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    重庆时时彩号码走势: 一种加速DRAM灵敏放大器的方法.pdf

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    一种 加速 DRAM 灵敏 放大器 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201410127117.6

    申请日:

    2014.03.31

    公开号:

    CN103971728A

    公开日:

    2014.08.06

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):G11C 11/407变更事项:申请人变更前:西安华芯半导体有限公司变更后:西安紫光国芯半导体有限公司变更事项:地址变更前:710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层变更后:710075 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/407申请日:20140331|||公开
    IPC分类号: G11C11/407 主分类号: G11C11/407
    申请人: 西安华芯半导体有限公司
    发明人: 亚历山大; 段会福; 俞冰
    地址: 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层
    优先权:
    专利代理机构: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 王萌
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410127117.6

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2017.02.08|||2016.10.12|||2014.09.03|||2014.08.06

    法律状态类型:

    授权|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种加速DRAM灵敏放大器的方法,包括以下步骤:第一NMOS管的栅极信号SANT升高打开第一NMOS管,第一NMOS管的漏极信号NCS被拉低到地电压,参考位线bl_n开始被往地电压拉;然后,第二NMOS管的栅极信号SAP1T升高使第二NMOS管导通,使第二NMOS管的源极信号PCS被拉高至高电压VOD,位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH,然后第二NMOS管的栅极信号SAP1T变为低电平;然后,第三NMOS管的栅极信号SAP2T升高使第三NMOS管导通,第三NMOS管的源极信号PCS被拉至电压VBLH,位线bl慢慢降低至VBLH电压。本发明保证了DRAM存储单元的可靠性。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种加速DRAM灵敏放大器的方法,其特征在于,包括以下步骤:
    第一NMOS管(NMOS1)的栅极信号SANT升高打开第一NMOS管(NMOS1),第一NMOS管(NMOS1)的漏极信号NCS被拉低到地电压,参考位线bl_n开始被往地电压拉;
    然后,第二NMOS管(NMOS3)的栅极信号SAP1T升高使第二NMOS管(NMOS3)导通,使第二NMOS管(NMOS3)的源极信号PCS被拉高至高电压VOD,位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH,然后第二NMOS管(NMOS3)的栅极信号SAP1T变为低电平;
    然后,第三NMOS管(NMOS2)的栅极信号SAP2T升高使第三NMOS管(NMOS2)导通,第三NMOS管(NMOS2)的源极信号PCS被拉至电压VBLH,位线bl慢慢降低至VBLH电压。

    2.  根据权利要求1所述的一种加速DRAM灵敏放大器的方法,其特征在于,电压VOD大于电压VBLH。

    3.  根据权利要求1所述的一种加速DRAM灵敏放大器的方法,其特征在于,第二NMOS管(NMOS3)的漏极连接电压VOD,第三NMOS管(NMOS2)的漏极连接电压VBLH;第二NMOS管(NMOS3)的源极连接第三NMOS管(NMOS2)的源极。

    4.  根据权利要求1所述的一种加速DRAM灵敏放大器的方法,其特征在于,DRAM在自刷新时,第二NMOS管(NMOS3)的栅极信号SAP1T始终为地电平。

    说明书

    说明书一种加速DRAM灵敏放大器的方法
    【技术领域】
    本发明涉及存储器技术领域,特别涉及一种加速DRAM灵敏放大器的方法。
    【背景技术】
    在传统的DRAM中,灵敏放大器的工作机理如下:
    位线bl与参考位线bl_n的电压差达到一定值后,信号sant打开NMOS1,这样信号ncs被拉低到地电压,参考位线bl_n开始被往低电压拉,然后,信号sapt打开NMOS2,这样信号pcs被拉高到vblh,位线bl开始被高电压拉。最终,位线bl被拉高到高电压vblh,参考位线bl_n被拉低到地电压,这样就完成了灵敏放大器对位线的全摆幅放大。高电压Vblh的高低决定了灵敏放大器的放大速度,但是vblh太高又会影响DRAM存储单元的可靠性。
    【发明内容】
    本发明的目的在于提供一种加速DRAM灵敏放大器的方法,加速DRAM灵敏放大器放大速度的同时,保障了DRAM存储单元的可靠性。
    为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
    一种加速DRAM灵敏放大器的方法,包括以下步骤:
    第一NMOS管的栅极信号SANT升高打开第一NMOS管,第一NMOS管的漏极信号NCS被拉低到地电压,参考位线bl_n开始被往地电压拉;
    然后,第二NMOS管的栅极信号SAP1T升高使第二NMOS管导通,使第二NMOS管的源极信号PCS被拉高至高电压VOD,位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH,然后第二NMOS管的栅极信号SAP1T变为低电平;
    然后,第三NMOS管的栅极信号SAP2T升高使第三NMOS管导通,第三NMOS管的 源极信号PCS被拉至电压VBLH,位线bl慢慢降低至VBLH电压。
    本发明进一步的改进在于:电压VOD大于电压VBLH。
    本发明进一步的改进在于:第二NMOS管的漏极连接电压VOD,第三NMOS管的漏极连接电压VBLH;第二NMOS管的源极连接第三NMOS管的源极。
    本发明进一步的改进在于:DRAM在自刷新时,第二NMOS管的栅极信号SAP1T始终为地电平。
    为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本发明一种加速DRAM灵敏放大器的方法,通过一个NMOS管引入大于DRAM灵敏放大器驱动电压的高电压VOD,加速DRAM灵敏放大器的放大速度,同时位线电压最终还是维持在VBLH电压,所以也保证了DRAM存储单元的可靠性。
    【附图说明】
    图1为现有DRAM灵敏放大器的工作时序图;
    图2为现有DRAM灵敏放大器的电路图;
    图3为本发明DRAM灵敏放大器的工作时序图;
    图4为本发明DRAM灵敏放大器的工作时序图;
    图5为本发明DRAM灵敏放大器省电时的工作时序图。
    【具体实施方式】
    请参阅图3和图4所示,为了改善tRCD(也就是加快灵敏放大器的放大速度),本发明一种加速DRAM灵敏放大器的方法,包括以下步骤:
    NMOS1的栅极信号SANT升高打开NMOS1,这样NMOS1的漏极信号NCS被拉低到地电压,参考位线bl_n开始被往地电压拉;
    然后,NMOS3的栅极信号SAP1T升高至高电平,使NMOS3导通,NMOS3的源极信号 PCS被拉高至vod,位线bl电压被快速拉高至高于电压VBLH,然后NMOS3的栅极信号SAP1T变为低电平;NMOS2的栅极信号SAP2T变为高电平,使NMOS2导通,NMOS2的源极信号PCS被拉至电压VBLH,位线bl慢慢降低至VBLH电压。
    这种方法提高了灵敏放大器的放大速度,同时位线电压最终还是维持在VBLH电压,所以也保证了DRAM存储单元的可靠性。
    请参阅图4所示,DRAM在自刷新时,时序要求非常低,所以灵敏放大器不需要如此快的工作,把VOD的控制去掉,相比于加速DRAM灵敏放大器的方法会达到省电的目的。所以在自刷新时,SAP1T始终为地电平,SAP2T跟SANT一起变为高电平,这样PCS就只处在VBLH电平,位线最终会被拉高到VBLH,不存在用VOD加速灵敏放大器的过程,从而达到了省电的目的。

    关于本文
    本文标题:一种加速DRAM灵敏放大器的方法.pdf
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