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    重庆时时彩赌博网: 随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410155104.X

    申请日:

    2014.04.17

    公开号:

    CN103956182A

    公开日:

    2014.07.30

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情: 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G11C 11/4063申请日:20140417授权公告日:20170215终止日期:20180417|||授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/4063申请日:20140417|||公开
    IPC分类号: G11C11/4063; G11C11/409 主分类号: G11C11/4063
    申请人: 清华大学; 清华大学深圳研究生院
    发明人: 潘立阳; 刘雪梅; 伍冬
    地址: 100084 北京市海淀区100084-82信箱
    优先权:
    专利代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410155104.X

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2019.04.05|||2017.02.15|||2014.08.27|||2014.07.30

    法律状态类型:

    专利权的终止|||授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提出随机访问存储器单元结构、随机访问存储器及其操作方法,该单元结构包括:N型门管、P型门管、N型晶体管和P型晶体管,其中,N型晶体管的源极与器件内部可调低电压相连,P型晶体管的源极与器件内部可调电源电压相连,N型晶体管的漏极与P型晶体管的栅极相连,N型晶体管的栅极与P型晶体管的漏极相连,N型门管的漏极与位线相连,N型门管的栅极与写入字线相连,N型门管的源极连接至N型晶体管的漏极与P型晶体管的栅极之间的第一节点,P型门管的漏极与互补位线相连,P型门管的栅极与读取字线相连,P型门管的源极连接至N型晶体管的栅极与P型晶体管的漏极之间的第二节点。本发明具有控制简单、集成度高、稳定可靠的优点。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种随机访问存储器单元结构,其特征在于,包括:N型门管(NG1)、P型门管(PG1)、N型晶体管(N1)和P型晶体管(P1),其中,
    所述N型晶体管(N1)的源极与器件内部可调低电压VSSI相连,所述P型晶体管(P1)的源极与器件内部可调电源电压VDDI相连,所述N型晶体管(N1)的漏极与所述P型晶体管(P1)的栅极相连,所述N型晶体管(N1)的栅极与所述P型晶体管(P1)的漏极相连,
    所述N型门管(NG1)的漏极与位线BL相连,所述N型门管(NG1)的栅极与写入字线WWL相连,所述N型门管(NG1)的源极连接至所述N型晶体管(N1)的漏极与所述P型晶体管(P1)的栅极之间的第一节点(Q),
    所述P型门管(PG1)的漏极与互补位线BLn相连,所述P型门管(PG1)的栅极与读取字线RWL相连,所述P型门管(PG1)的源极连接至所述N型晶体管(N1)的栅极与所述P型晶体管(P1)的漏极之间的第二节点(Qn)。

    2.  根据权利要求1所述的随机访问存储器单元结构,其特征在于,所述N型晶体管(N1)的阈值电压绝对值大于所述N型门管(NG1)的阈值电压绝对值,并且,所述P型晶体管(P1)的阈值电压绝对值大于所述P型门管(PG1)的阈值电压绝对值。

    3.  一种随机访问存储器,其特征在于,包括多个权利要求1或2所述的随机访问存储器单元结构。

    4.  一种随机访问存储器的保持操作方法,其特征在于,应用于权利要求3所述的随机访问存储器,包括:
    WWL维持低电平;RWL维持高电平;BL维持低电平;BLn维持高电平;VDDI维持次高电平;VSSI维持次低电平。

    5.  一种随机访问存储器的写入操作方法,其特征在于,应用于权利要求3所述的随机访问存储器,采用如下选中操作策略:对地址选中操作行的所有数据进行读操作;然后,对于地址选中操作列,将待写入的数据写入存储单元;对于非选中操作列,将先前读出的存储数据重新写入存储单元。

    6.  一种随机访问存储器的写入操作方法,其特征在于,应用于权利要求3所述的随机访问存储器,采用如下选中操作策略:进行地址译码后,将行译码所得行地址信号与列译码所得的列地址信号进行逻辑运算,对于选中列进行写入操作,而非选中列,无操作。

    7.  如权利要求5或6所述的随机访问存储器的写入操作方法,其特征在于,对于选中列的写入操作,采用三段写入,包括:
    WWL在第一写阶段为低电平、在第二写阶段和第三写阶段为高电平;
    RWL在第一写阶段和第二写阶段为低电平、在第三写阶段为高电平;
    写入“1”时,BL在第一写阶段、第二写阶段和第三写阶段维持高电平,或者,写入“0”时,BL在第一写阶段、第二写阶段和第三写阶段维持低电平;
    BLn在第一写阶段、第二写阶段和第三写阶段维持高电平;
    VDDI在第一写阶段、第二写阶段和第三写阶段维持次高电平;和
    VSSI在第一写阶段、第二写阶段和第三写阶段维持次低电平。

    8.  一种随机访问存储器的读出操作方法,其特征在于,应用于权利要求3所述的随机访问存储器,采用两段读出,包括:
    WWL在第一读阶段和第二读阶段维持低电平;
    RWL在第一读阶段为高电平,在第二读阶段为低电平;
    BL在第一读阶段和第二读阶段维持低电平;
    读出“1”时,BLn在第一读阶段为高电平、第二写阶段从高电平逐渐降至低电平,或者,读出“0”时,BLn在第一读阶段和第二读阶段维持高电平;
    VDDI在第一读阶段和第二读阶段维持高电平;
    VSSI在第一读阶段和第二读阶段维持次低电平。

    9.  一种随机访问存储器的刷新操作方法,其特征在于,应用于权利要求3所述的随机访问存储器,包括:
    WWL维持在Vthn,所述Vthn为所述N型门管(NG1)和所述N型晶体管(N1)的电压阈值中绝对值较大者;
    RWL维持在(高电平-Vthp),所述Vthp为所述P型门管(PG1)和所述P型晶体管(P1)的电压阈值中较大者;
    BL维持低电平;
    BLn维持高电平;
    VDDI维持次高电平;
    VSSI维持次低电平。

    关 键 词:
    随机 访问 存储器 单元 结构 及其 操作方法
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