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    重庆时时彩的三星组三: 一种混合存储器结构的低功耗刷新方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410067838.2

    申请日:

    2014.02.26

    公开号:

    CN103811048A

    公开日:

    2014.05.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/406申请日:20140226|||公开
    IPC分类号: G11C11/406 主分类号: G11C11/406
    申请人: 上海新储集成电路有限公司
    发明人: 景蔚亮; 陈邦明
    地址: 201500 上海市金山区亭卫公路6505号
    优先权:
    专利代理机构: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410067838.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.01.11|||2014.06.25|||2014.05.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种混合存储器结构的低功耗刷新方法,当DRAM处于非繁忙状态,运行在温度敏感模式下,非易失性存储器中的存储单元替代当前温度范围内中检测到的最差存储单元,重新配置所述DRAM刷新周期;如果在某一时刻检测到当前温度变化到另一温度范围,那么更新最差存储单元信息,更新刷新周期;如果DRAM运行在温度不敏感模式,非易失性存储器中的存储单元替代检测到的最差存储单元,重新配置DRAM的刷新周期;如果在某一时刻DRAM运行温度超过规定值时,DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。本发明的技术方案实现了刷新周期的提高,节省了刷新功耗,并且基本不影响原DRAM的存储与读取性能。

    权利要求书

    1.一种混合存储器结构的低功耗刷新方法,所述混合存储器结构包
    括DRAM、非易失性存储器和逻辑检测???,以及可在所述混合存
    储器上配置的温度传感器,其特征在于,包括以下步骤:
    步骤1,检测所述DRAM内部最差存储单元信息,并将最差存储单
    元信息存储在所述非易失性存储器中;
    步骤2,如果所述DRAM处于繁忙状态,所述DRAM以常规刷新模
    式工作,此时所述DRAM的刷新周期为常规刷新周期;
    步骤3,如果所述DRAM处于非繁忙状态,那么所述DRAM进入低
    功耗刷新模式,所述低功耗刷新模式包括温度敏感模式和温度不敏感
    模式,如果选择温度敏感模式,那么进入步骤4,如果选择温度不敏
    感模式,则进入步骤5;
    步骤4,如果所述DRAM运行在温度敏感模式下,所述非易失性存
    储器中的存储单元替代当前温度范围内在步骤1中检测到的最差存
    储单元,重新配置所述DRAM刷新周期;如果在某一时刻检测到当
    前温度变化到另一温度范围,那么更新最差存储单元信息,更新刷新
    周期;
    步骤5,如果所述DRAM运行在温度不敏感模式,所述非易失性存
    储器中的存储单元替代在步骤1中检测到的最差存储单元,重新配置
    所述DRAM的刷新周期;如果在某一时刻所述DRAM运行温度超过
    规定值时,所述DRAM会由低功耗刷新模式切换回常规刷新模式。
    2.如权利要求1所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,还包括步骤6:当检测在低功耗刷新模式下运行的所述DRAM
    处于繁忙状态,那么将所述非易失性存储单元中的数据写回至所述
    DRAM中,所述DRAM切换至常规刷新模式。
    3.如权利要求2所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1中的最差存储单元信息包括基于温度变化的最差存
    储单元信息或不基于温度变化的最差存储单元信息。
    4.如权利要求3所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,当对所述DRAM存取功耗接近或小于所述DRAM自身刷新功
    耗,那么所述DRAM处于非繁忙状态。
    5.如权利要求4所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,步骤2中所述温度感应器感应所述DRAM当前工作温度,所
    述DRAM以最短刷新周期T_refresh_spec周期刷新,并检测所述
    DRAM是否处于繁忙状态。
    6.如权利要求1所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1中的检测方法包括:
    步骤1.1,所述DRAM在初始测试温度Temp下第一次进行刷新检测,
    刷新周期为T_refresh_spec,所述刷新周期为最短刷新周期;
    步骤1.2,记录检测在当前刷新周期T_refresh下的最差存储单元信息;
    步骤1.3,对可工作在温度敏感模式下的DRAM,需要检测在不同温
    度下的最差存储单元信息;先判断当前测试温度是否达到检测上限温
    度Temp_max,未达到则在当前检测后将当前温度提高△T,将此新
    的测试温度覆盖成Temp,再返回步骤1.1重新检测;否则,将此测
    试温度设置回第一次初始测试温度Temp,再进行步骤1.4;若所述
    DRAM仅工作在温度不敏感模式下,那么直接进入步骤1.4;
    步骤1.4,判断当前测试刷新周期是否达到上限检测刷新周期
    T_refresh_max,若达到,则停止检测进入步骤1.5;若未达到,通过
    延迟时间提高△t来提高刷新周期,将此时新刷新周期覆盖成
    T_refresh_spec,再返回步骤1.1;
    步骤1.5,分析检测结果,并将最优方案结果保存至非易失性存储器
    中。
    7.如权利要求6所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1.5中,对于可工作在温度敏感模式下的所述DRAM,
    需要记录在不同温度范围下的最优方案;对于仅工作在温度不敏感模
    式下的所述DRAM,只需要记录在当前温度范围内的最优方案。
    8.如权利要求7所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1.1中的刷新检测为分布式刷新检测或者集中式刷新
    检测。
    9.如权利要求8所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1.2中的最差存储单元信息即在当前温度范围内,数
    据保持时间小于当前所述DRAM刷新周期的所述DRAM存储单元的
    物理地址信息。
    10.如权利要求1所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述温度敏感模式下,对所述最差存储单元的检测在DRAM
    芯片测试时进行。
    11.如权利要求1所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述温度不敏感模式下,对DRAM中最差存储单元的检测在
    DRAM芯片测试时进行;或在系统上电或下电定期进行,以在DRAM
    被长时间读写操作后数据保持性能下降时可通过重新检测来更新最
    差存储单元信息。
    12.如权利要求9所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特征
    在于,所述步骤1.2中的最差存储单元信息是一个单个的最差存储单
    元所对应地址,包括字线地址,位线地址;或是该最差存储单元所在
    行所在地址,即字线地址;或是在一定时间间隔内需要被刷新的行数,
    即刷新组的地址。
    13.如权利要求12所述的混合存储器结构的低功耗刷新方法,其特
    征在于,还包括在进入低功耗刷新模式之前将检测到的最差存储单元
    信息告知操作系统,操作系统重新映射查找表(LUT),将含有最差
    存储单元的第一刷新组上的内容存至其他不含有最差存储单元的第
    二刷新组地址上,并将第一刷新组失效。

    关 键 词:
    一种 混合 存储器 结构 功耗 刷新 方法
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