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    重庆时时彩圣神计划: 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310718120.0

    申请日:

    2013.12.23

    公开号:

    CN103910885A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C08G 77/62申请公布日:20140709|||实质审查的生效IPC(主分类):C08G 77/62申请日:20131223|||公开
    IPC分类号: C08G77/62; H01L21/02 主分类号: C08G77/62
    申请人: 第一毛织株式会社
    发明人: 裴镇希; 李汉松; 郭泽秀; 金古恩; 金补宣; 金相均; 罗隆熙; 朴银秀; 徐珍雨; 宋炫知; 林相学; 任浣熙; 洪承希; 黄丙奎
    地址: 韩国庆尚北道
    优先权: 2012.12.31 KR 10-2012-0158681; 2013.06.27 KR 10-2013-0074682
    专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;张英
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310718120.0

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.02.01|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明披露了制备间隙填充剂的方法;通过所述方法制备的间隙填充剂;和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种制备间隙填充剂的方法,包括:
    将卤代硅烷注入碱性溶剂;和
    以1g/hr至15g/hr的速度加入基于100重量份所述卤代硅烷的50重量份至70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。

    2.  根据权利要求1所述的方法,其中,以2g/hr至9g/hr的速度加入所述氨。

    3.  根据权利要求1所述的方法,其中,以3g/hr至7g/hr的速度加入所述氨。

    4.  根据权利要求1所述的方法,其中,所述卤代硅烷选自RSiX3、R2SiX2、R3SiX和它们的组合,其中,每个中的R独立地选自氢、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C7至C30芳烷基、取代的或未取代的C1至C30杂烷基、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基和它们的组合,条件是至少一个R是氢,并且X是卤素原子。

    5.  根据权利要求1所述的方法,其中,所述碱性溶剂选自三甲胺、二甲基乙胺、二乙基甲胺、三乙胺、吡啶、甲基吡啶、二甲基苯胺、三甲基膦、二甲基乙基膦、甲基二乙基膦、三乙膦、三甲基胂、三甲基锑、三嗪和它们的组合。

    6.  根据权利要求1所述的方法,其中,所述间隙填充剂包含含有由以下化学式1表示的部分的氢化聚硅氮烷:
    [化学式1]

    其中,在上述化学式1中,R1至R3各自独立地是氢、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C7至C30芳烷基、取代的或未取代的C1至C30杂烷基、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或它们的组合。

    7.  根据权利要求1所述的方法,其中,所述间隙填充剂包括氢化聚硅氧氮烷,所述氢化聚硅氧氮烷包含以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分:
    [化学式1]         [化学式2]

    其中,上述化学式1和2的R1至R7各自独立地是氢、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C7至C30芳烷基、取代的或未取代的C1至C30杂烷基、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羟基或它们的组合。

    8.  根据权利要求6或权利要求7所述的方法,其中,基于氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷结构中Si-H键的总量,所述氢化聚硅氮烷或所 述氢化聚硅氧氮烷在末端以15%至35%的量包含由以下化学式3表示的部分:
    [化学式3]
    *-SiH3。

    9.  根据权利要求6或权利要求7所述的方法,其中,所述氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷具有1,000至10,000的重均分子量(Mw)。

    10.  根据权利要求7所述的方法,其中,所述氢化聚硅氧氮烷具有0.2wt%至3wt%的氧含量。

    11.  一种由权利要求1所述的方法制备的半导体电容器间隙填充剂,并且所述间隙填充剂在150℃的热板上加热干燥3分钟前后具有小于15%的膜厚度的收缩率。

    12.  一种制造半导体电容器的方法,包括:
    在半导体基板上提供具有间隙的模型;
    在所述半导体基板和所述模型上提供导电层;
    在所述间隙和所述导电层上涂覆填充剂以提供填料层;
    对所述填料层进行热处理;
    对部分所述填料层进行显影以提供填充在所述间隙中的填料图案;
    除去部分所述导电层以分离多个第一电极;
    除去所述模型和所述填料图案;
    在所述第一电极上提供介电层;和
    在所述介电层上提供第二电极,
    其中所述填充剂通过根据权利要求1所述的方法制备。

    关 键 词:
    制备 间隙 填充 方法 使用 制造 半导体 电容器
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