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    重庆时时彩如何背投: 阵列基板的焊垫及其制作方法及阵列基板和液晶显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201210540039.3

    申请日:

    2012.12.13

    公开号:

    CN103869508A

    公开日:

    2014.06.18

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/13申请日:20121213|||公开
    IPC分类号: G02F1/13; G02F1/1362; H01L27/02; H01L21/77 主分类号: G02F1/13
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司; 成都京东方光电科技有限公司
    发明人: 李卿硕
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张颖玲;程立民
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201210540039.3

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.08.31|||2014.07.16|||2014.06.18

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开一种阵列基板的焊垫,该焊垫包括:栅极-氮化硅层(G-SiNx)、第一铟锡氧化物(ITO)层、源/漏电极(S/D)层、?;げ悖≒VX)、第二ITO层;其中,第一ITO层覆盖在G-SiNx层上,S/D层覆盖在第一ITO层上,PVX层覆盖在S/D层上,第二ITO层覆盖在PVX层上;所述S/D层有焊垫过孔,所述第二ITO层通过所述焊垫过孔连接第一ITO层并不与S/D层接触;本发明同时还公开了一种阵列基板的焊垫的制作方法及阵列基板和液晶显示装置,通过本发明的方案,能够防止由第二ITO层进入水汽,而致使水汽与S/D层的金属接触形成原电池,避免了焊垫过孔内金属腐蚀,提高了产品良率及可靠性。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板的焊垫,其特征在于,该焊垫包括:栅极-氮化硅层(G-SiNx)、第一铟锡氧化物(ITO)层、源/漏电极(S/D)层、?;げ悖≒VX)、第二ITO层;其中,第一ITO层覆盖在G-SiNx层上,S/D层覆盖在第一ITO层上,PVX层覆盖在S/D层上,第二ITO层覆盖在PVX层上;所述S/D层有焊垫过孔,所述第二ITO层通过所述焊垫过孔连接第一ITO层并不与S/D层接触。

    2.  根据权利要求1所述的焊垫,其特征在于,所述焊垫过孔将S/D层的长边隔断。

    3.  根据权利要求1所述的焊垫,其特征在于,所述焊垫过孔位于S/D层长边的上方一侧或下方一侧。

    4.  根据权利要求1所述的焊垫,其特征在于,所述焊垫过孔位于S/D层中刻蚀的窗口中。

    5.  根据权利要求1所述的焊垫,其特征在于,所述焊垫过孔位于S/D层长边的上下两侧。

    6.  根据权利要求1所述的焊垫,其特征在于,所述焊垫包括:阵列基板上集成电路的焊垫和玻璃基板对盒的边缘位置的焊垫。

    7.  一种阵列基板的焊垫的制作方法,其特征在于,该方法包括:在G-SiNx层上覆盖第一ITO层,在第一ITO层上覆盖S/D层,所述S/D层在焊垫过孔位置露出第一ITO层,在S/D层上覆盖PVX层,并在焊垫过孔位置进行PVX打孔,在PVX层上覆盖第二ITO层,在焊垫过孔位置形成焊垫过孔,所述第二ITO层通过焊垫过孔连接第一ITO层并不与S/D层接触。

    8.  根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述在第一ITO层上覆盖S/D层,所述S/D层在焊垫过孔位置露出第一ITO层,为:在第一ITO层上通过沉积、掩膜、半孔灰化和湿刻工艺覆盖一层S/D层,所述S/D层在焊垫过孔范围内的金属被刻蚀,暴露出第一ITO层。

    9.  一种阵列基板,其特征在于,该阵列基板包括权利要求1至6任一项所述的焊垫。

    10.  一种液晶显示装置,其特征在于,该液晶显示装置包括对合的上基板、下基板,以及上下基板间填充的液晶,所述下基板为权利要求9所述的阵列基板。

    关 键 词:
    阵列 及其 制作方法 液晶 显示装置
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