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    重庆时时彩开奖说明: 一种克服非易失性存储器ERASESTRESS影响的方法和电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410217084.4

    申请日:

    2014.05.21

    公开号:

    CN103985414A

    公开日:

    2014.08.13

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G11C 16/14申请公布日:20140813|||专利申请权的转移IPC(主分类):G11C 16/14登记生效日:20171218变更事项:申请人变更前权利人:辉芒微电子(深圳)有限公司变更后权利人:深圳市芯天下技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:518057 广东省深圳市南山区科技园科技南十二路长虹科技大厦10楼5-8室变更后权利人:518000 广东省深圳市龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇第10栋1楼|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/14申请日:20140521|||公开
    IPC分类号: G11C16/14; G11C16/10 主分类号: G11C16/14
    申请人: 辉芒微电子(深圳)有限公司
    发明人: 温靖康; 刘桂云; 吴介豫; 鲍奇兵; 许如柏
    地址: 518057 广东省深圳市南山区科技园科技南十二路长虹科技大厦10楼5-8室
    优先权:
    专利代理机构: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410217084.4

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2018.12.07|||2018.01.05|||2014.09.10|||2014.08.13

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例公开了一种克服非易失性存储器Erase?Stress影响的方法,包括:选择执行擦除操作的存储单元邻近未选择区域内的一个存储单元作为待测存储单元;对所述待测存储单元进行阈值电压裕度检测,所述的阈值电压裕度检测包括两次电压比较;基于所述阈值电压裕度检测的结果对所述待测存储单元进行编程操作。本发明还构造了一种克服非易失性存储器Erase?Stress影响的电路。实施本发明的有益效果是,通过阈值电压裕度检测,克服了非易失性存储器Erase?Stress的影响,使得存储器具有高可靠性和快的读取速度。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  —种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,包括以下步骤:
    S1、选择执行擦除操作的存储单元邻近未选择区域内的一个存储单元作为
    待测存储单元;
    S2、对所述待测存储单元进行阈值电压裕度检测,所述的阈值电压裕度检测包括两次电压比较;
    S3、基于所述阈值电压裕度检测的结果对所述待测存储单元进行编程操作。

    2.  根据权利要求1所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
    S21、第一次电压比较,比较所述待测存储单元的阈值电压Vth是否小于第一施加电压V1;
    S22、若是,则结束操作,若否,则执行步骤S23;
    S23、第二次电压比较,比较所述待测存储单元的阈值电压Vth是否大于第二施加电压V2;
    S24、若是,则结束操作,若否,则执行所述步骤S3。

    3.  根据权利要求2所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S1中的所述存储单元为NOR Flash存储器的存储单元。

    4.  根据权利要求3所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,在步骤S21中,所述待测存储单元为状态“0”时,所述第一施加电压V1为+5V,所述待测存储单元为状态“1”时,所述第一施加电压V1为+3V。

    5.  根据权利要求2-4中任一项权利要求所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S21包括以下步骤:
    S211、参考电流源产生一个第一参考电流;
    S212、在所述待测存储单元的字线上施加一个所述第一施加电压V1,给同一位线上的其他存储单元的字线上施加0V电压,获取所述待测存储单元的第一测量电流;
    S213、基于所述待测存储单元的所述第一测量电流与所述第一参考电流的比较结果,比较所述待测存储单元的所述阈值电压Vth与所述第一施加电压V1 的大小。

    6.  根据权利要求5所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S213中,若所述第一测量电流大于所述第一参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth小于所述第一施加电压V1;若所述第一测量电流等于所述第一参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth等于所述第一施加电压V1;若所述第一测量电流小于所述第一参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth大于所述第一施加电压V1。

    7.  根据权利要求3所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,在步骤S23中,所述待测存储单元为状态“0”时,所述第二施加电压V2为+7V,所述待测存储单元为状态“1”时,所述第二施加电压V2为+5V。

    8.  根据权利要求2-7中任意一项权利要求所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S23包括以下步骤:
    S231、参考电流源产生一个第二参考电流;
    S232、在所述待测存储单元的字线上施加一个所述第二施加电压V2,给同一位线上的其他存储单元的字线上施加0V电压,获取所述待测存储单元的第二测量电流;
    S233、基于所述待测存储单元的所述第二测量电流与所述第二参考电流的比较结果,比较所述待测存储单元的所述阈值电压Vth与所述第二施加电压V2的大小。

    9.  根据权利要求8所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的方法,其特征在于,所述步骤S233中,若所述第二测量电流大于所述第二参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth小于所述第二施加电压V2;若所述第二测量电流等于所述第二参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth等于所述第二施加电压V2;若所述第二测量电流小于所述第二参考电流,则所述待测存储单元的阈值电压Vth大于所述第二施加电压V2。

    10.  一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的电路,其特征在于,包括:
    待测存储单元(101);
    第一参考电流源???102),用于获取第一次电压比较的第一参考电流;
    第一电压施加???103),用于在所述待检测存储单元(101)的字线上施加一个第一施加电压V1;
    第一电流比较???104),用于输出第一校验结果;
    第二参考电流源???105),用于获取第二次电压比较的第二参考电流;
    第二电压施加???106),用于在所述待检测存储单元(101)的字线上施加一个第二施加电压V2;
    第二电流比较???107),用于输出第二校验结果;
    编程???108),用于基于第一校验结果和第二校验结果进行编程操作。

    11.  根据权利要求10所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的电路,其特征在于,所述待测存储单元(101)为NOR Flash存储器中的存储单元。

    12.  根据权利要求11所述的一种克服非易失性存储器Erase Stress影响的电路,其特征在于,所述待测存储单元(101)为状态“0”时,所述第一电压施加???103)的第一施加电压V1为+5V,所述第二电压施加???106)的第二施加电压V2=+7V;所述待测存储单元(101)为状态“1”时,所述第一电压施加???103)的第一施加电压V1为+3V,所述第二电压施加???106)的第二施加电压V2=+5V。

    关 键 词:
    一种 克服 非易失性存储器 ERASESTRESS 影响 方法 电路
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