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    大本营重庆时时彩qq群: 一种阵列基板及其制备方法、显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410110718.6

    申请日:

    2014.03.24

    公开号:

    CN103928471A

    公开日:

    2014.07.16

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20140324|||公开
    IPC分类号: H01L27/12; H01L21/77; G02F1/1335; G02F1/1339 主分类号: H01L27/12
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 刘冬妮; 吕敬
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410110718.6

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.10.05|||2014.08.13|||2014.07.16

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够保证显示装置的显示效果。该阵列基板,包括阵列式排布的多个像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,其中,所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极之间设置有第一黑矩阵,所述第一黑矩阵形成有过孔,所述漏极和所述像素电极通过所述过孔连接,所述阵列基板还包括:第二黑矩阵,所述第二黑矩阵对应所述漏极设置,遮蔽所述第一黑矩阵的过孔。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,包括阵列式排布的多个像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,其中,所述薄膜晶体管的漏极和所述像素电极之间设置有第一黑矩阵,所述第一黑矩阵形成有过孔,所述漏极和所述像素电极通过所述过孔连接,其特征在于,所述阵列基板还包括:
    第二黑矩阵,所述第二黑矩阵对应所述漏极设置,遮蔽所述第一黑矩阵的过孔。

    2.  根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
    所述第二黑矩阵的尺寸大于所述漏极的尺寸。

    3.  根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括隔垫物,所述隔垫物对应所述第二黑矩阵设置。

    4.  根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述隔垫物与所述第二黑矩阵在同一构图工艺中形成。

    5.  根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述隔垫物与所述第二黑矩阵一体成型。

    6.  一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

    7.  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
    形成薄膜晶体管的漏极、第一黑矩阵和像素电极,其中,所述第一黑矩阵位于所述漏极和所述像素电极之间,所述第一黑矩阵形成有过孔,所述漏极和所述像素电极通过所述过孔连接;
    形成第二黑矩阵,所述第二黑矩阵对应所述漏极设置,遮蔽所述第一黑矩阵的过孔。

    8.  根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述形成薄膜晶体管的 漏极、第一黑矩阵和像素电极包括:
    形成薄膜晶体管的漏极;
    在所述漏极之上,形成第一黑矩阵;
    在所述第一黑矩阵之上,形成像素电极。

    9.  根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,
    所述第二黑矩阵的尺寸大于所述漏极的尺寸。

    10.  根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括:
    形成隔垫物,所述隔垫物对应所述第二黑矩阵设置。

    11.  根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,
    所述隔垫物与所述第二黑矩阵在同一构图工艺中形成。

    12.  根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,
    所述隔垫物与所述第二黑矩阵一体成型。

    关 键 词:
    一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
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