    重庆时时彩后一教程: SION波导与光纤耦合结构及其制作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201910014594

    申请日:

    20190114

    公开号:

    CN109445032A

    公开日:

    20190308

    当前法律状态:

    实质审查的生效

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效
    IPC分类号: G02B6/26;G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132 主分类号: G02B6/26;G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132
    申请人: 科新网通科技有限公司
    发明人: 袁晓君;耿凯鸽
    地址: 471000 河南省洛阳市伊滨区科技大厦A座6007室
    优先权:
    专利代理机构: 11471 代理人: 葛钟
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201910014594

    授权公告号:

    法律状态公告日:

    20190402

    法律状态类型:

    实质审查的生效

    摘要

    本发明提供了一种SiON波导与光纤耦合结构,包括SiON波导,为输入波导;二氧化硅波导,包覆于SiON波导的外侧;锥形SiON波导,被包覆于二氧化硅波导内侧,且处于SiON波导水平面的下方,且横截面尺寸小于SiON波导的横截面尺寸,横截面尺寸沿着光传输的方向渐扩;SiON输出波导,与锥形SiON波导连接。以及制作SiON波导与光纤耦合结构的方法。本发明在SiON波导上包覆一层SiO2,使这个结构与空气隔开并起到?;ぷ饔?,SiON波导与锥形SiON波导的折射率不同,SiON波导能够与光纤匹配,锥形SiON波导又能够做到小尺寸,通过该种耦合结构,可以把器件做小,且减小了能耗。

    权利要求书

    1.一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,包括: SiON波导,为输入波导; 二氧化硅波导,包覆于所述SiON波导的外侧; 锥形SiON波导,被包覆于所述二氧化硅波导内侧,且处于所述SiON波导水平面的下方,且横截面尺寸小于所述SiON波导的横截面尺寸,横截面尺寸沿着光传输的方向渐扩; SiON输出波导,与所述锥形SiON波导连接。 2.根据权利要求1所述的一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,所述SiON波导位于所述二氧化硅波导的对称轴所在位置。 3.根据权利要求1所述的一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,所述锥形SiON波导位于所述二氧化硅波导的对称轴所在位置。 4.根据权利要求1所述的一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,所述二氧化硅波导的横截面为长方形结构,由埋氧层和二氧化硅覆盖层共同组成,其中,埋氧层的厚度与二氧化硅覆盖层的厚度相等。 5.根据权利要求1所述的一种SiON波导与光纤耦合结构,其特征在于,还包括衬底,所述衬底为SOI基片的部分硅衬底,该SOI基片的顶层材料为亚微米厚度的硅,埋氧层的材料为二氧化硅,背衬底的材料为纯净的硅材料。 6.一种SiON波导与光纤耦合结构的制作方法,包括以下步骤: S1:经过RCA工艺,处理干净SOI晶圆; S3:用Raith150电子束曝光机,并经过显影定影,制作出锥形结构、波导结构以及普通光刻套刻所要用到的对准标记的掩膜图形; S4:利用ICP刻蚀技术,将掩膜图形转移到SOI晶圆上,shallow2LR3刻蚀条件下,刻蚀10s~60s; S6:用PECVD覆盖一层SiON覆盖层; S7:将光刻胶旋涂在有SiON覆盖层的SOI晶圆上; S8:利用紫外光刻,套刻出SiON波导的的掩膜结构; S9:ICP刻蚀出SiON波导结构; S11:用PECVD在制作完SiON波导结构的SOI晶圆上,再覆盖一层SiO2?;げ?。 7.根据权利要求6所述的制作方法,其中:步骤S1与步骤S3之间还包括步骤S2,所述步骤S2为将PMMA光刻胶旋涂在SOI晶圆上。 8.根据权利要求6所述的制作方法,其中:步骤S4与步骤S6之间还包括步骤S5,所述步骤S5为利用等离子体打胶机去掉残胶,RCA清洗处理干净SOI晶圆。 9.根据权利要求6所述的制作方法,其中:步骤S9与步骤S11之间还包括步骤S10,所述步骤S10为利用等离子体打胶机去掉残胶,RCA清洗处理干净SOI晶圆。 10.根据权利要求6所述的制作方法,其中:步骤S11之后还包括步骤S12,所述步骤S12为划片,将反向锥形模斑变换器的输入端面露出。

    关 键 词:
    SION 波导 光纤 耦合 结构 及其 制作方法
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