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    重庆时时彩五星公式: 用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备.pdf

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    用于 检测 晶片 斜面 污染物 XRF 测量 设备
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    摘要
    申请专利号:

    CN201410058293.9

    申请日:

    2014.01.29

    公开号:

    CN103969276A

    公开日:

    2014.08.06

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 23/223申请日:20140129|||公开
    IPC分类号: G01N23/223 主分类号: G01N23/223
    申请人: 布鲁克AXS有限公司
    发明人: A·维格里安泰
    地址: 德国卡尔斯鲁厄
    优先权: 2013.01.30 EP 13153344.0
    专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 宋岩
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410058293.9

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2016.03.09|||2014.08.06

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    公开了用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备。XRF(x射线荧光)测量设备(1)包括:x射线源(2),用于产生x射线(4),x射线光学元件(3),用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5),样品(5),和EDS(能量色散谱)检测器(7),用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14),其特征在于,样品(5)是晶片(6),特别是硅晶片,其中,x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上,并且x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×107计数/秒平方毫米的亮度,优选地具有至少是1×108计数/秒平方毫米的亮度。本发明允许改进对晶片的污染物控制,特别是硅晶片。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种XRF(x射线荧光)测量设备(1),包括
    x射线源(2),用于产生x射线(4),
    x射线光学元件(3),用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5),
    样品(5),和
    EDS(能量色散谱)检测器(7),用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14),
    所述测量设备(1)的特征在于,
    样品(5)是晶片(6),特别是硅晶片,其中,x射线光学元件(3)被定位为将x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上,并且
    x射线源(2)加上x射线光学元件(3)具有至少是5×107计数/秒平方毫米的亮度,优选地具有至少是1×108计数/秒平方毫米的亮度。

    2.  根据权利要求1所述的设备(1),其特征在于,x射线光学元件(3)和晶片(6)被定位为使得x射线(4)以介于0.05°和6°之间的角度(α)在斜面(12)处击中晶片(6)的表面。

    3.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,x射线光学元件(3)和晶片(6)被定位为使得被引导至样品(5)的x射线(4)基本上在与晶片(6)的平面(19)平行的平面(xz)中传播。

    4.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,晶片(6)被取向为使晶片(6)的平面(19)的面法线(SN)水平地取向。

    5.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,被引导至样品(5)的x射线(4)在基本上水平的方向(x)上传播。

    6.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,x射线源(2)具有金属喷射物(8)靶类型。

    7.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,x射线光学元件(3)包括Montel反射镜或反射镜或双曲多层反射镜。

    8.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,晶片(6)的斜面(12)位于x射线光学元件(3)的焦点处。

    9.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,在样品(5) 的表面处的一位置处,被引导至样品(5)的x射线(4)的宽度与晶片(6)的宽度(w)相匹配。

    10.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1),其特征在于,设备(1)进一步包括辅助x射线光学元件(21)和切换装置,该辅助x射线光学元件(21)用于将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至样品(5),该切换装置用于在第一操作模式和第二操作模式之间切换所述设备,
    其中,在第一操作模式中,x射线光学元件(3)被定位为将来自x射线源(2)的x射线(4)引导至晶片(6)的斜面(12)上,并且
    其中,在第二操作模式中,辅助x射线光学元件(21)被定位为将来自x射线源(2)的x射线引导至晶片(6)的平面(19)上。

    11.  根据权利要求10所述的设备(1),其特征在于,切换装置包括第一移动台(20),该第一移动台(20)用于在x射线(4)的路径中用辅助x射线光学元件(21)替换x射线光学元件(3)。

    12.  根据权利要求10或11所述的设备(1),其特征在于,切换装置包括第二移动台(15),该第二移动台(15)用于使晶片(6)相对于x射线(4)的路径绕轴旋转和/或平移。

    13.  根据权利要求1至9中任一项所述的设备(1),
    其特征在于,设备(1)进一步包括
    另一EDS检测器(26),用于检测来自样品(5)的荧光x射线(14),和
    处理台(25),用于使晶片(6)相对于被引导至样品(5)的x射线(4)的路径、在与被引导至样品(5)的x射线(4)垂直的两个独立方向(z,y)上平移,所述两个独立方向(z,y)特别地是正交的,并且用于使晶片(6)相对于与晶片(6)的平面(19)垂直的旋转轴(18)旋转,
    特别地,其中,EDS检测器(7)和另一EDS检测器(26)以相对于被引导至样品(5)的x射线(4)基本上直角的角度并且以相对于彼此基本上直角的角度来观察样品(5)。

    14.  根据在前权利要求中任一项所述的设备(1)的用途,用于通过XRF检测晶片(6)的斜面(12)上的污染物,所述晶片(6)特别地是硅晶片,
    特别地,其中,将镓L线用于x射线源(2)中的x射线产生。

    15.  一种用于检查晶片(6)的斜面(12)的表面的方法,所述晶片(6) 特别地是硅晶片,其中,x射线束被引导至晶片(6)的斜面(12)上,且由晶片(6)发射的荧光x射线(14)被EDS检测。

    说明书

    说明书用于检测晶片的斜面上的污染物的XRF测量设备
    本发明涉及一种XRF(x射线荧光)测量设备,包括
    用于产生x射线的x射线源,
    用于将来自x射线源的x射线引导至样品的x射线光学元件,
    样品(sample),和
    用于检测来自样品的荧光x射线的EDS(能量色散谱(energy dispersivespectroscopy))检测器。
    这样的XRF测量设备根据US5,778,039A是已知的。
    晶片(wafer),尤其是硅晶片,是半导体电子产品中的基本元件。这些半导体电子产品基于pn跃迁,尤其是在二极管和晶体管中。通过谨慎地控制基础材料(如硅)的化学成分来生产p型和n型半导体材料。更具体地说,价电子数目不同于基础材料的杂质材料被专门添加到基础材料中。
    然而,污染物(contamination)可能与杂质材料类似地起作用,进而以意想不到的方式改变半导体材料的特性。因此,半导体产品在清洁的室内条件下执行,并且污染物水平被严密监视。
    对硅晶片而言,已提出通过TXRF(全反射x射线荧光)谱来检查晶片的平面表面。在TXRF中,通常是单色的x射线被引导至样品表面,并且产生自样品材料的耗尽的深电子壳层的回填的特征x射线被检测。与单独的样品材料相比,样品表面的污染物导致在更多波长处的x射线峰值。XRF谱可被定量评估,以确定污染物的量。如果需要,则可用x射线束完整地扫描平面表面(“晶片映射”)。
    在生产过程期间,晶片在许多情形下不得不被传送。出于此目的,通常钳子作用在晶片的斜面(bevel)上;斜面有时也被称作“夹紧边缘”。因此,晶片的平面表面的污染物将被避免。
    然而,例如通过表面扩散,斜面的污染物随后可被传递到平的表面上,特别是在升高的温度处。因此,斜面污染物也应被避免,因此,出于此目的,斜面污染物应该被监视。
    为了监视斜面污染物,能够用接收载体(如棉签)来擦拭晶片的边缘,并且例如用ICP-MS(电感耦合等离子体质谱)来分析接收载体。然而,这是个复杂且耗时的过程,并且接收载体本身可能污染晶片。
    发明目的
    本发明的目的在于使得能够改进对晶片(特别是硅晶片)的污染物控制。
    发明简短描述
    根据本发明,这个目的通过开篇介绍的XRF测量设备实现,XRF测量设备的特征在于:样品是晶片,特别是硅晶片,其中,x射线光学元件被定位为将x射线引导至晶片的斜面上,并且x射线源加上x射线光学元件具有至少是5×107计数/秒平方毫米(count/sec mm2)的亮度(brilliance),优选地具有至少是1×108计数/秒平方毫米的亮度。
    本发明提出在晶片(如硅晶片)的斜面(边缘)上使用XRF,并且提出相应地将x射线引导至斜面。优选地,当斜面被分析时,(主要的)x射线只击中(hit)晶片的斜面,而不击中晶片的平面表面。比外,本发明提出应用具有高亮度的x射线源(特别是微源类型)。这确保从可能的污染物实现足够的信号电平,因此污染物能被可靠地检测。XRF测量能被立即(没有延迟地)评估,以例如将接收载体传送到质谱。本发明的方法是非破坏生的,并且也不太可能产生新的污染物。
    注意,根据本发明,作为样品使用的典型晶片基本上是圆盘状,通常沿割线具有切除部分。一般地,晶片的平面的表面积至少为10cm2,通常是100cm2或更大,厚度为750μm或更小,通常为375μm或更小。典型的晶片材料是硅或锗,然而其它材料如氧化铝或钢也可以。
    本发明的优选实施例
    在本发明设备的优选实施例中,x射线光学元件和晶片被定位为使得x射线以介于0.05°和6°之间的角度在斜面处击中晶片的表面。与更接近于垂直取向的主入射光束相比,这种布局产生来自污染物的更大信号电平。更多污染物材料可被同时照亮,并且全反射可在晶片表面处发生,这保持来自晶片材料的信号 低。
    同样优选的是如下实施例,其中,x射线光学元件和晶片被定位为使得被引导至样品的x射线基本上在与晶片的平面平行的平面中传播。与更接近于垂直取向的主入射光束相比,这种布局也产生来自污染物的更大信号电平(对于典型的晶片设计,使用基本上正切的x射线束)。再一次地,更多污染物材料可被同时照亮。
    进一步优选的是如下实施例,其中,晶片被取向为使晶片的平面的面法线水平地取向。这节省了空间,并且在一些情况下可允许通过水平地移动一行晶片来快速改变所检查的晶片。
    同样优选的是如下实施例,其中,被引导至样品的x射线在基本上水平的方向上传播。在实践中,这提供了对设备和样品的良好访问。
    在有益的实施例中,x射线源具有金属喷射物靶类型。金属喷射物靶类型x射线源允许特别高的亮度。靶材料中的热容易消散;此外,根据喷射物的直径,被电子束击中的靶面积可被选择为较小。注意,根据本发明,100μm或更小的源斑直径(符合微源的要求)是优选的。
    在优选的实施例中,x射线光学元件包括Montel反射镜或反射镜或双曲多层反射镜。这些部件在聚焦或校准x射线束方面显示出高效性。特别是,根据本发明,可使用具有相对于入射x射线的径向和纵向方向二者弯曲的单个反射面的多层反射镜(参见US7,248,670B2)(称作双曲多层反射镜)。注意,x射线光学元件可替代地或附加地包括更多部件,如毛细管光学元件或光圈。
    特别优选的是如下实施例,其中,晶片的斜面位于x射线光学元件的焦点处。然后,主要x射线的通量可被有效用于晶片斜面的XRF分析,并且来自远离斜面的区域的影响可被排除或至少最小化??商娲?,可使用平行x射线束。另外,可替代地或附加地,紧邻斜面的区域可被遮蔽,如使用掩?;蚬馊?。
    有益的是另一如下实施例,其中,在样品的表面处的一位置处,被引导至样品的x射线的宽度与晶片的宽度相匹配。这确保在晶片的单次旋转中基本上所有的污染物可被检测,并且来自远离斜面的区域的影响可被排除。此外,主要x射线能被有效使用。注意,晶片通常具有750μm或更小的厚度,如450μm或375μm。
    特别优选的是如下实施例,其提供进一步包括辅助x射线光学元件和切换 装置的设备,该辅助x射线光学元件用于将来自x射线源的x射线引导至样品,该切换装置用于在第一操作模式和第二操作模式之间切换所述设备,其中,在第一操作模式中,x射线光学元件被定位为将来自x射线源的x射线引导至晶片的斜面上,并且其中,在第二操作模式中,辅助x射线光学元件被定位为将来自x射线源的x射线引导至晶片的平面上。这样的设备允许检查完整的晶片表面,包括平面表面(至少前表面,或者甚至前后平面表面二者)和斜面,于是不会遗漏任何污染物。
    在此实施例的优选的进一步开发中,切换装置包括第一移动台,该第一移动台用于在x射线的路径中用辅助x射线光学元件替换x射线光学元件。第一移动台通常是马达驱动的(motorized),并且允许x射线光学元件的快速且简单的改变。
    另一优选的进一步开发提供包括第二移动台的切换装置,该第二移动台用于使晶片相对于x射线的路径绕轴旋转(pivote)和/或平移。第二移动台通常是马达驱动的,并且简化了用主x射线束照亮的样品区域的改变。
    一优选实施例的特征在于,设备进一步包括:
    另一EDS检测器,用于检测来自样品的荧光x射线,和
    处理台,用于使晶片相对于被引导至样品的x射线的路径、在与被引导至样品的x射线垂直的两个独立方向上平移,所述两个独立方向特别地是正交的,并且用于使晶片相对于与晶片的平面垂直的旋转轴旋转,特别地,其中,EDS检测器和另一EDS检测器以相对于被引导至样品的x射线基本上直角的角度并且以相对于彼此基本上直角的角度来观察样品。这个实施例允许在对晶片的斜面和平面的检查之间的非常简单的切换,仅仅需要最少量的移动部件,即处理台。
    同样落入本发明范围内的是上述本发明设备的用途,用于通过XRF检测晶片的斜面上的污染物,所述晶片特别地是硅晶片。XRF分析是非破坏性的,并能给出有关污染物水平的即时结果。注意,通过本发明寻找的典型污染物包括Al(来自钳子)和Na(来自人们汗水中包含的盐)。在本发明用途的优选变型中,将镓L线(gallium Lline)用于x射线源中的x射线产生。这在实践中显示出良好的结果;镓可被很好地用在金属喷射物中,这是由于镓具有大约30℃的相对较低的熔点并因此只需要最少量的热。
    同样落入本发明范围内的是用于检查晶片的斜面的表面的方法,所述晶片特别地是硅晶片,其中,x射线束被引导至晶片的斜面上,且由晶片发射的荧光x射线被EDS(能量色散谱)检测。污染物的谱将使其立即被观察到。
    更多的优点可从说明书和附图中提取。根据本发明,上述和下面提到的特征可被独立使用或以任意组合组合使用。提及的实施例不被理解为穷举的,而是对于本发明的描述而言具有示例性特性。
    附图
    在附图中示出本发明。
    图1a以示意性侧视图显示处于第一操作模式中的本发明的XRF测量设备,在第一操作模式中,x射线光学元件被定位为将x射线引导至晶片的斜面上;
    图1b以示意性俯视图显示处于第一操作模式中的图1a的设备;
    图2a以示意性侧视图显示处于第二操作模式中的图1a的设备,在第二操作模式中,辅助x射线光学元件被定位为将x射线引导至晶片的平面上;
    图2b以示意性俯视图显示处于第二操作模式中的图2a的设备;
    图3a以示意性俯视图显示本发明的测量设备的后部,其中处理台位置允许检查晶片的斜面;
    图3b以示意性侧视图显示图3a的后部;
    图3c以示意性俯视图显示图3a的后部,其中处理台位置允许检查晶片的平面;
    图3d以示意性侧视图显示图3c的后部。
    图1a和1b在侧视图(图1a)和俯视图(图1b)中作为示例示出本发明XRF测量设备1的实施I例。
    设备1包括x射线源2,将来自x射线源2的x射线4引导至样品5的x射线光学元件3,和EDS检测器7,其中样品5是盘状晶片6。
    在所示出的实施例中,x射线源2是金属喷射类型x射线源,其中液态金属(例如轻微加热的镓)的喷射物8在焦斑(focal spot)9b处被电子束9击中。电子束9由电子束源9a产生;注意电子束9和金属喷射物8优选在真空中传播。在电子束9的焦斑9b处,特征x射线10和轫致辐射被发射。所产生的x射线 的一部分通过开口11并在随后的实验设置中被用作x射线4(或主光束)。x射线源2与x射线光学元件3一起的亮度这里大约是108计数/秒平方毫米。
    通过安装在第一台20上的x射线光学元件3将x射线4向样品5引导,这里x射线光学元件3是双曲多层反射镜。在所示示例中,x射线4通过x射线光学元件3被二维聚焦在晶片6的斜面12上,其中在焦斑13处x射线4的宽度w与晶片相匹配(相等)。如果需要,x射线光学元件3可以被选择使得焦斑13是焦斑9b的1∶1的像。多层反射镜还引起x射线4的单色化。x射线4相对于晶片6的斜面12的在焦斑13处的切线以角度α击中斜面12;切线(参见图1a中的虚线)在此表示在焦斑13处的晶片表面。角度α通常在0.05°和6°之间,因此在晶片表面处发生全反射(没有详细示出)。注意,为了使其更方便被看到,附图夸大了一些角度和比例。此外,注意,这里相对于x射线束的较远的外部部分来测量角度α;射线束的尺寸可通过光子通量的半最大线来确定。
    在焦斑13处,荧光(特征)x射线14被发射,该荧光(特征)x射线14可能源自晶片6的材料以及晶片6的表面上的污染物。通过EDS检测器7,荧光x射线14被以能量分解的方式检测。EDS检测器7直接位于焦斑13上方以接收荧光x射线14的最大部分。
    晶片6被安装在第二台15上,该第二台15通过真空钳子17从其背面16抓紧晶片6。真空钳子17相对于与晶片6的平面19垂直的旋转轴18可旋转,以随后将完整斜面12暴露给x射线4。
    在所示出的实施例中,在图1a、1b中,x射线4基本上与竖直的xz面平行地传播,并且几乎在x方向上水平地传播;斜面12在焦斑13处的切线水平地延伸(在x方向上)。晶片6的平面19垂直地取向,也平行于xz面,其中平面19的面法线SN和旋转轴18水平地延伸(在y方向上)。
    设备1可从第一操作模式切换到第二操作模式,第一操作模式如图1a、1b所示并且以上已经给出说明,第二操作模式如图2a(侧视图)和图2b(俯视图)所示。在此第二操作模式中,晶片6的平面19可通过XRF被检查。在图2a和2b中,仅详细说明与图1a和1b的设置的主要差别,并且为了简单起见,x射线源2未被详细示出。
    为了能够在操作模式之间切换,第一台20被构建为第一移动台20。通过马达(未示出),第一移动台20能在垂直方向(z方向)上移动。在较低位置中(还 参见图1a),x射线光学元件3处于x射线4的路径中,而在较高位置中(如图2a所示),辅助光学元件21处于x射线4的路径中。辅助光学元件21也包括双曲多层反射镜,其被取向为在水平面(yx面)中偏转x射线4并且将x射线二维聚焦到晶片6的平面19上的焦斑22上。注意,辅助x射线光学元件21被放置在楔形物23上来确保合适的位置,因为第一移动台20通常不能绕轴旋转。
    此外,为了在操作模式之间切换,用于晶片6的第二台15被构建为第二移动台15。通过一个或更多个马达(未示出),第二移动台15能在所有可平移的方向x、y、z上移动,并且能相对于垂直轴24旋转。这使得晶片6能够如图2a、2b所示那样被放置,并能够以固定焦斑22扫描平面19的表面。x射线4以通常介于0.05°至6°之间的角度β击中平面19,再一次地相对于传入x射线束的较远外部部分(外部边缘)来测量该角度β。
    此外,在所示出的实施例中,EDS检测器7也能移动,优选通过马达驱动的台(未示出)移动,因此EDS检测器7在第二操作模式中也能被直接放置在焦斑22的上方。
    图3a到3d示出另一本发明的设备,其仅示出后部(即省略了x射线源和x射线光学元件,这些元件可对照图1a、1b),该设备可在第一操作模式和第二操作模式之间切换,其中在第一操作模式中晶片的斜面被检查(参见图3a、3b),在第二操作模式中晶片的平面被检查(参见图3c、3d)。
    在第一操作模式中,对照图3a(俯视图)和图3b(侧视图,垂直于x射线4的传播方向),x射线4击中晶片6的斜面12,对照焦斑13。x射线4以相对于晶片6在斜面区域中的切线的小角度击中斜面12,例如大约1°,因此其被全反射。在焦斑13处,发射特征x射线14,其能被EDS检测器7检测。EDS检测器7被固定在晶片6的高度处(旁边),从而以相对于传入x射线4的基本上直角的角度来接收特征x射线14供XRF分析。
    晶片6被保持在处理台25上,该处理台25被定位在正确的高度(z位置)和横向位置(y位置)处使得x射线4以所述小角度(即几乎正切地)在斜面12处击中晶片6。在测量期间,晶片6缓慢旋转(通常以渐增的方式)以检查完整的圆周。通常,处理台25被马达驱动以进行z位置和y位置调整并且绕旋转轴18旋转。
    在斜面测量之前或之后,在第二操作模式中,晶片6的平面19也可用设备 通过XRF检查,对照图3c(俯视图)和图3d(侧视图,在垂直于x射线4传播方向的方向上)。与图3a和3b相比,出于此目的,处理台25被略微向下且向左移动。在此移动位置,x射线4以相对于平面19的面的小角度(例如1°)在平面19处击中晶片6并被全反射。为了完整地扫描晶片6的平面表面,处理台25在y方向上以渐增的方式移动,且在每个y位置处,晶片6绕旋转轴18旋转一整圈(通常以渐增的方式)。从焦斑13发射的特征x射线14被另一EDS检测器26检测,该检测器26被固定在晶片6的上方。再一次地,另一EDS检测器26也被定位为以相对于x射线4基本直角的角度接收特征x射线14。
    注意,EDS检测器7和另一EDS检测器26以相对于其视场的直角角度取向,其中取决于操作模式每次仅其中之一在操作。这里为了在模式之间切换,不必移动或替换x射线光学元件或EDS检测器7、26,而是只需相应地移动处理台25或晶片6。

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