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    重庆时时彩怎么买的: 数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310168330.7

    申请日:

    2013.05.09

    公开号:

    CN104142801A

    公开日:

    2014.11.12

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G06F 3/06申请日:20130509|||公开
    IPC分类号: G06F3/06; G06F11/08 主分类号: G06F3/06
    申请人: 群联电子股份有限公司
    发明人: 郑国义; 林纬; 黄金汉; 李皓智; 林宏俊; 张俊彦
    地址: 中国台湾苗栗县
    优先权:
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310168330.7

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.04.12|||2014.12.10|||2014.11.12

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提出一种数据写入方法、存储器控制器与存储器储存装置。即用于将数据写入至物理抹除单元中的数据写入方法和使用此方法的存储器控制器与存储器储存装置。该数据写入方法包括以每一物理编程单元为单位将此数据划分为多笔信息帧。此外,该数据写入方法也包括将这些信息帧依序地写入至至少一第一字线上的存储单元所构成的至少一物理编程单元中,且将位于邻接于第一字线之后的至少一第二字线上的存储单元编程成一辅助态样?;?,该数据写入方法可有效地避免未写满的物理抹除中的数据因高温而遗失。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种数据写入方法,用于将一数据写入至一物理抹除单元中,其中该物理抹除单元包括多个存储单元、多条字线与多条位线,每一这些存储单元与这些字线的其中一条字线以及这些位线的其中一条位线电性连接,这些存储单元构成多个物理编程单元,这些物理编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元,写入数据至这些下物理编程单元的速度快于写入数据至这些上物理编程单元的速度,该数据写入方法包括:
    将该数据以每一物理编程单元为单位划分为多笔信息帧,其中这些信息帧的数目小于该物理抹除单元的这些物理编程单元的数目;以及
    先填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧,或将至少一第二字线上的存储单元编程成一辅助态样,其中该至少一第二字线邻接这些字线之中的至少一第一字线,该至少一第一字线储存至少部份这些信息帧并且该辅助态样为一无效数据,
    其中在该物理抹除单元中,该至少一第一字线无邻接一第三字线,其中该第三字线上的存储单元中的储存状态为一抹除状态。

    2.  如权利要求1所述的数据写入方法,其中每一这些存储单元的储存状态包括一第一储存状态、一第二储存状态、一第三储存状态与一第四储存状态,其中对应该第一储存状态的一验证电压小于对应该第二储存状态的一验证电压,对应该第二储存状态的该验证电压小于对应该第三储存状态的一验证电压,对应该第三储存状态的该验证电压小于对应该第四储存状态的一验证电压,
    其中上述将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的步骤包括:将这些信息帧依序地写入至该至少一第一字线上的存储单元所构成的至少一物理编程单元中;以及将该至少一第二字线上的存储单元编程成该第二储存状态或该第三储存状态。

    3.  如权利要求1所述的数据写入方法,其中上述将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的步骤包括:根据该至少一第一字线上的存储单元的储存状态来设定该辅助态样;以及将该至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样。

    4.  如权利要求3所述的数据写入方法,其中上述将该至少一第二字线 上的存储单元编程成该辅助态样的步骤包括:将该至少一第二字线上的存储单元编程成相同于位于该至少一第一字线之中最后一条字线上的存储单元的储存状态。

    5.  如权利要求1所述的数据写入方法,其中上述先填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧的步骤包括:
    将这些信息帧之中的部分信息帧写入至该物理抹除单元中以填满这些下物理编程单元;以及
    在这些下物理编程单元被填满之后将这些信息帧之中的其他信息帧写入至该物理抹除单元的这些上物理编程单元中。

    6.  如权利要求1所述的数据写入方法,其中上述将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的步骤包括:将一乱数值编程至该至少一第二字线上的存储单元。

    7.  如权利要求6所述的数据写入方法,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储存状态电位。

    8.  如权利要求6所述的数据写入方法,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储存状态电位与第一储存状态电位的中间值。

    9.  一种存储器控制器,用于控制一可重写式非易失性存储器???,该存储器控制器包括:
    一主机接口,用以电性连接至一主机系统;
    一存储器接口,用以电性连接至该可重写式非易失性存储器???;以及
    一存储器管理电路,电性连接至该主机接口与该存储器接口,并且用以将一数据写入至该可重写式非易失性存储器??榈囊晃锢砟ǔピ?,其中该物理抹除单元包括多个存储单元、多条字线与多条位线,每一这些存储单元与这些字线的其中一条字线以及这些位线的其中一条位线电性连接,这些存储单元构成多个物理编程单元,这些物理编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元,写入数据至这些下物理编程单元的速度快于写入数据至这些上物理编程单元的速度,
    其中该存储器管理电路将该数据以每一物理编程单元为单位划分为多笔信息帧,其中这些信息帧的数目小于该物理抹除单元的这些物理编程单元 的数目,
    其中该存储器管理电路先填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧,或将至少一第二字线编程一辅助态样,其中该至少一第二字线邻接这些字线之中的至少一第一字线,该至少一第一字线储存至少部份这些信息帧并且该辅助态样为一无效数据,其中在该物理抹除单元中,该至少一第一字线无邻接一第三字线,其中该第三字线上的存储单元中的储存状态为一抹除状态。

    10.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中每一这些存储单元的储存状态包括一第一储存状态、一第二储存状态、一第三储存状态与一第四储存状态,其中对应该第一储存状态的一验证电压小于对应该第二储存状态的一验证电压,对应该第二储存状态的该验证电压小于对应该第三储存状态的一验证电压,对应该第三储存状态的该验证电压小于对应该第四储存状态的一验证电压,
    其中在将该至少一第二字线编程成该辅助态样的运作中,该存储器管理电路将这些信息帧依序地写入至该至少一第一字线上的存储单元所构成的至少一物理编程单元中并且将该至少一第二字线上的存储单元编程成该第二储存状态或该第三储存状态。

    11.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中该存储器管理电路根据该至少一第一字线上的存储单元的储存状态来设定该辅助态样。

    12.  如权利要求11所述的存储器控制器,其中该辅助态样为相同于位于该至少一第一字线之中一最后一条字线上的存储单元的储存状态。

    13.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中在先将填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧的运作中,该存储器管理电路将这些信息帧之中的部分信息帧写入至该物理抹除单元中以填满这些下物理编程单元,并且在这些下物理编程单元被填满之后将这些信息帧之中的其他信息帧写入至该物理抹除单元的这些上物理编程单元中。

    14.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中在上述将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的运作中,该存储器管理电路将一乱数值编程至该至少一第二字线上的存储单元。

    15.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储 存状态电位。

    16.  如权利要求9所述的存储器控制器,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储存状态电位与第一储存状态电位的中间值。

    17.  一种存储器储存装置,包括:
    一连接器,用以电性连接至一主机系统;
    一可重写式非易失性存储器???;以及
    一存储器控制器,电性连接至该连接器与该可重写式非易失性存储器???,并且用以将一数据写入至该可重写式非易失性存储器??榈囊晃锢砟ǔピ?,其中该物理抹除单元包括多个存储单元、多条字线与多条位线,每一这些存储单元与这些字线的其中一条字线以及这些位线的其中一条位线电性连接,这些存储单元构成多个物理编程单元,这些物理编程单元包括多个下物理编程单元与多个上物理编程单元,写入数据至这些下物理编程单元的速度快于写入数据至这些上物理编程单元的速度,
    其中该存储器控制器将该数据以每一物理编程单元为单位划分为多笔信息帧,其中这些信息帧的数目小于该物理抹除单元的这些物理编程单元的数目,
    其中该存储器控制器将这些信息帧依序地写入至该物理抹除单元的这些字线之中的至少一第一字线上的存储单元所构成的至少一物理编程单元中,
    其中该存储器控制器先将填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧,或将至少一第二字线上的存储单元编程成一辅助态样,其中该至少一第二字线邻接这些字线之中的至少一第一字线,该至少一第一字线储存至少部分这些信息帧并且该辅助态样为一无效数据,其中在该物理抹除单元中,该至少一第一字线无邻接一第三字线,其中该第三字线上的存储单元中的储存状态为一抹除状态。

    18.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中每一这些存储单元的储存状态包括一第一储存状态、一第二储存状态、一第三储存状态与一第四储存状态,其中对应该第一储存状态的一验证电压小于对应该第二储存状态的一验证电压,对应该第二储存状态的该验证电压小于对应该第三储存状态的一验证电压,对应该第三储存状态的该验证电压小于对应该第四储存状态 的一验证电压,
    其中在将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的运作中该存储器控制器将这些信息帧依序地写入至该至少一第一字线上的存储单元所构成的至少一物理编程单元中并且将该至少一第二字线上的存储单元编程成该第二储存状态或该第三储存状态。

    19.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中该存储器控制器根据该至少一第一字线上的存储单元的储存状态来设定该辅助态样。

    20.  如权利要求19所述的存储器储存装置,其中该辅助态样为相同于位于该至少一第一字线之中的最后一条字线上的存储单元的储存状态。

    21.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中其中在先将填满这些下物理编程单元后再使用这些上物理编程单元来写入这些信息帧的运作中,该存储器控制器将这些信息帧之中的部分信息帧写入至该物理抹除单元中以填满这些下物理编程单元,并且在这些下物理编程单元被填满之后将这些信息帧之中的其他信息帧写入至该物理抹除单元的这些上物理编程单元中。

    22.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中在上述将至少一第二字线上的存储单元编程成该辅助态样的运作中,该存储器控制器将一乱数值编程至该至少一第二字线上的存储单元。

    23.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储存状态电位。

    24.  如权利要求17所述的存储器储存装置,其中该至少一第二字线上各存储单元的储存状态电位不大于该至少一第一字线上相对应的存储单元的储存状态电位与第一储存状态电位的中间值。

    25.  一种存储器储存装置,包括:
    一连接器,用以电性连接至一主机系统;
    一可重写式非易失性存储器???,具有多个物理抹除单元中,其中每一这些物理抹除单元包括多个存储单元、多条字线与多条位线,每一这些存储单元与这些字线的其中一条字线以及这些位线的其中一条位线电性连接,这些存储单元构成多个物理编程单元;以及
    一存储器控制器,电性连接至该连接器与该可重写式非易失性存储器???;
    其中这些物理抹除单元之中的其中一个物理抹除单元的一第二字线储存一无效数据,该无效数据相同于邻接于该第二字线的一第一字线上的有效数据或者该无效数据为一非抹除状态。

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    数据 写入 方法 存储器 控制器 储存 装置
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