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    重庆时时彩预测软件哪个好: 半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310730813.1

    申请日:

    2013.12.26

    公开号:

    CN103915447A

    公开日:

    2014.07.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20131226|||公开
    IPC分类号: H01L27/12; H01L29/786; H01L21/77; G02F1/1368 主分类号: H01L27/12
    申请人: 株式会社半导体能源研究所
    发明人: 远藤佑太
    地址: 日本神奈川
    优先权: 2012.12.28 JP 2012-288968; 2013.03.12 JP 2013-049065
    专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310730813.1

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.07.10|||2016.01.20|||2014.07.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括:氮化绝缘膜;形成在氮化绝缘膜上的晶体管;以及形成在氮化绝缘膜上的包括一对电极的电容元件,晶体管的沟道形成区及电容元件的一个电极由氧化物半导体层形成,而电容元件的另一个电极由透光导电膜形成,电容元件的一个电极与氮化绝缘膜接触,而电容元件的另一个电极电连接到包括在所述晶体管中的源极和漏极中的一个。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种包括电容元件的半导体装置,包括:
    包含氮的第一绝缘层;
    所述第一绝缘层上的栅电极层;
    所述栅电极层上的第二绝缘层;
    所述第二绝缘层上的第一氧化物半导体层,该第一氧化物半导体层与所述栅电极层重叠;
    在所述第一绝缘层上且与所述第一绝缘层接触的第二氧化物半导体层;
    电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极层及漏电极层;
    在所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层上且与所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层接触的第三绝缘层;以及
    所述第三绝缘层上的透光导电层,该透光导电层与所述第二氧化物半导体层重叠,
    其中,所述电容元件的电极之一是所述第二氧化物半导体层。

    2.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述电容元件的所述电极之另一个是所述透光导电层。

    3.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层包含相同的材料。

    4.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层具有2.0eV以上的能隙。

    5.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一绝缘层包含选自氮氧化硅、氮化硅、氮化铝和氮氧化铝的氮化绝缘材料。

    6.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一绝缘层还包含氢。

    7.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第三绝缘层包含 选自氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化镓和Ga-Zn类金属氧化物的氧化绝缘材料。

    8.  根据权利要求1所述的半导体装置,还包括所述第三绝缘层上的第四绝缘层,
    其中所述第四绝缘层包含选自氮氧化硅、氮化硅、氮化铝和氮氧化铝的氮化绝缘材料。

    9.  根据权利要求1所述的半导体装置,还包括电连接于所述第二氧化物半导体层的布线,
    其中所述布线包含与所述栅电极层相同的材料。

    10.  根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述透光导电层电连接于所述源电极层及所述漏电极层中的一个。

    11.  一种包括电容元件的半导体装置的制造方法,包括如下步骤:
    形成包含氮的第一绝缘层;
    在所述第一绝缘层上形成栅电极层;
    在所述栅电极层上形成第二绝缘层;
    在所述第二绝缘层上以与所述栅电极层重叠的方式形成第一氧化物半导体层;
    在所述第一绝缘层上以与所述第一绝缘层接触的方式形成第二氧化物半导体层;
    以电连接于所述第一氧化物半导体层的方式形成源电极层及漏电极层;
    在所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层上以与所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层接触的方式形成第三绝缘层;以及
    在所述第三绝缘层上以与所述第二氧化物半导体层重叠的方式形成透光导电层,
    其中,所述电容元件的电极之一是所述第二氧化物半导体层。

    12.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述电容元件的所述电极之另一个是所述透光导电层。

    13.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层包含相同的材料。

    14.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层具有2.0eV以上的能隙。

    15.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一绝缘层包含选自氮氧化硅、氮化硅、氮化铝和氮氧化铝的氮化绝缘材料。

    16.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述第一绝缘层还包含氢。

    17.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述第三绝缘层包含选自氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化镓和Ga-Zn类金属氧化物的氧化绝缘材料。

    18.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,还包括在所述第三绝缘层上形成第四绝缘层的步骤,
    其中所述第四绝缘层包含选自氮氧化硅、氮化硅、氮化铝和氮氧化铝的氮化绝缘材料。

    19.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,还包括形成所述第一绝缘层上的布线的步骤,
    其中所述布线电连接于所述第二氧化物半导体层,
    并且所述布线包含与所述栅电极层相同的材料。

    20.  根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法,其中所述透光导电层电连接于所述源电极层及所述漏电极层中的一个。

    关 键 词:
    半导体 装置 制造 方法
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