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    重庆时时彩任三: 一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410142703.8

    申请日:

    2014.04.10

    公开号:

    CN103954804A

    公开日:

    2014.07.30

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01R 1/04申请日:20140410|||公开
    IPC分类号: G01R1/04 主分类号: G01R1/04
    申请人: 中国科学院电工研究所
    发明人: 张瑾; 仇志杰; 温旭辉
    地址: 100190 北京市海淀区中关村北二条6号
    优先权:
    专利代理机构: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410142703.8

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.08.24|||2014.08.27|||2014.07.30

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,自上而下依次为:上铜层(0101)、陶瓷层(0102)、下铜层(0103)。上铜层(0101)刻蚀有正电极区(0201)、公共电极区(0202)、负电极区(0203)、第一门极区(0204)、第二门极区(0205),以及门极桥接区(0206),六个电路区域之间有绝缘沟道(0209)。第一门极区(0204)位于上铜层(0101)的左端,第一门极区(0204)的上方和右方为正电极区(0201),第一门极区(0204)的下方为公共电极区(0202)。公共电极区(0202)的右侧为负电极区(0203)。负电极区(0203)的左侧及下方为公共电极区(0202),右侧为第二门极区(0205)。门极桥接区(0206)位于负电极区(0203)内部,并且,门极桥接区(0206)位于覆铜陶瓷基板(01)的横轴中心线上。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的覆铜陶瓷基板由三层结构组成,自上而下依次为:上铜层(0101)、陶瓷层(0102)、下铜层(0103);
    上铜层(0101)的下方为陶瓷层(0102),陶瓷层(0102)的作用是实现上铜层(0101)与下铜层(0103)的电气绝缘;
    陶瓷层(0102)的下方为下铜层(0103),下铜层(0103)的作用是固定覆铜陶瓷基板;
    所述的上铜层(0101)刻蚀有电路图六个独立的电路区域:正电极区(0201)、公共电极区(0202)、负电极区(0203)、第一门极区(0204)、第二门极区(0205),以及门极桥接区(0206);所述六个电路区域之间均刻蚀有绝缘沟道(0209);
    所述的第一门极区(0204)位于上铜层(0101)的最左端,第一门极区(0204)的上方和右方为正电极区(0201),第一门极区(0204)的下方为公共电极区(0202);公共电极区(0202)的左侧为正电极区(0201),公共电极区(0202)的右侧为负电极区(0203);负电极区(0203)的左侧及下方为公共电极区(0202),右侧为第二门极区(0205);所述的门极桥接区(0206)位于负电极区(0203)内部,并且,门极桥接区(0206)位于覆铜陶瓷基板(01)的横轴中心线上。

    2.  根据权利要求1所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的第一门极区(0204)呈“凸”字形,该“凸”字形的凸出的区域用于连接第一待测芯片(03)的门极(0302);所述的公共电极区(0202)焊接有第二待测芯片(04);
    所述的负电极区(0203)呈“L”形;
    所述的第二门极区(0205)呈“凸”字形,“凸”字形的第二门极区(0205)凸出的区域用于连接门极桥接区(0206)。

    3.  根据权利要求1所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的正电极区(0201)呈“L”形,其表面刻蚀有4个第一焊接区标识孔(0207),这4个标识孔为一组,用于指示第一待测芯片(03)的焊接位置;4个第一焊接区标识孔中,其中两个分别位于正电极区(0201)“L”形长边的两个顶点处,其余两个标识孔与所述的“L”形长边两个顶点处的标识孔以基板横轴中心线(0212)为基准呈对称分布,即第一焊接区标识孔(0207)的几何中心位于基板横轴中心线(0212)上。

    4.  根据权利要求1所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的公共电极区(0202)呈“山”字形,其表面刻蚀有4个第二焊接区标识孔(0208),这4个 标识孔为一组,用于指示第二待测芯片(04)的焊接位置;4个第二焊接区标识孔中的两个位于“山”字形公共电极区(0202)的长竖边上,并且与位于正电极区(0201)“L”形长边两个顶点处的两个第一焊接区标识孔处在一条水平线上,其余两个第二焊接区标识孔与上面所述的两个位于“山”字形公共电极区(0202)的长竖边上的第二焊接区标识孔以基板横轴中心线(0212)为基准呈对称分布;并且,第二焊接区标识孔(0208)的几何中心位于覆铜陶瓷基板(01)的几何中心,即基板横轴中心线(0212)与纵轴中心线(0213)的交点。

    5.  根据权利要求1所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的第一待测芯片(03)、第二待测芯片(04)与覆铜陶瓷基板(01)互联,组成半桥电路结构。

    6.  根据权利要求1所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的第一待测芯片(03)及第二待测芯片(04)与覆铜陶瓷基板(01)互联的方式如下:
    1)第一待测芯片(03)的下表面焊接到第一焊接区的四个标识孔(0207)环绕而成的焊接区域,且焊接在该区域的中央位置处;
    2)第二待测芯片(04)下表面焊接到第二焊接区的四个标识孔(0208)环绕而成的焊接区域,且焊接在该区域的中央位置处;
    3)第一待测芯片(03)上表面的发射极(0301)通过4根键合线(0501)连接到“山”字形公共电极区(0202)的中央凸出部位,第一待测芯片(03)上表面的门极(0302)通过1根键合线(0502)连接到“凸”字形的第一门极区(0204)的凸出部位;
    4)第二待测芯片(04)上表面的发射极(0401)通过4根键合线(0503)连接到负电极区(0203)“L”形长边的凸出部位,第二待测芯片(04)上表面的门极(0402)通过1根键合线(0504)首先连接到门极桥接区(0206),然后从门极桥接区(0206)连接到“凸”字形第二门极区(0205)的凸出部位。

    7.  根据权利要求1或5或6所述的功率半导体芯片测试用覆铜陶瓷基板,其特征在于,所述的第一待测芯片(03)和第二待测芯片(04)为功率半导体芯片。

    关 键 词:
    一种 功率 半导体 芯片 测试 用覆铜 陶瓷
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