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    重庆时时彩软件开发: 一种像素表面平整度实现方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410160178.2

    申请日:

    2014.04.21

    公开号:

    CN103915333A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/3105申请公布日:20140709|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3105申请日:20140421|||公开
    IPC分类号: H01L21/3105; G02F1/1343; G02F1/1333 主分类号: H01L21/3105
    申请人: 上海联星电子有限公司
    发明人: 杜寰
    地址: 200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室
    优先权:
    专利代理机构: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 刘杰
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410160178.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.03.06|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明属于像素制造技术领域,公开了一种像素表面平整度实现方法,包括:硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤;优选地,还包括CMP(化学机械抛光)步骤,保证硅片表面平整度,以及采用银来制备镜面反射电极。本发明的方法能够确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度,用银代替铝制备镜面反射电极,提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种像素表面平整度实现方法,其特征在于,包括:硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤。

    2.  如权利要求1所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,还包括光刻并刻蚀接触孔的步骤。

    3.  如权利要求1或2所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,进一步包括CMP(化学机械抛光)步骤,保证硅片表面平整度。

    4.  如权利要求3所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,所述PECVD方法生长介质的步骤进行三次。优选地,所述CMP步骤也进行三次。

    5.  如权利要求1-3任一项所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,还包括制备镜面反射电极的步骤。

    6.  如权利要求5所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,采用银来制备所述镜面反射电极。

    7.  如权利要求1-6任一项所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,还包括制备薄盒,灌装液晶的步骤。

    8.  如权利要求1-7任一项所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,其包括以下工艺步骤:
    (1)硅衬底及集成电路器件制备;
    (2)PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质一;
    (3)CMP(化学机械抛光),保证硅片表面平整度;
    (4)光刻并刻蚀接触孔;
    (5)溅射铝并光刻、刻蚀,形成一铝布线;
    (6)PECVD介质二
    (7)CMP;
    (8)刻一次通孔;
    (9)二铝布线;
    (10)PEECVD介质三
    (11)CMP;
    (12)刻二次通孔;
    (13)溅射Ti/TiN和钨,反刻钨,形成钨塞;
    (14)蒸银;
    (15)剥离银,形成银反射电极;
    (16)制备薄盒,灌装液晶;
    (17)键合引出电路管脚;
    (18)成品测试。

    9.  如权利要求1-8任一项所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,所述像素为反射型显示器件的像素。

    10.  如权利要求9所述的像素表面平整度实现方法,其特征在于,所述反射型显示器件为LCoS(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)。

    关 键 词:
    一种 像素 表面 平整 实现 方法
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