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    重庆时时彩开奖记录表: 一种光刻胶的去除方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410206695.9

    申请日:

    2014.05.15

    公开号:

    CN103969966A

    公开日:

    2014.08.06

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/42申请日:20140515|||公开
    IPC分类号: G03F7/42 主分类号: G03F7/42
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 田慧
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410206695.9

    授权公告号:

    CN103969966B||||||

    法律状态公告日:

    2015.04.15|||2014.09.03|||2014.08.06

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种光刻胶的去除方法,涉及显示技术领域,解决了现有的光刻胶去除不干净的问题。一种光刻胶的去除方法,所述方法包括:在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜;用紫外光处理所述氧化物薄膜;将所述氧化物薄膜剥离;将所述光刻胶去除。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种光刻胶的去除方法,其特征在于,包括:
    在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜;
    用紫外光处理所述氧化物薄膜;
    将所述氧化物薄膜剥离;
    将所述光刻胶去除。

    2.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述氧化物薄膜为二氧化钛薄膜。

    3.  根据权利要求2所述的去除方法,其特征在于,所述二氧化钛薄膜的厚度为10-50nm。

    4.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述紫外光的波长为200-380nm。

    5.  根据权利要求4所述的去除方法,其特征在于,紫外光处理所述氧化物薄膜的时间为200-1000s。

    6.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜之前,所述方法还包括:
    清洗所述形成有光刻胶的基板。

    7.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜具体包括:通过磁控溅射在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜。

    8.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述将所述氧化物薄膜剥离具体包括:利用HF溶液清洗或湿法刻蚀将所述氧化物薄膜剥离。

    9.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述将所述光刻胶去除具体包括:利用湿法刻蚀将所述光刻胶去除。

    10.  根据权利要求1所述的去除方法,其特征在于,所述形成有光刻胶的基板为形成有光刻胶的硅基板或形成有光刻胶的玻璃基板。

    说明书

    说明书一种光刻胶的去除方法
    技术领域
    本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种光刻胶的去除方法。
    背景技术
    在显示器件和半导体制造过程中,经?;嵬ü雇脊ひ招纬杀匾谋∧ね及?。其中,构图工艺包括:在薄膜上涂覆光刻胶;利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影,显影后形成光刻胶去除部分和光刻胶保留部分;刻蚀未覆盖光刻胶的薄膜,形成需要的薄膜图案;将剩下的光刻胶去除。
    现有技术中常用的去除光刻胶的方法主要是灰化和全湿法清洗。其中,灰化是通过激励源对氧气等气体进行解离,使气体分子电离产生氧等离子体,通过氧等离子气氛中的活性离子与光刻胶反应,氧等离子体的轰击而将光刻胶去除。然而采用灰化方法去除光刻胶时容易使光刻胶的下层材料受到损伤,而且氧等离子与光刻胶的反应需要较高的温度,这就增加了成本。此外,由于灰化往往不能将光刻胶完全去除,仍然需要清洗液进行长时间的清洗,但是实际去胶效果并不好,仍然会有光刻胶残留的现象。
    全湿法清洗主要是将双氧水与硫酸溶液混合组成的清洗液喷洒到半导体衬底的光刻胶表面,使之与光刻胶发生反应而将光刻胶除去,用去离子水冲洗去除光刻胶后的半导体衬底表面。采用全湿法清洗虽然能减少半导体材料的损伤,但是在注入双氧水后硫酸的浓度急剧下降,使得形成的清洗液的寿命缩短,清洗液与光刻胶发生反应后就作为废液直接排掉,需要频繁更换清洗液并进行长时间的清洗,这就大大增加了物质和时间成本。
    由于在进行构图工艺过程中,刻蚀未覆盖光刻胶的薄膜(或进行离子掺杂)会增强光刻胶与半导体衬底表面的粘附性和光刻胶的硬度,现有的去除光刻胶的方法很难将粘附得很顽固的光刻胶(例如重掺杂离子注入后的光刻胶和长时间干刻后的光刻胶)去除干净,残留的光刻胶影响形成的器件或显示装置的性能。
    发明内容
    本发明的实施例提供一种光刻胶的去除方法,解决了现有的光刻胶去除不干净的问题。
    为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
    本发明实施例提供了一种光刻胶的去除方法,包括:
    在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜;
    用紫外光处理所述氧化物薄膜;
    将所述氧化物薄膜剥离;
    将所述光刻胶去除。
    可选的,所述氧化物薄膜为二氧化钛薄膜。
    可选的,所述二氧化钛薄膜的厚度为10-50nm。
    可选的,所述紫外光的波长为200-380nm。
    可选的,紫外光处理所述氧化物薄膜的时间为200-1000s。
    可选的,在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜之前,所述方法还包括:
    清洗所述形成有光刻胶的基板。
    可选的,所述在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜具体包括:通过磁控溅射在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜。
    可选的,所述将所述氧化物薄膜剥离具体包括:利用HF溶液清洗或湿法刻蚀将所述氧化物薄膜剥离。
    可选的,所述将所述光刻胶去除具体包括:利用湿法刻蚀将所述光刻胶去除。
    可选的,所述形成有光刻胶的基板为形成有光刻胶的硅基板或形成有光刻胶的玻璃基板。
    本发明的实施例提供一种光刻胶的去除方法,通过沉积氧化物薄膜并利用紫外光对所述氧化物薄膜进行处理,使得二氧化钛薄膜催化分解光刻胶产生挥发性的二氧化碳等气体,从而光刻胶能够被彻底去 除。
    附图说明
    图1为现有的构图工艺中形成薄膜图案后的示意图;
    图2为本发明实施例提供的一种光刻胶的去除方法示意图;
    图3为本发明实施例提供的在所述基板上沉积氧化物薄膜的示意图;
    图4为本发明实施例提供的另一种光刻胶的去除方法示意图。
    附图标记;
    10-衬底基板;11-薄膜;12-光刻胶;13-二氧化钛薄膜。
    具体实施方式
    下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例?;诒痉⒚髦械氖凳├?,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明?;さ姆段?。
    需要说明的是,本发明实施例提供的光刻胶的去除方法,用于构图工艺中刻蚀薄膜后光刻胶的去除。其中,构图工艺具体包括:在薄膜上涂覆光刻胶;利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影,显影后形成光刻胶去除部分和光刻胶保留部分;刻蚀未覆盖光刻胶的薄膜,形成需要的薄膜图案;将剩下的光刻胶去除。所述刻蚀薄膜后光刻胶的去除,即如图1所示,衬底基板10上的光刻胶12经过曝光和显影,显影后形成光刻胶去除部分(即图1所示的区域a)和光刻胶保留部分;刻蚀未覆盖光刻胶的薄膜(即图1所示的区域a的薄膜),形成需要的薄膜图案,再将光刻胶去除。本发明实施例提供的制作方法,主要用于将形成薄膜图案后薄膜表面的光刻胶去除。
    本发明实施例提供了一种光刻胶的去除方法,主要用于构图工艺中刻蚀薄膜后光刻胶的去除,如图2所示,所述方法包括:
    步骤101、在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜。
    所述在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜具体包括:通过磁 控溅射在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜。如图3所示,在衬底基板10上沉积二氧化钛薄膜13,此时,由于已经对光刻胶12进行曝光和显影后,形成了光刻胶去除部分和光刻胶保留部分;薄膜11未覆盖光刻胶的部分被刻蚀后,沉积二氧化钛薄膜,则二氧化钛薄膜不仅覆盖光刻胶的表面,还覆盖基板上光刻胶去除区域(即图3所示的区域a)。本发明实施例以所述氧化物薄膜为二氧化钛薄膜为例进行详细说明。且沉积的所述二氧化钛薄膜的厚度为10-50nm。
    当然,所述氧化物薄膜还可以是由其他氧化物形成的薄膜,本发明实施例以及附图仅以氧化物薄膜为二氧化钛薄膜为例进行详细说明。且氧化物薄膜也可以仅覆盖在基板上光刻胶的表面,本发明实施例以所述衍化物薄膜公共磁控溅射形成,则所述氧化物薄膜覆盖光刻胶以及光刻胶去除区域。
    步骤102、用紫外光处理所述氧化物薄膜。
    即利用紫外光照射所述二氧化钛薄膜。其中,所述紫外光的波长为200-380nm。紫外光处理所述氧化物薄膜的时间为200-1000s。紫外光照射下二氧化钛薄膜催化分解光刻胶产生挥发性的二氧化碳等气体,从而光刻胶能够被彻底去除。尤其是经过薄膜刻蚀以及离子注入后,光刻胶与半导体衬底表面的粘附性以及光刻胶的硬度变大,使得光刻胶难以去除,而利用本发明实施例提供的方法,光刻胶释放二氧化碳气体以后,光刻胶容易去除,没有残留,且不会对基板上的其他薄膜或器件造成损伤,从而保证器件的性能,有助于提高产品的良率。
    步骤103、将所述氧化物薄膜剥离。
    所述将所述氧化物薄膜剥离具体包括:利用HF溶液清洗或湿法刻蚀将所述氧化物薄膜剥离。通过溶液清洗或湿法刻蚀将所述氧化物薄膜剥离,即在剥离氧化物薄膜的同时对基板进行了清洗,增加基板的洁净度。
    步骤104、将所述光刻胶去除。
    所述将所述光刻胶去除具体包括:利用湿法刻蚀将所述光刻胶去除。即在去除光刻胶的同时对基板进行了清洗,进一步增加基板的洁净度。
    可选的,如图4所示,在所述在形成有光刻胶的基板上沉积氧化物薄膜之前,所述方法还包括:
    步骤105、清洗所述形成有光刻胶的基板。
    其中,所述形成有光刻胶的基板为形成有光刻胶的硅基板或形成有光刻胶的玻璃基板。当然,所述基板上还形成有其他薄膜或层结构,本发明实施例仅以一层薄膜结构为例详细说明光刻胶的去除。在去除光刻胶之前对所述基板进行清洗,可以将光刻胶表面的其他附着物清洗掉,以进一步使得光刻胶去除的更加干净。
    本发明实施例提供了一种光刻胶的去除方法,通过沉积氧化物薄膜并利用紫外光对所述氧化物薄膜进行处理,使得二氧化钛薄膜催化分解光刻胶产生挥发性的二氧化碳等气体,从而光刻胶能够被彻底去除。尤其是经过薄膜刻蚀以及离子注入后,光刻胶与半导体衬底表面的粘附性以及光刻胶的硬度变大,使得光刻胶难以去除,而利用本发明实施例提供的方法,光刻胶释放二氧化碳气体以后,光刻胶容易去除,没有残留,且本发明实施例提供的去除方法不会对基板上的其他薄膜或器件造成损伤,从而保证器件的性能,有助于提高产品的良率。
    以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的?;し段Р⒉痪窒抻诖?,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的?;し段е?。因此,本发明的?;し段вσ运鋈ɡ蟮谋;し段?。

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