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    网易重庆时时彩走势图: 一种阵列基板及其制备方法、显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410069289.2

    申请日:

    2014.02.27

    公开号:

    CN103838047A

    公开日:

    2014.06.04

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1362申请日:20140227|||公开
    IPC分类号: G02F1/1362; H01L21/77; H01L27/12 主分类号: G02F1/1362
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 曹占锋; 丁录科; 李正亮; 张峰; 孔祥春; 姚琪
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410069289.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.01.25|||2014.07.02|||2014.06.04

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可以解决数据线发生断路后数据信号无法导通的问题,提高了阵列基板的良品率。该制备方法包括在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线;在形成有所述修复导线的基板上形成包括源极、漏极、以及与所述源极电连接的数据线的源漏金属层;所述数据线沿所述第一方向平行排布;其中,任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应,且直接接触。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制造。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
    在衬底基板上形成沿第一方向平行排布的多根修复导线;
    在形成有所述修复导线的基板上形成包括源极、漏极、以及与所述源极电连接的数据线的源漏金属层;所述数据线沿所述第一方向平行排布;
    其中,任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应,且直接接触。

    2.  根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述形成沿第一方向平行排布的多根修复导线,包括;
    采用一次构图工艺形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层;
    其中,所述源极和所述漏极与所述金属氧化物半导体有源层直接接触。

    3.  根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述采用一次构图工艺形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层,具体包括:
    形成呈半导体特性的金属氧化物薄膜,并在所述金属氧化物薄膜之上形成光刻胶层;
    采用半色调掩模板或灰色调掩模板对形成有所述光刻胶层的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应待形成的所述金属氧化物半导体有源层的区域,所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述修复导线的区域,所述光刻胶完全去除部分对应其他区域;
    采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分露出的所述金属氧化物薄膜,形成所述金属氧化物半导体有源层和金属氧化物半导体保留图案;
    采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶,露出所述金属氧化物半导体保留图案;
    对露出的所述金属氧化物半导体保留图案进行金属化处理,使所述金属氧化物半导体保留图案转化为呈导体特性的所述修复导线;
    采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。

    4.  根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述金属化处理包括等离子体处理、或离子注入。

    5.  根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在形成所述修复导线、与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层之后,形成包括所述源极、所述漏极、以及与所述源极电连接的所述数据线的源漏金属层之前,所述方法还包括:形成刻蚀阻挡层;
    其中,所述刻蚀阻挡层包括第一刻蚀阻挡图案,所述第一刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极之间的间隙对应,且所述第一刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极、以及所述金属氧化物半导体有源层均直接接触。

    6.  根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述刻蚀阻挡层还包括第二刻蚀阻挡图案;
    其中,所述第二刻蚀阻挡图案与所述修复导线直接接触,且沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述第二刻蚀阻挡图案露出所述修复导线的一部分,所述数据线与未被所述第二刻蚀阻挡图案覆盖的所述修复导线直接接触。

    7.  根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在衬底基板上形成所述修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层,包括:
    在所述衬底基板的表面形成包括栅极、栅线的栅金属层;
    在形成有包括所述栅极、所述栅线的栅金属层的基板上形成栅绝缘层;
    在形成有所述栅绝缘层的基板上形成修复导线、以及与所述修复导线同层的金属氧化物半导体有源层。

    8.  根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
    在形成有包括所述源极、所述漏极、以及与所述源极电连接的所述数据线的源漏金属层的基板上依次形成栅绝缘层、以及包括栅极、栅线的栅金属层。

    9.  一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的源极电连接的沿第一方向平行排布数据线;
    所述阵列基板还包括位于所述数据线下方的沿所述第一方向平行排布的多根修复导线;
    其中,任一根所述修复导线与一根所述数据线垂直对应,且直接 接触。

    10.  根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层为金属氧化物半导体有源层;
    所述修复导线与所述薄膜晶体管的金属氧化物半导体有源层同层设置;
    其中,所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述金属氧化物半导体有源层直接接触。

    11.  根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述修复导线为对与所述金属氧化物半导体有源层同层的金属氧化物半导体保留图案进行金属化处理后得到的呈导体特性的所述修复导线。

    12.  根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:位于包括所述修复导线、以及与所述修复导线同层的所述金属氧化物半导体有源层的图案层之上的刻蚀阻挡层;
    其中,所述刻蚀阻挡层包括第一刻蚀阻挡图案,所述第一刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极之间的间隙对应,且所述第一刻蚀阻挡图案与所述源极和所述漏极、所述金属氧化物半导体有源层均直接接触。

    13.  根据权利要求12所述的阵列基板,其特征在于,所述刻蚀阻挡层还包括第二刻蚀阻挡图案;
    其中,所述第二刻蚀阻挡图案与所述修复导线直接接触,且沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述第二刻蚀阻挡图案露出所述修复导线的一部分,所述数据线与未被所述第二刻蚀阻挡图案覆盖的所述修复导线直接接触。

    14.  一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9至13任一项所述的阵列基板。

    关 键 词:
    一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
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