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    重庆时时彩开实体店: 一种阵列基板及其制备方法、显示装置.pdf

    关 键 词:
    一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
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    摘要
    申请专利号:

    CN201410057956.5

    申请日:

    2014.02.20

    公开号:

    CN103901687A

    公开日:

    2014.07.02

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G02F 1/1362申请公布日:20140702|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1362申请日:20140220|||公开
    IPC分类号: G02F1/1362; G02F1/1368; G02F1/1333; H01L27/12; H01L21/77; G03F7/00 主分类号: G02F1/1362
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 张锋; 曹占锋; 姚琪; 徐传祥
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410057956.5

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.07.07|||2014.07.30|||2014.07.02

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,当该阵列基板应用于显示装置时,能够减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰,降低相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象,提高显示装置的显示效果。该阵列基板包括衬底基板,设置在衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极;还包括位于像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层;凸起包括多个第一凸起,第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;其中,第一凸起与靠近第一凸起的相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于衬底基板的方向,第一凸起的高度大于像素电极的高度。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示装置的制备。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极;其特征在于,还包括位于所述像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层;
    所述凸起包括多个第一凸起,所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;
    其中,所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。

    2.  根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第一方向,所述第一凸起的宽度大于等于所述数据线的宽度。

    3.  根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起还包括多个第二凸起;
    所述第二凸起至少设置在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;
    其中,所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。

    4.  根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,沿所述第二方向,所述第二凸起的宽度大于等于所述栅线的宽度。

    5.  根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述相邻的两个像素电极相对于对应的一个所述凸起的中线对称。

    6.  根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括公共电极;
    所述层间绝缘层位于包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层与包括所述公共电极的图案层之间。

    7.  根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述层间绝缘层包括依次设置在包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层上方的无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层,且所述凸起设置在所述第二绝缘层上。

    8.  根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。

    9.  一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

    10.  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
    在衬底基板上形成薄膜晶体管、数据线、以及栅线的步骤;
    在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤;
    在形成有包括凸起的层间绝缘层的基板上形成像素电极的步骤;
    其中,所述凸起包括多个第一凸起;所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;且所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。

    11.  根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述凸起包括还多个第二凸起;
    在形成所述第一凸起的同时,在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内形成所述第二凸起;且所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。

    12.  根据权利要求10或11所述的制备方法,其特征在于,在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤具体包括,
    在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层的基板上形成绝缘材料层;
    在形成有所述绝缘材料层的基板上涂覆光刻胶;
    采用半色调模板或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述薄膜晶体管的漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域;
    对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分进行刻蚀,形成包括凸起的层间绝缘层。

    13.  根据权利要求10或11所述的制备方法,其特征在于,所述层间绝缘层,包括,
    在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上依次形成无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层, 且所述凸起形成于所述第二绝缘层上。

    14.  根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成有机树脂材料的第二绝缘层的步骤具体包括,
    在形成有无机材料的第一绝缘层上形成有机树脂材料层,在形成有所述有机树脂材料层的基板上涂覆光刻胶;
    采用半色调掩模板或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域;
    对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半部分保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分的基板进行刻蚀,形成第二绝缘层。

    15.  根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。

    16.  根据权利要求15所述的制备方法,其特征在于,在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成正性光刻胶材料或负性光刻胶材料的第二绝缘层的步骤具体包括,
    在形成有无机材料的第一绝缘层上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶;
    采用半色调掩模板或灰色调掩模板,对形成有所述正性光刻胶或所述负性光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域,形成第二绝缘层。

    说明书

    说明书一种阵列基板及其制备方法、显示装置
    技术领域
    本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
    背景技术
    随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD Display)技术的发展和进步,液晶显示器装置已经取代了阴极射线管显示装置成为了日常显示领域的主流显示装置。
    目前,为了不断提高液晶显示装置显示图像的质量,其分辨率在不断地提高,力求为消费者提供更为清晰逼真的显示画面。分辨率定义为液晶显示装置中每英寸面积内的像素的数量,这样以来,分辨率越高则液晶显示装置中像素单元的尺寸就越小,相应地,如图1所示,相邻的两个像素单元中的像素电极50之间的间距d也越来越小,当给像素电极50通入一定的工作电压时,将导致相邻的两个像素电极50之间的电场发生干扰(如图中箭头所示),从而影响显示画面的质量。
    例如,如图2所示,当仅要求某一像素单元(标记为a)对应的液晶分子90偏转而与该像素单元相邻的另一个像素单元(标记为b)对应液晶分子90不发生偏转时,由于像素单元a与像素单元b之间的间隔很小,使得相邻的两个像素电极50之间的电场发生干扰,导致相邻的像素单元a与像素单元b之间的液晶分子90,以及像素单元b靠近像素单元a的边缘处对应的液晶分子发生偏转,从而使液晶显示装置中相邻的像素单元产生混色、漏光等现象,影响了液晶显示装置的显示的效果。
    发明内容
    本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,当该阵列基板应用于显示装置时,可减少相邻的两个像素电极之间电场的干扰,降低相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象,提高显示装置的显示效果。
    为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
    一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极;所述阵列基板还包括位于所述像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层;所述凸起包括多个第一凸起,所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;其中,所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。
    可选的,沿所述第一方向,所述第一凸起的宽度大于等于所述数据线的宽度。
    可选的,所述凸起还包括多个第二凸起;所述第二凸起至少设置在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;其中,所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。
    优选的,沿所述第二方向,所述第二凸起的宽度大于等于所述栅线的宽度。
    可选的,所述相邻的两个像素电极相对于对应的一个所述凸起的中线对称。
    优选的,所述阵列基板还包括公共电极;所述层间绝缘层位于包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层与包括所述公共电极的图案层之间。
    优选的,所述层间绝缘层包括依次设置在包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的图案层上方的无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层,且所述凸起设置在所述第二绝缘层上。
    进一步优选的,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。
    一方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述的所述的阵列基板。
    另一方面,本发明实施例又提供了一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:
    在衬底基板上形成薄膜晶体管、数据线、以及栅线的步骤;在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤;在形成有包括凸起的层间绝缘层的基板上形成像素电极的步骤;其中,所述凸起包括多个第一凸起;所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;且所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。
    可选的,所述凸起还包括多个第二凸起;在形成所述第一凸起的同时,在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内形成所述第二凸起;且所述第二凸起与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第二凸起的高度大于所述像素电极的高度。
    优选的,在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的步骤具体包括,在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成绝缘材料层;在形成有所述绝缘材料层的基板上涂覆光刻胶;采用半色调模板或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述薄膜晶体管的漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域;对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分进行刻蚀,形成包括凸起的层间绝缘层。
    优选的,所述层间绝缘层,包括,在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上依次形成无机材料的第一绝缘层和有机树脂材料的第二绝缘层,且所述凸起形成于所述第二绝缘层上。
    进一步优选的,在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成有机 树脂材料的第二绝缘层的步骤具体包括,在形成有无机材料的第一绝缘层上形成有机树脂材料层,在形成有所述有机树脂材料层的基板上涂覆光刻胶;采用半色调掩模板或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域;对所述光刻胶完全去除部分、所述光刻胶半部分保留部分、以及所述光刻胶完全保留部分进行刻蚀,形成第二绝缘层。
    优选的,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。
    进一步优选的,在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成正性光刻胶材料或负性光刻胶材料的第二绝缘层的步骤具体包括,在形成有无机材料的第一绝缘层上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶;采用半色调掩模板或灰色调掩模板,对形成有所述正性光刻胶或所述负性光刻胶的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分、以及光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全保留部分对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域,形成第二绝缘层。
    本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,所述阵列基板包括衬底基板,设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、数据线、栅线以及像素电极;所述阵列基板还包括位于所述像素电极下方的包括凸起的层间绝缘层;所述凸起包括多个第一凸起,所述第一凸起至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内;其中,所述第一凸起与靠近所述第一凸起的所述相邻的两个像素电极均无重叠,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述第一凸起的高度大于所述像素电极的高度。
    当所述阵列基板应用于显示装置时,在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极相互靠近的区域内设置的所述第一凸起可以隔离所述两个像素电极之间的电场的相互干扰,避免了像素电极对与其相邻的另一个像素电极对应的液晶分子的偏转的影响,从而改善了现有技术 提供的阵列基板应用于显示装置时容易发生的相邻像素单元之间的混色、漏光现象,提高了所述显示装置的显示效果。
    附图说明
    为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
    图1为现有技术中阵列基板的剖面结构示意图;
    图2为现有技术中相邻像素电极之间的电场干扰引起漏光、混色的模拟示意图;
    图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
    图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图一;
    图5(a)为本发明实施例中像素电极与第一凸起的相对位置示意图一;
    图5(b)为本发明实施例中像素电极与第一凸起的相对位置示意图二;
    图6为本发明实施例提供的阵列基板中减小相邻像素电极之间的电场干扰的效果模拟示意图;
    图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图二;
    图8(a)为本发明实施例中像素电极与第二凸起的相对位置示意图一;
    图8(b)为本发明实施例中像素电极与第二凸起的相对位置示意图二;
    图9(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板包括公共电极时的剖面结构示意图一;
    图9(b)为本发明实施例提供的一种阵列基板包括公共电极时的剖面结构示意图二;
    图9(c)为本发明实施例提供的一种阵列基板包括公共电极时的剖面结构示意图三;
    图9(d)为本发明实施例提供的一种阵列基板包括公共电极时的剖面结构示意图四;
    图10~图15为本发明实施例提供的在形成有包括所述薄膜晶体管、所述数据线、以及所述栅线的基板上形成包括凸起的层间绝缘层的制备过程示意图;
    图16~图17为本发明实施例提供的在形成有包括所述第一绝缘层的基板上形成正性光刻胶材料或负性光刻胶材料的第二绝缘层的制备过程示意图;
    图18为本发明具体实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。
    附图标记;
    01-阵列基板;10-衬底基板;20-薄膜晶体管;202-漏极;203-栅绝缘层;30-栅线;40-数据线;50-像素电极;50h-像素电极的高度;60-层间绝缘层;601-第一绝缘层;602-第二绝缘层;610-凸起;611-第一凸起;611h-第一凸起的高度;612-第二凸起;612h-第二凸起的高度;70-公共电极;80-钝化层;801-绝缘材料层;90-液晶分子;100-半色调掩模板;100a-完全不透明部分;100b-半透明部分;100c-完全透明部分;110-正性光刻胶;111-负性光刻胶;110a-完全保留部分;110b-半保留部分;110c-完全去除部分。
    具体实施方式
    下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例?;诒痉⒚髦械氖凳├?,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明?;さ姆段?。
    本发明实施例提供了一种阵列基板01,如图3~图5(b)所示,所述阵列基板01包括衬底基板10,设置在所述衬底基板10上的薄膜晶体管20、数据线40、栅线30以及像素电极50;所述阵列基板01 还包括位于所述像素电极50下方的包括凸起的层间绝缘层60(图3中未标示出);所述凸起包括多个第一凸起611,所述第一凸起611至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内;其中,所述第一凸起611与靠近所述第一凸起611的所述相邻的两个像素电极50均无重叠,沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h大于所述像素电极的高度50h。
    需要说明的是,第一,如图4所示,所述第一凸起611是指所述层间绝缘层60上相对于平坦区域的突出部分,所述第一凸起的高度611h,即指所述第一凸起611相对于所述层间绝缘层60上的平坦区域的高度。
    第二,所述层间绝缘层60的具体层数不做限定,在所述层间绝缘层60包括至少两层绝缘层的情况下,考虑到应最大程度地简化所述层间绝缘层60的制备工艺,所述凸起仅需设置在其中一个绝缘层上,即可以实现隔离所述相邻的两个像素电极50之间的电场的相互干扰这一作用。
    第三,如图5(a)所示,所述凸起中的所述第一凸起611可以仅设置在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内,即沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述第一凸起611之间具有间隔,或者,如图5(b)所示,所述第一凸起611可以设置在沿所述第二方向的两列所述像素电极50之间,即两列所述像素电极50对应一个所述第一凸起611。
    第四,采用上述的所述阵列基板01能够减少相邻的两个像素单元中的所述像素电极50之间电场的干扰,从而降低相邻像素单元之间的混色现象的原理为:
    参考图3和图4所示,在所述阵列基板01中,横纵交叉的所述数据线40和所述栅线30围设成以矩阵形式排列的多个像素单元,当所述数据线40和所述栅线30围设成的像素单元的尺寸不断减小,导致相邻的两个像素电极50之间的距离不断减小时,相比于沿所述第二方向的相邻的两个像素电极50而言,沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的距离减小的程度更为明显,即沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的电场干扰更为强烈。
    因此,本发明实施例中在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内设置有所述第一凸起611,且沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h大于所述像素电极的高度50h,可以起到明显隔离沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的电场相互干扰的作用,从而改善现有技术中阵列基板应用于显示装置时容易发生的混色、漏光现象,提高了所述显示装置的显示效果。
    考虑到相比于所述像素电极的高度50h,所述第一凸起的高度611h具有较大的数值时隔离相邻两个像素电极50之间的电场干扰作用更为明显,优选为,所述第一凸起的高度611h比所述像素电极的高度50h应至少高出1μm。
    这里,在所述阵列基板01应用于显示装置并工作时,所述第一凸起611改善显示装置的显示效果可参考以下模拟图:
    如图6所示,当像素单元a内的像素电极50对应的液晶分子90发生偏转时,由于上述的所述第一凸起611的隔离作用,可以减小该像素电极50对与其相邻的像素单元b内的另一个像素电极50的电场干扰,从而避免了相邻两个像素电极50之间的液晶分子90以及像素单元b靠近像素单元a的边缘处对应的液晶分子90发生偏转,当所述阵列基板01应用于显示装置时,宏观上表现为减少了显示装置中的相邻的两个像素单元之间的混色、漏光现象,提高了显示效果。
    进一步的,考虑到当所述第一凸起611与相互靠近的所述相邻的两个像素电极50之间的距离较小时,对实现上述的电场干扰的隔离效果更为有效,因此,参考图4所示,沿所述第一方向,所述第一凸起611的宽度大于等于所述数据线40的宽度。
    在上述基础上,如图7所示,考虑到当所述数据线40和所述栅线30围设成的像素单元的尺寸不断减小,导致相邻的两个像素电极50之间的距离不断减小时,沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极50之间的距离也减小,即沿所述第二方向的相邻的两个像素电极50之间的电场也存在一定程度的干扰。
    因此,所述凸起610还包括多个第二凸起612;所述第二凸起612至少设置在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内。
    其中,所述第二凸起612与靠近所述第二凸起的所述相邻的两个像素电极50均无重叠,沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第二凸起的高度612h大于所述像素电极的高度50h。
    此处,考虑到简化所述凸起的制备工艺,所述第二凸起的高度612h与上述的所述第一凸起的高度611h相同。
    由上述描述可知,所述第二凸起612与所述第一凸起611是同层设置的,因此,如图8(a)所示,所述凸起610中的第二凸起612可以仅设置在沿所述第二方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内,即沿所述第一方向,所述第二凸起612之间具有间隔;此时,所述第一凸起611也可以仅设置在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内。
    或者,如图8(b)所示,所述第二凸起612可以设置在沿所述第一方向的两行所述像素电极50之间,即两行所述像素电极50对应一个所述第二凸起612;此时,所述第一凸起611也可以延伸至与所述第二凸起612相接触,即所述第一凸起611与所述第二凸起612构成网格型图案。
    进一步的,考虑到当所述第二凸起612与相互靠近的所述相邻的两个像素电极50之间的距离较小时,对实现上述的电场隔离效果更为有效,因此,参考图4所示,沿所述第二方向,所述第二凸起612的宽度大于等于所述栅线30的宽度。
    本发明实施例进一步优选为,所述相邻的两个像素电极50相对于对应的一个所述凸起的中线对称,即:沿所述第一方向,所述相邻的两个像素电极50相对于对应的一个所述第一凸起611的中线对称,沿所述第二方向,所述相邻的两个像素电极50相对于对应的一个所述第二凸起612的中线对称。
    这样,所述第一凸起611对靠近的所述相邻的两个像素电极50的电场干扰的隔离作用均相等,所述第二凸起612对靠近的所述相邻的两个像素电极50的电场干扰的隔离作用均相等,当所述阵列基板01应用于显示装置时,能够更有效地降低所述显示装置中相邻像素单元之间的混色现象,从而提高所述显示装置的显示效果。
    在上述基础上,所述阵列基板01还包括公共电极70;其中,所 述层间绝缘层60位于包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的图案层与包括所述公共电极70的图案层之间。
    当然,所述阵列基板01还包括位于包括所述公共电极70的图案层与包括所述像素电极50的图案层之间的钝化层80。
    针对包括所述像素电极50的图案层位于包括所述公共电极70的图案层的上方的情况,由于所述像素电极50需与所述薄膜晶体管20的漏极202电连接,因此,如图9(a)所示,当所述阵列基板01中的所述薄膜晶体管20的类型为底栅型时,所述钝化层80和所述层间绝缘层60上设置有露出所述漏极202的贯通孔;如图9(b)所示,当所述阵列基板01中的所述薄膜晶体管20的类型顶栅型时,所述钝化层80、所述层间绝缘层60以及所述栅绝缘层203上设置有露出所述漏极202的贯通孔。
    进一步的,当沿所述第一方向,所述第一凸起611的宽度大于等于所述数据线40的宽度时,由于所述层间绝缘层60位于包括所述公共电极70的图案层的下方,所述第一凸起611还可以增大所述公共电极70与所述数据线40的重叠区域之间的间距,从而能够减小二者重叠的区域的寄生电容,减小所述阵列基板01的整体能耗。
    针对包括所述像素电极50的图案层位于包括所述公共电极70的图案层的下方的情况,由于所述像素电极50需与所述薄膜晶体管20的漏极202电连接,因此,如图9(c)所示,当所述阵列基板01中的所述薄膜晶体管20的类型为底栅型时,所述层间绝缘层60上设置有露出所述漏极202的过孔;如图9(d)所示,当所述阵列基板01中的所述薄膜晶体管20的类型顶栅型时,所述层间绝缘层60和所述栅绝缘层203上设置有露出所述漏极202的贯通孔。
    在上述基础上,参考图9(a)和图9(c)所示,所述层间绝缘层60包括依次设置在包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的图案层上方的无机材料的第一绝缘层601和有机树脂材料的第二绝缘层602,且所述凸起设置在所述第二绝缘层602上。
    由于有机树脂材料具有较高的透过性,其作为所述第二绝缘层602时可以使得所述凸起的高度值较大,而无机材料的所述第一绝缘层601能够增大所述第二绝缘层602与包括所述薄膜晶体管20、所 述数据线40、以及所述栅线30的图案层的结合强度。这里,仅以所述薄膜晶体管20的类型为底栅型为例进行描述,本发明不限于此。
    进一步的,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。
    其中,所述正性光刻胶材料是指在曝光前不溶解于显影液,经过曝光后,正性光刻胶转变为能够溶解于显影液中的物质;所述负性光刻胶材料指能够溶解于显影液,经过曝光后,负性光刻胶转变为不溶解于显影液中的物质。
    利用所述正性光刻胶材料或所述负性光刻胶材料本身的感光特性,对形成在所述无机材料的第一绝缘层601上的所述正性光刻胶或所述负性光刻胶本身进行曝光、显影后,即可方便快捷地形成具有所述凸起的所述第二绝缘层602,同时,由于形成所述第二绝缘层602上的所述凸起时不需要经过刻蚀工艺,可以避免形成具有一定高度的所述凸起时发生刻蚀残留或刻蚀不均,提高了所述层间绝缘层60的整体品质。
    本发明实施例还提供了一种针对上述的所述阵列基板01的制备方法,包括:
    S01、在衬底基板10上形成薄膜晶体管20、数据线40、以及栅线30的步骤。
    S02、在形成有包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的基板上形成包括凸起的层间绝缘层60的步骤。
    S03、在形成有包括凸起的层间绝缘层60的基板上形成像素电极50的步骤。
    其中,参考图4所示,所述凸起包括多个第一凸起611;所述第一凸起611至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内;且所述第一凸起611与靠近所述第一凸起611的所述相邻的两个像素电极50均无重叠,沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h大于所述像素电极的高度50h。
    这里,参考图5(a)所示,所述凸起中的所述第一凸起611可以仅形成于沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域 内,即沿与所述第一方向垂直的第二方向,所述第一凸起611之间具有间隔,或者,参考图5(b)所示,所述第一凸起611可以形成于沿所述第二方向的两列所述像素电极50之间。
    由于在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内形成有所述第一凸起611,且沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h大于所述像素电极的高度50h,可以起到明显隔离沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的电场相互干扰的作用,从而改善现有技术中阵列基板应用于显示装置时容易发生的混色、漏光现象,提高了所述显示装置的显示效果。
    进一步的,考虑到当所述数据线40和所述栅线30围设成的像素单元的尺寸不断减小,导致相邻的两个像素电极50之间的距离不断减小时,沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极50之间的距离也减小,即沿所述第二方向的相邻的两个像素电极50之间的电场也存在一定程度的干扰。
    因此,参考图7所示,所述凸起还包括多个第二凸起612。形成所述凸起包括在形成所述第一凸起611的同时,在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内形成所述第二凸起612。
    其中,所述第二凸起612与靠近所述第二凸起612的所述相邻的两个像素电极50均无重叠,沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第二凸起612的高度大于所述像素电极50的高度。
    在上述基础上,在形成有包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的基板上形成包括凸起的层间绝缘层60的所述步骤S02,具体包括:
    S101、如图10所示,在形成有包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的基板上形成绝缘材料层801。
    S102、如图11所示,形成有所述绝缘材料层801的基板上涂覆光刻胶110。
    S103、如图12所示,采用半色调模板100或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶110的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保 留部分110a、光刻胶半保留部分110b和光刻胶完全去除部分110c。
    其中,所述光刻胶完全保留部分110a对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分110c对应所述薄膜晶体管20的漏极202的区域,所述光刻胶半保留部分110b对应其他区域。
    此处,所述光刻胶110为正性光刻胶,即所述光刻胶完全保留部分110a对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全不透明部分100a,光刻胶半保留部分110b对应半色调模板100或灰色调掩模板的半透明部分100b,所述光刻胶完全去除部分110c对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全透明部分100c。
    S104、对所述光刻胶完全去除部分110c、所述光刻胶半保留部分110b以及所述光刻胶完全保留部分110a进行刻蚀,形成包括凸起的层间绝缘层60。
    其中,上述步骤S104具体可以包括:
    S1041、如图13所示,对所述光刻胶完全去除部分110c露出的所述绝缘材料层801进行刻蚀,露出所述薄膜晶体管20的漏极202的区域。
    S1042、如图14所示,采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分110b的光刻胶,对露出的所述绝缘材料层801进行刻蚀,通过控制刻蚀时间、刻蚀速率等工艺参数,形成层间绝缘层60上的平坦的其他区域。
    S1043、如图15所示,去除所述光刻胶完全保留部分110a,形成包括凸起的所述层间绝缘层60。
    进一步的,所述层间绝缘层60包括在形成有包括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的基板上依次形成无机材料的第一绝缘层601和有机树脂材料的第二绝缘层602,且所述凸起形成于所述第二绝缘层602上。
    这里,所述在形成有包括所述第一绝缘层601的基板上形成有机树脂材料的第二绝缘层602的步骤,具体包括:
    S201、在形成有无机材料的第一绝缘层601上形成有机树脂材料层,在形成有所述有机树脂材料层的基板上涂覆光刻胶110。
    S202、采用半色调掩模板100或灰色调掩模板,对形成有所述光刻胶110的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分110a、光刻胶半保留部分110b、以及光刻胶完全去除部分110c。
    其中,所述光刻胶完全保留部分110a对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述漏极的区域110c,所述光刻胶半保留部分对应其他区域110b。
    此处,所述光刻胶110为正性光刻胶,即所述光刻胶完全保留部分110a对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全不透明部分100a,光刻胶半保留部分110b对应半色调模板100或灰色调掩模板的半透明部分100b,所述光刻胶完全去除部分110c对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全透明部分100c。
    S203、对所述光刻胶完全去除部分110c、所述光刻胶半部分保留部分110b、以及所述光刻胶完全保留部分110a进行刻蚀,形成第二绝缘层602。
    其中,上述步骤S203具体可以包括:
    S2031、对所述光刻胶完全去除部分110c露出的所述无机材料的第一绝缘层601和所述有机树脂材料层进行刻蚀,露出所述薄膜晶体管20的漏极202的区域。
    S2032、采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分110b的光刻胶,对露出的所述有机树脂材料层进行刻蚀,通过控制刻蚀时间、刻蚀速率等工艺参数,形成第二绝缘层602上的平坦的其他区域。
    S2033、去除所述光刻胶完全保留部分110a,形成包括凸起的所述第二绝缘层602。
    在上述基础上,所述有机树脂材料为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。
    其中,所述正性光刻胶材料是指在曝光前不溶解于显影液,经过曝光后,正性光刻胶转变为能够溶解于显影液中的物质;所述负性光刻胶材料指能够溶解于显影液,经过曝光后,负性光刻胶转变为不溶解于显影液中的物质。
    这里,所述在形成有包括所述第一绝缘层601的基板上形成正性 光刻胶材料或负性光刻胶材料的第二绝缘层602的步骤,具体包括:
    S301、如图16所示,在形成有无机材料的第一绝缘层601上涂覆正性光刻胶110或负性光刻胶111。
    这里需要说明的,由于后续工艺形成所述第二绝缘层602上的凸起时,可利用所述正性光刻胶材料或所述负性光刻胶材料本身的感光特性,仅需对所述正性光刻胶110或所述负性光刻胶111进行曝光、显影后,即可形成具有所述凸起的所述第二绝缘层602,因此,在所述步骤S301之前,形成的所述第一绝缘层601应先露出所述薄膜晶体管20的漏极202的区域。
    S302、如图17所示,采用半色调掩模板100或灰色调掩模板,对形成有所述正性光刻胶110或所述负性光刻胶111的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分110a、光刻胶半保留部分110b、以及光刻胶完全去除部分110c,从而形成包括所述凸起的所述第二绝缘层602。
    其中,所述光刻胶完全保留部分110a对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分110c对应所述薄膜晶体管20的漏极202的区域,所述光刻胶半保留部分110b对应其他区域,形成第二绝缘层。
    这里,图17仅以所述正性光刻胶110为例进行说明,对于所述负性光刻胶111的情况,由于所述负性光刻胶111与所述正性光刻胶110具有相反的感光特性,即:对所述负性光刻胶111进行曝光、显影后,所述负性光刻胶111同样形成光刻胶完全保留部分110a、光刻胶半保留部分110b、以及光刻胶完全去除部分110c,其中,所述光刻胶完全保留部分110a对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全透明部分100c,光刻胶半保留部分110b对应半色调模板100或灰色调掩模板的半透明部分100b,所述光刻胶完全去除部分110c对应半色调模板100或灰色调掩模板的完全不透明部分100a。
    下面提供一个具体实施例,用于详细描述上述的所述阵列基板01及其制备方法:
    本发明具体实施例提供了一种阵列基板01,参考图3、图9(a)和图18所示,所述阵列基板01包括衬底基板10,设置在所述衬底基板10上的底栅型薄膜晶体管20、数据线40、栅线30、设置在包 括所述薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30的图案层上的包括凸起的层间绝缘层60、设置在所述层间绝缘层60上的板状的公共电极70、设置在包括所述公共电极70的图案层上的钝化层80、以及设置在所述钝化层80上的具有狭缝结构或梳状结构的像素电极50。
    这里,由于所述像素电极50需与所述薄膜晶体管20的漏极202电连接,因此,参考图9(a)所示,所述钝化层80和所述层间绝缘层60上设置有露出所述漏极202的贯通孔。
    参考图9(a)和图18所示,所述层间绝缘层60包括氮化硅材料的第一绝缘层601和正性光刻胶材料的第二绝缘层602,且所述凸起设置在所述第二绝缘层602上。
    其中,所述凸起包括多个第一凸起611和多个第二凸起612,所述第一凸起611至少设置在沿第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内,所述第一凸起611与靠近所述第一凸起611的所述相邻的两个像素电极50均无重叠。所述第二凸起612至少设置在沿与所述第一方向垂直的第二方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内,所述第二凸起612与靠近所述第一凸起612的所述相邻的两个像素电极50均无重叠。沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h与所述第二凸起的高度612h相等,且均大于所述像素电极的高度50h。
    参考图3所示,当所述数据线40和所述栅线30围设成的像素单元的尺寸不断减小,导致相邻的两个像素电极50之间的距离不断减小时,所述第一凸起611可以隔离沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的电场干扰,相应地,所述第二凸起612可以隔离沿所述第二方向的相邻的两个像素电极50之间的电场干扰,从而改善现有技术中阵列基板应用于显示装置时容易发生的混色、漏光现象,提高了所述显示装置的显示效果。
    考虑到当所述第一凸起611和所述第二凸起612分别与相互靠近的所述相邻的两个像素电极50之间的距离较小时,对实现上述的电场干扰的隔离效果更为有效,因此,参考图9(a)所示,沿所述第一方向,所述第一凸起611的宽度大于等于所述数据线40的宽度,沿所 述第二方向,所述第二凸起612的宽度大于等于所述栅线30的宽度。
    进一步的,沿所述第一方向,所述相邻的两个像素电极50相对于对应的一个所述第一凸起611的中线对称,沿所述第二方向,所述相邻的两个像素电极50相对于对应的一个所述第二凸起612的中线对称,这样,所述第一凸起611对靠近的所述相邻的两个像素电极50的电场干扰的隔离作用均相等,所述第二凸起612对靠近的所述相邻的两个像素电极50的电场干扰的隔离作用均相等,当所述阵列基板01应用于显示装置时,能够更有效地降低所述显示装置中相邻像素单元之间的混色现象,从而提高所述显示装置的显示效果。
    针对上述具体实施例提供的所述阵列基板01,可以采用例如以下方法制备,所述制备方法包括如下步骤:
    S401、在衬底基板10上形成底栅型薄膜晶体管20、数据线40、以及栅线30。这里,形成所述底栅型薄膜晶体管20、所述数据线40、以及所述栅线30可沿用现有的制备工艺,在此不再赘述。
    S402、在完成上述步骤S401的基板上形成一层氮化硅材料的第一绝缘层601、且所述第一绝缘层601露出所述漏极202。
    S403、在完成上述步骤S402的基板上涂覆一层正性光刻胶110。
    S404、采用半色调掩模板100,对形成有所述正性光刻胶110的基板进行曝光、显影后,形成光刻胶完全保留部分110a、光刻胶半保留部分110b、以及光刻胶完全去除部分110c。
    其中,所述光刻胶完全保留部分110a对应所述凸起的区域,所述光刻胶完全去除部分对应所述第一绝缘层601露出所述漏极202的区域,所述光刻胶半保留部分对应其他区域110b,从而形成所述第二绝缘层602。
    S405、在完成上述步骤S404的基板上依次形成公共电极70和钝化层80,其中,所述钝化层80露出所述漏极202。
    S406、在完成上述步骤S405的基板上形成像素电极50,所述像素电极50与所述钝化层80露出的所述漏极202电连接。
    通过上述步骤S401~S406,便可以制备得到如图18所示的阵列基板01。
    本发明实施例提供了一种显示装置,包括上述的所述阵列基板01。当所述显示装置进行显示时,由于在所述阵列基板01中,在沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50相互靠近的区域内设置有所述第一凸起611,且沿垂直于所述衬底基板10的方向,所述第一凸起的高度611h大于所述像素电极的高度50h,可以起到明显隔离沿所述第一方向的相邻的两个像素电极50之间的电场相互干扰的作用,从而改善现有技术中阵列基板应用于显示装置时容易发生的混色、漏光现象,提高了所述显示装置的显示效果。
    上述显示装置具体可以是液晶显示装置,可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
    基于上述描述,本领域技术人员应该明白,本发明实施例中所有附图是所述阵列基板的简略的示意图,只为清楚描述本方案中与本发明点相关的结构,对于其他的与本发明点无关的结构是现有结构,在附图中并未体现或只体现部分。
    以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的?;し段Р⒉痪窒抻诖?,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的?;し段е?。因此,本发明的?;し段вσ运鋈ɡ蟮谋;し段??!  ∧谌堇醋宰ɡ鴚ww.www.4mum.com.cn转载请标明出处

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