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    重庆时时彩几点: 薄膜晶体管及其制作方法与液晶显示面板.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310157160.2

    申请日:

    2013.04.30

    公开号:

    CN103915346A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||专利申请权的转移IPC(主分类):H01L 21/336登记生效日:20161010变更事项:申请人变更前权利人:业鑫科技顾问股份有限公司变更后权利人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1变更后权利人:518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号变更事项:申请人变更前权利人:新光电科技有限公司变更后权利人:鸿海精密工业股份有限公司|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20130430|||公开
    IPC分类号: H01L21/336; H01L29/786; G02F1/1368 主分类号: H01L21/336
    申请人: 业鑫科技顾问股份有限公司; 新光电科技有限公司
    发明人: 侯智元; 高逸群
    地址: 中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1
    优先权: 2012.12.28 TW 101150833
    专利代理机构: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 徐丽昕
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310157160.2

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2017.02.15|||2016.10.26|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    授权|||专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种薄膜晶体管及其制作方法,以及包括该薄膜晶体管的液晶显示面板。薄膜晶体管包括金属材料的栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层。该栅极绝缘层为包含有硅元素、氧元素及氮元素的混合物,该混合物中的氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:
    至少一金属材料的栅极;及
    一栅极绝缘层,覆盖该栅极,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物质二者其中至少之一的混合物,且该混合物中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3,其中,所述氧原子的浓度是指单位体积内氧原子的数量,氮原子的浓度是指单位体积内氮原子的数量。

    2.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该薄膜晶体管为一底栅型薄膜晶体管,该底栅型薄膜晶体管进一步包括:
    一用于承载该栅极的基板,该栅极绝缘层进一步覆盖该具有该栅极的基板;
    一半导体层,对应该栅极设置在该栅极绝缘层上;及
    一源极与一漏极,分别位于该半导体层上的两端。

    3.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该栅极的金属材质为铜。

    4.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该薄膜晶体管为一顶栅型薄膜晶体管。

    5.  如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,该栅极绝缘层中对应氧原子浓度与氮原子浓度比值小于3的厚度为该栅极绝缘层整体厚度的7.5%到12.5%,并邻近该栅极。

    6.  一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该制作方法包括:
    形成至少一金属材质的栅极;
    在反应腔室内充入硅甲烷、二氧化氮气体以及氮气采用化学气相沉积的方法形成栅极绝缘层于该栅极上,该栅极绝缘层为包含有氧化硅,以及含有氮与硅的键结的化学物质与含有氮与氧及硅的键结的化学物质二者其中至少之一的混合物,且该混合物中氧原子的浓度与氮原子的浓度比值小于3。

    7.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,还包括:
    提供一基板;
    形成该至少一栅极于该基板上;
    形成半导体层于该栅极绝缘层上;及
    形成源极与栅极分别位于该半导体层上。

    8.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,该栅极的金属材质为铜。

    9.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,在形成栅极绝缘层的步骤中,单位时间内充入的该氮气与该二氧化氮的体积比值大于1.5。

    10.  如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,单位时间内该氮气与该二氧化氮的体积比值大于1.5是处于该栅极绝缘层形成的整体时间的前5%~10%时间段内,且在该时间段内形成的该栅极绝缘层的厚度为该栅极绝缘层整体厚度的7.5%到12.5%,并邻近该栅极。

    11.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,形成该栅极绝缘层的反应温度为370摄氏度以上。

    12.  如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述氧原子的浓度是指单位体积内氧原子的数量,氮原子的浓度是指单位体积内氮原子的数量。

    13.  一种液晶显示面板,其特征在于,包括多个如权利要求1至5任意一项的薄膜晶体管、多行平行间隔设置的扫描线、多列平行间隔设置且与该多行扫描线垂直绝缘交叉的数据线、多个设置在该多行扫描线及该多列数据线所界定区域的像素电极、一相对该像素电极设置的公共电极,该薄膜晶体管设置在该多列扫描线与该多行数据线交叉区域。

    关 键 词:
    薄膜晶体管 及其 制作方法 液晶显示 面板
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