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    重庆时时彩高手论坛: 栅氧化层失效点的定位方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410076780.8

    申请日:

    2014.03.04

    公开号:

    CN103926264A

    公开日:

    2014.07.16

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01N 23/22申请日:20140304|||公开
    IPC分类号: G01N23/22; H01L21/66 主分类号: G01N23/22
    申请人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
    发明人: 李桂花; 仝金雨; 刘君芳; 郭伟; 李剑
    地址: 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
    优先权:
    专利代理机构: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410076780.8

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.03.02|||2014.08.13|||2014.07.16

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开的一种栅氧化层失效点的定位方法,通过于去除金属层后,采用中高加速电压形成的电子束扫描去除金属层后待测半导体结构得到一具有失效点图形电镜图,并根据该电镜图确定失效点在栅氧化层中的位置,从而能够更精确的定位栅氧化层的击穿点,进而有效的提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的成功率,进一步缩短了后续透射电镜样品的制备时间,提高了栅氧化层击穿电压测试失效分析的效率,给需要精确定位的透射电镜样品的制备提供了必要的条件,且在无法使用光学定位机台时,仍然可以精确定位栅氧化层的击穿点以及栅氧化层的失效分析。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,包括如下步骤:
    步骤S1,提供一具有栅氧化层和依次位于该栅氧化层上方的栅极、绝缘层和金属层的待测半导体结构,且所述栅氧化层中具有失效点;
    步骤S2,去除所述金属层后,利用加速电压形成的电子束扫描剩余的待测半导体结构得到一具有失效点图形的电镜图,并根据该电镜图确定所述失效点在所述栅氧化层中的位置。

    2.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述加速电压的值大于5KV且小于等于30KV。

    3.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述方法还包括:
    先利用一显微镜得到所述待测半导体结构的光学图片,并将该光学图片的失效点图像予以标记后,继续去除所述金属层;
    根据所述光学图片中标记的失效点图像得到所述失效点在所述剩余的待测半导体结构中的位置区域;
    利用加速电压形成的电子束扫描所述剩余的待测半导体结构中的所述位置区域得到一具有失效点图形的电镜图,并根据该电镜图确定所述失效点在所述栅氧化层中的位置。

    4.  如权利要求3所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述显微镜为光发射显微镜或激光诱导显微镜。

    5.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在 于,在所述加速电压条件下,利用一扫描电镜检测器发射的电子束扫描所述剩余的待测半导体结构得到所述具有失效点图形的电镜图。

    6.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述方法还包括:
    提供一所述待测半导体结构,并利用击穿电压测试工艺,于所述栅氧化层中形成所述失效点。

    7.  如权利要求6所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述失效点为进行击穿电压测试时所述栅氧化层上形成的击穿点。

    8.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述方法还包括:
    通过对比所述电镜图中图形的明暗程度来确定所述失效点图形的位置。

    9.  如权利要求8所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,在所述电镜图中,所述失效点位置的图形相对于所述栅氧化层中的其他位置处的图形较暗。

    10.  如权利要求1所述的栅氧化层失效点的定位方法,其特征在于,所述待测半导体结构位于晶圆的切割道中。

    关 键 词:
    氧化 失效 定位 方法
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