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    重庆时时彩玩家群: 一种阵列基板、其制作方法及显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201410130729.0

    申请日:

    2014.03.28

    公开号:

    CN103915452A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20140328|||公开
    IPC分类号: H01L27/12; H01L21/77; G02F1/1362 主分类号: H01L27/12
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 崔承镇; 金熙哲; 宋泳锡; 刘圣烈
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410130729.0

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.04.06|||2014.08.06|||2014.07.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置,由于在同层设置的源极、漏极和数据线的表面具有对源极、漏极和数据线经过退火处理后形成的氧化物薄膜,这样,在源极、漏极和数据线上方采用构图工艺形成像素电极的图形的过程中,氧化物薄膜可以?;は路降脑醇褪菹咴诳淌葱纬上袼氐缂耐夹问辈槐豢淌醇了?,可以避免影响显示面板的显示品质;并且,连接部通过位于漏极上方且贯穿氧化物薄膜的第一过孔将漏极与像素电极电性连接,从而可以保证显示面板的正常显示功能。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上同层设置的源极、漏极和数据线,以及在所述源极、漏极和数据线上设置的像素电极;其特征在于,还包括:连接部;
    在所述源极、漏极和数据线的表面具有对所述源极、漏极和数据线经过退火处理后形成的氧化物薄膜;
    所述连接部通过位于所述漏极上方且贯穿所述氧化物薄膜的第一过孔将所述漏极与所述像素电极电性连接。

    2.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:在所述像素电极上方依次层叠设置的钝化层和公共电极;
    所述连接部与所述公共电极同层设置且相互绝缘,且所述第一过孔还贯穿所述钝化层;
    所述像素电极与所述源极、漏极和数据线的图形互不重叠,所述连接部通过位于所述像素电极上方且贯穿所述钝化层的第二过孔与所述像素电极电性连接。

    3.  如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述像素电极与所述源极、漏极和数据线所在膜层之间的公共电极,以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的钝化层;所述公共电极和所述漏极的图形互不重叠;
    所述连接部与所述像素电极同层设置,所述第一过孔还贯穿所述钝化层。

    4.  如权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述源极、漏极和数据线的材料为铜,所述氧化物薄膜的材料为氧化铜。

    5.  如权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
    位于所述源极和漏极下方且与所述源极和漏极电性连接的有源层;
    与所述有源层相互绝缘且相对设置的栅极。

    6.  如权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述氧化物薄 膜的厚度为10nm至100nm。

    7.  一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
    采用一次构图工艺在衬底基板上形成源极、漏极和数据线的图形;
    对形成有所述源极、漏极和数据线的图形的衬底基板进行退火处理,在所述源极、漏极和数据线的图形的表面形成氧化物薄膜;
    在经过所述退火处理后的衬底基板上形成像素电极和连接部的图形;其中,
    所述连接部通过位于所述漏极上方且贯穿所述氧化物薄膜的第一过孔将所述漏极与所述像素电极电性连接。

    8.  如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成像素电极的图形,具体包括:
    在所述衬底基板上形成与所述源极、漏极和数据线的图形互不重叠的像素电极的图形;
    所述方法,还包括:
    在形成有所述像素电极的图形的衬底基板上形成钝化层薄膜,通过刻蚀工艺在位于所述漏极上方的所述氧化物薄膜和所述钝化层薄膜中形成第一过孔;在形成所述第一过孔的同时,在位于所述像素电极上方的所述钝化层薄膜中形成第二过孔;
    在所述钝化层的图形上形成相互绝缘的公共电极和连接部的图形;所述连接部通过所述第一过孔与所述漏极电性连接,通过所述第二过孔与所述像素电极电性连接。

    9.  如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成像素电极和连接部的图形之前,还包括:
    在所述衬底基板上形成与所述漏极的图形互不重叠的公共电极的图形;
    在形成有所述公共电极的图形的衬底基板上形成钝化层薄膜,通过刻蚀工艺在位于所述漏极上方的所述氧化物薄膜和所述钝化层薄膜中形成第一过孔;
    所述在衬底基板上形成像素电极和连接部的图形,具体包括:
    在所述钝化层的图形上形成电性连接的像素电极和连接部的图形;所述连接部通过所述第一过孔与所述漏极电性连接。

    10.  如权利要求7-9任一项所述的方法,其特征在于,对形成有所述源极、漏极和数据线的图形的衬底基板进行退火处理,具体包括:
    在氧气条件下,对形成有所述源极、漏极和数据线的图形的衬底基板进行加热处理,加热温度为150℃至200℃,加热时长为10min至1h。

    11.  如权利要求7-9任一项所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成源极、漏极和数据线的图形之前,还包括:
    在衬底基板上采用一次构图工艺形成栅极和栅线的图形;
    在形成有所述栅极和栅线的图形的衬底基板上形成一栅绝缘层;
    在所述栅绝缘层上与所述栅极对应的区域形成有源层的图形;
    在形成有所述有源层的图形的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形。

    12.  一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

    关 键 词:
    一种 阵列 制作方法 显示装置
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