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    重庆时时彩数据接口: 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310113604.2

    申请日:

    2013.04.02

    公开号:

    CN103915443A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20130402|||公开
    IPC分类号: H01L27/12; H01L29/786; H01L21/77; G02F1/1362; G02F1/1368 主分类号: H01L27/12
    申请人: 上海天马微电子有限公司; 天马微电子股份有限公司
    发明人: 霍思涛; 姜文鑫
    地址: 201201 上海市浦东新区汇庆路889号
    优先权:
    专利代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘松
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310113604.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.04.27|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法,阵列基板上的数据线与栅极线同层制造,以连续设置的栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段,在数据线上覆盖栅绝缘层和刻蚀?;げ?,覆盖在数据线上的刻蚀?;げ阌胄纬稍诒∧ぞ骞苡性床闵系目淌幢;げ悴捎猛阒圃?,不增加额外的工艺步骤。而且,刻蚀?;げ愕暮穸群芎?,从而使得数据线与公共电极之间的距离加大,减小数据线与公共电极之间的寄生电容。同时,由于数据线上覆盖有刻蚀?;げ?,而刻蚀?;げ憧梢圆捎糜谢げ牧?,因此也减小了数据线与公共电极之间的介电常数,从而可以进一步减小数据线与公共电极之间的寄生电容。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管、以及围设形成多个像素单元的数据线和栅极线,其特征在于,
    所述栅极线和所述数据线位于同一层,且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段;
    栅绝缘层形成在所述数据线和栅极线上;
    薄膜晶体管,包括源极和漏极,所述源极通过所述数据线上方穿透所述栅绝缘层的通孔,与相邻的所述独立数据线段电连接。

    2.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括形成于所述栅极绝缘层上的刻蚀?;げ?,所述刻蚀?;げ惆ǜ哺窃谒鍪菹呱系谝豢淌幢;げ愫托纬稍谒鲈绰┘谇虻牡诙淌幢;げ?。

    3.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括形成于所述透明基板上的栅极和有源层,其中,所述栅极与所述栅极线电连接,所述有源层与所述栅极所在区域相交叠。

    4.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述漏极上方还设置有像素电极,所述漏极与所述像素电极电连接。

    5.  如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极与所述数据线所在区域部分重叠。

    6.  如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆盖所述像素电极、所述薄膜晶体管、所述数据线和所述栅极线的钝化层。

    7.  如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括形成在所述像素电极上的公共电极;所述公共电极与所述数据线所在区域部分交叠,并与所述栅极线所在区域部分交叠。

    8.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二刻蚀?;げ阌胨龅谝豢淌幢;げ阄挥谕徊?。

    9.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二刻蚀?;げ慊垢哺撬稣ぜ?。

    10.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层为氧化物半导体材料。

    11.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一刻蚀?;げ愫偷诙淌幢;げ悴牧衔谢?。

    12.  如权利要求1~11任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一刻蚀?;げ愫偷诙淌幢;げ愕暮穸任?.5微米~3微米。

    13.  一种液晶显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~12任一所述的阵列基板,与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

    14.  一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
    在透明基板上,沉积第一金属层,在该第一金属层上光刻出栅极线和数据线,且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段;
    在所述栅极线和数据线上,沉积形成栅绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述栅极线和所述数据线;
    在所述数据线上方刻蚀出通孔;
    在所述栅绝缘层上,沉积第二金属层,在该第二金属层上光刻出图案,形成彼此分隔的源极和漏极,且所述源极通过所述数据线上方的通孔,与相邻的所述独立数据线段电连接。

    15.  如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,形成所述栅极绝缘层之后,还包括在所述栅绝缘层上,涂覆刻蚀?;げ?,将该刻蚀?;げ阃及富?,形成第一刻蚀?;げ愫偷诙淌幢;げ?,其中,所述第一刻蚀?;げ愀哺撬鍪菹咚谇?,所述第二刻蚀?;げ阈纬稍谒鲈绰┘谇?。

    16.  如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,还包括在所述第一金 属层上同时光刻出栅极,所述栅极与所述栅极线电连接。

    17.  如权利要求16所述的制备方法,其特征在于,形成所述栅极绝缘层之后,还包括在所述栅绝缘层上,沉积半导体层,在该半导体层上光刻出图案,形成有源层,且所述有源层与所述栅极所在区域相交叠。

    18.  如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,在形成彼此分隔的源极和漏极之后还包括:
    在所述漏极和所述栅绝缘层上,沉积透明导电层,在该透明导电层上光刻出图案,形成像素电极,其中,所述像素电极与所述数据线所在区域部分重叠。

    19.  如权利要求18所述的制备方法,其特征在于,在形成像素电极之后还包括:
    沉积钝化层,覆盖所述透明基板;
    在所述钝化层上,沉积透明导电材料,在该透明导电材料上光刻出图案,形成公共电极,所述公共电极层覆盖所述像素电极;且所述公共电极与所述数据线所在区域部分交叠,并与所述栅极线所在区域部分交叠。

    20.  如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述半导体层采用氧化物半导体材料。

    21.  如权利要求14所述的制备方法,其特征在于,所述第一刻蚀?;げ愫偷诙淌幢;げ悴牧衔谢?。

    关 键 词:
    一种 阵列 及其 制备 方法 液晶 显示装置
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