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    重庆时时彩稳赚预测: 一种无铅BISUB05/SUBNASUB05/SUBTIOSUB3/SUB基高储能密度薄膜电容器及其制备方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410146863.X

    申请日:

    2014.04.14

    公开号:

    CN103956266A

    公开日:

    2014.07.30

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01G 4/33申请公布日:20140730|||实质审查的生效IPC(主分类):H01G 4/33申请日:20140414|||公开
    IPC分类号: H01G4/33; H01G4/08 主分类号: H01G4/33
    申请人: 桂林电子科技大学
    发明人: 袁昌来; 刘勇; 杨涛; 周昌荣; 陈国华; 许积文; 周星星; 张小文
    地址: 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
    优先权:
    专利代理机构: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 罗玉荣
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410146863.X

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.03.29|||2014.08.27|||2014.07.30

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法,包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3(0.01≤x≤0.1)组成;金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材,然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层;再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小,薄膜层厚度0.5~1.5μm,其储能密度为20~45J/cm3。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器,其特征在于,由顺序叠接在衬底材料上的溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层和薄膜上溅射金属上电极三层结构组成。

    2.  根据权利要求1所述的一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器,其特征在于,所述的Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层的组成通式为(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-x K0.5Na0.5NbO3,其中x为0.01≤x ≤0.1
    根据权利要求1所述的一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器,其特征在于,所述的金属上、下电极材料是金属Ag、Au、Pt中的一种。

    3.  一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
    1)溅射用(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-x K0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材制备:选择高纯度(≧99.8%)的Bi2O3、TiO2、Na2CO3、BaCO3、K2CO3、Nb2O5粉末为原料,按照Bi2O3:TiO2:Na2CO3:BaCO3:K2CO3:Nb2O5 = 0.235(1-x):(1-x):[0.235(1-x) + 0.25x]:0.06(1-x):0.25x:0.5x的摩尔比例混合,然后在高能球磨机中充分混合,取出烘干,研磨,在900℃下保温4小时合成(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-x K0.5Na0.5NbO3粉体;把所得粉体在高能球磨机中二次球磨,烘干,加入5wt%的聚乙烯醇(PVA)作为粘接剂,烘干,在液压机上压制成直径80mm、厚度5mm的生坯,将生坯在1100℃下保温12小时进行高温烧结,得到高致密的溅射用(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-x K0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材;
    2)将清洗干净的衬底硅片和金属靶材放入磁控溅射仪,直流磁控溅射金属靶材制备下电极,直流功率80W,氩气压力0.8Pa,衬底温度为室温;
    3)将机加工的溅射靶材(Φ60×3mm)装入磁控溅射仪,对已溅射下电极的衬底硅片进行清洗并放入溅射腔体,采用射频功率150W,氩气压力0.6Pa,衬底温度为300℃;溅射制备的Bi0.5Na0.5TiO3基薄膜的厚度为0.5~1.5μm,最后,将原位薄膜在空气中退火,温度500~800℃范围内,时间60分钟,然后得结晶态(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-x K0.5Na0.5NbO3高储能密度薄膜;
    4)使用金属掩膜版,圆孔的直径为1mm,采用磁控溅射在Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜的表面制备金属上电极,直流功率80W,氩气压力0.8Pa,衬底温度为室温,最终形成金属下电极/Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜/金属上电极三层结构的电容器。

    关 键 词:
    一种 BISUB05 SUBNASUB05 SUBTIOSUB3 SUB 基高储能 密度 薄膜 电容器 及其 制备 方法
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