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    重庆时时彩预计图: 光刻掩模修复工艺.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310150870.2

    申请日:

    2013.04.26

    公开号:

    CN103913945A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/74申请日:20130426|||公开
    IPC分类号: G03F1/74(2012.01)I 主分类号: G03F1/74
    申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
    发明人: 吕建兴; 林重宏; 温志伟
    地址: 中国台湾新竹
    优先权: 2012.12.31 US 13/731,420
    专利代理机构: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310150870.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.11.21|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后,对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法,该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器,被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源,和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理,光刻掩模上的残余加工气体被去除。本发明还提供了光刻掩模修复工艺。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种方法,包括:
    对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模;以及
    在所述第一束扫描之后,对所述光刻掩模实施第一辐射处理。

    2.  根据权利要求1所述的方法,其中,利用具有键能的加工气体实施所述第一束扫描,并且利用量子能大于所述键能的光实施所述第一辐射处理。

    3.  根据权利要求2所述的方法,其中,所述加工气体包括二氟化氙(XeF2),并且利用紫外光实施所述第一辐射处理。

    4.  根据权利要求1所述的方法,其中,在加工室中实施所述第一束扫描和所述第一辐射处理,并且在所述第一束扫描和所述第一辐射处理之间,所述加工室保持真空。

    5.  根据权利要求4所述的方法,其中,在所述第一辐射处理期间,停止向所述加工室内引入在所述第一束扫描中所使用的与所述光刻掩模发生反应的加工气体。

    6.  根据权利要求1所述的方法,还包括:
    在所述第一辐射处理之后,对所述光刻掩模实施第二束扫描以进一步修复所述光刻掩模;以及
    在所述第二束扫描之后,对所述光刻掩模实施第二辐射处理,其中,在所述第二束扫描过程中,去除缺陷未被所述第一束扫描去除的部分。

    7.  根据权利要求6所述的方法,其中,在同一加工室中实施所述第一辐射处理和所述第二束扫描,在所述第一辐射处理和所述第二束扫描之间不存在真空破坏。

    8.  根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一束扫描之后并且在所述第一辐射处理之前,从实施所述第一束扫描的真空室中移出所述光刻掩模。

    9.  一种方法,包括:
    对光刻掩模实施第一束扫描以修复所述光刻掩模,其中,所述第一束 扫描包括:
    将加工气体引入加工室,所述光刻掩模位于所述加工室中,并且将所述加工气体配置成与所述光刻掩模的一部分发生反应;和
    将束投射到所述光刻掩模的非期望部分上以去除所述光刻掩模的非期望部分;以及
    在所述第一束扫描之后,利用辐射对所述光刻掩模实施第一辐射处理,其中,辐射的量子能大于所述加工气体的分子的原子之间的键能。

    10.  一种被配置成对光刻掩模实施修复工艺的装置,所述装置包括:
    束发生器,被配置成生成束并将所述束投射到所述光刻掩模上;
    辐射源,被配置成在所述光刻掩模上生成辐射;以及
    加工气体源,被配置成释放加工气体到所述光刻掩模上。

    关 键 词:
    光刻 修复 工艺
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