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    关 键 词:
    曝光 描绘 装置 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201380010638.7

    申请日:

    2013.01.24

    公开号:

    CN104205291A

    公开日:

    2014.12.10

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/027申请日:20130124|||公开
    IPC分类号: H01L21/027; G03F7/20; H01L21/68 主分类号: H01L21/027
    申请人: 株式会社阿迪泰克工程
    发明人: 桥口昭浩; 菊池浩明; 吉川武志
    地址: 日本东京都
    优先权: 2012.02.24 JP 2012-039185
    专利代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 熊传芳;苏卉
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201380010638.7

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.10.05|||2015.02.18|||2014.12.10

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。所述曝光描绘装置具备:曝光单元,通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案;计数单元,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数;判定单元,判定曝光单元的曝光处理中利用计数单元计数出的粒子数是否是基于与电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及附加单元,在由判定单元判定为是阈值以上的情况下,对被曝光基板附加预先规定的信息。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种曝光描绘装置,具备:
    曝光单元,通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案;
    计数单元,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数;
    判定单元,判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及
    附加单元,在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下,对所述被曝光基板附加预先规定的信息。

    2.  根据权利要求1所述的曝光描绘装置,其中,
    与所述图案相关的尺寸是所述电路图案中的相邻的图案间的间距宽度的最小值、图案宽度的最小值及焊盘直径的最小值中的至少一个。

    3.  根据权利要求1所述的曝光描绘装置,其中,
    所述计数单元对应所述微粒的每个粒径范围对所述粒子数进行计数,
    对应每个所述粒径范围来规定所述阈值,
    所述判定单元对应每个所述粒径范围来判定所述粒子数是否是预先规定的阈值以上,在一个以上的粒径范围的粒子数是对应每个所述粒径范围而规定的阈值以上的情况下判定为是阈值以上。

    4.  根据权利要求1所述的曝光描绘装置,其中,
    还具备曝光控制单元,在由所述判定单元判定为是所述阈值以上的情况下,在该时刻进行的曝光处理完成的时刻停止曝光处理,在该停止后由所述判定单元判定为不是所述阈值以上的情况下,再次开始曝光处理。

    5.  根据权利要求1所述的曝光描绘装置,其中,
    具备接受单元,接受能够容许的由尘埃引起的废品产生率的输入,
    基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的废品产生率来规定所述阈值。

    6.  根据权利要求1所述的曝光描绘装置,其中,
    具备接受单元,接受附着于所述被曝光基板的微粒的粒子数相对于悬浮的微粒的粒子数的比例的输入,
    基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的比例来规定所述阈值。

    7.  根据权利要求1~6中任一项所述的曝光描绘装置,其中,还具备:
    取得单元,取得所述被曝光基板的识别信息;及
    存储单元,将由所述计数单元计数出的粒子数与由所述取得单元取得的所述识别信息建立对应而存储。

    8.  根据权利要求1~6中任一项所述的曝光描绘装置,其中,
    所述判定单元进一步判定由所述计数单元计数出的粒子数属于预先规定的多个分区中的哪一个分区,
    所述附加单元对所述被曝光基板附加表示由所述判定单元判定出的分区的信息作为所述预先规定的信息。

    9.  根据权利要求8所述的曝光描绘装置,其中,
    还具备排列单元,将由所述附加单元附加了表示所述分区的信息的被曝光基板对应每个该分区进行排列。

    10.  一种计算机可读存储介质,存储程序,该程序使计算机执行以下处理:
    由计数单元对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数,所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单 元;
    由判定单元判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;
    在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下,由附加单元对所述被曝光基板附加预先规定的信息。

    11.  一种曝光描绘方法,包括:
    计数步骤,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数,所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元;
    判定步骤,判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数步骤计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及
    附加步骤,在由所述判定步骤判定为是阈值以上的情况下,对所述被曝光基板附加预先规定的信息。

    说明书

    说明书曝光描绘装置及曝光描绘方法
    技术领域
    本发明涉及曝光描绘装置及曝光描绘方法,特别是涉及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置、由曝光描绘装置执行的程序及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘方法。
    背景技术
    以往,在制造半导体装置时,存在在制造装置内悬浮的尘埃附着于晶片这一问题。因此,在日本特开平8-5542号公报中提出了在制造中对附着于晶片的尘埃数进行预测的半导体装置的制造装置。该制造装置具备:尘埃计测装置,其对悬浮于真空的处理室的尘埃数进行计测;及数据处理装置,其通过将计测出的尘埃数与处理室中悬浮的尘埃数和该处理室所处理的晶片上附着的尘埃数的相关关系进行对照,而对处理室中所处理的晶片上附着的尘埃数进行预测。利用该结构,用户能够对半导体装置的制造中附着于晶片的尘埃数进行预测,并能够在预测出的尘埃数为基准值以上的情况下中止处理室的处理而进行检查清扫。
    另一方面,通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置中也同样,在通过使用现有的转印掩膜的方法进行曝光的情况下,若制造中附着于转印掩膜的尘埃附着于被曝光基板,则被曝光基板会以组为单位(作业单位)而成为废品,因此希望在制造现场中能够确认有无尘埃附着。
    与此相对,也存在利用不使用转印掩膜的直接描绘型的方法进行曝光的情况,在该情况下,原理上,没有转印掩膜,因此不会产生由 附着于转印掩膜的尘埃引起的以组为单位的废品。然而,制造现场中,存在如下现状:针对曝光处理时的被曝光基板的废品产生率,在使用了转印掩膜的时代培养的对尘埃的捕捉方法即较高地估计出废品的产生率的状态下,进一步增加对与所描绘的图像图案的高清化相伴而使废品产生的尘埃的粒子尺寸形成小尺寸化的不安感,用户对于无法看到的尘埃变得敏感,需要实施必要以上的尘埃对策。
    发明内容
    发明要解决的课题
    作为曝光描绘装置中的尘埃对策,可以考虑将上述日本特开平8-5542号公报所公开的半导体装置的制造装置中的尘埃对策适用于曝光描绘装置??墒?,上述日本特开平8-5542号公报的尘埃对策中,是在预测出的尘埃数超过规定值的情况下使处理中止的结构,因此对于各晶片,存在无法在制造后对制造中的尘埃数进行确认的问题。
    本发明鉴于上述问题而提出,目的在于提供能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。
    用于解决课题的手段
    为了达到上述目的,本发明的第一方式所涉及的曝光描绘装置具备:曝光单元,通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案;计数单元,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数;判定单元,判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及附加单元,在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下,对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
    根据第一方式所涉及的曝光描绘装置,利用曝光单元通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案,并利用计数单元对曝光描绘装置内 的微粒的粒子数进行计数。
    这里,本发明中,利用判定单元,判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否为基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上,并在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下,利用附加单元对所述被曝光基板附加预先规定的信息。另外,所谓“曝光处理”,指的是进行将被曝光基板搬入到曝光描绘装置的内部并开始向被曝光面的曝光且完成对该被曝光面的曝光的一系列的处理动作。
    如此,根据第一方式所涉及的曝光描绘装置,在曝光处理中对装置内的微粒的粒子数为阈值以上的被曝光基板附加预先规定的信息,结果能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    另外,本发明也可以如第二方式所涉及的发明那样,与所述图案相关的尺寸是所述电路图案中的相邻的图案间的间距宽度的最小值、图案宽度的最小值及焊盘直径的最小值中的至少一个。由此,能够根据在被曝光基板上描绘的电路图案而决定适当的阈值。
    另外,本发明也可以如第三方式所涉及的发明那样,所述计数单元对应所述微粒的每个粒径范围对所述粒子数进行计数,对应每个所述粒径范围来规定所述阈值,所述判定单元对应每个所述粒径范围来判定所述粒子数是否是预先规定的阈值以上,在一个以上的粒径范围的粒子数是对应每个所述粒径范围而规定的阈值以上的情况下判定为是阈值以上。由此,考虑到对应每种微粒而微粒的粒径不同,而能够判定对应每种微粒粒子数是否是阈值以上。
    另外,本发明也可以如第四方式所涉及的发明那样,还具备:取得单元,取得所述被曝光基板的识别信息;及存储单元,将由所述计 数单元计数出的粒子数与由所述取得单元取得的所述识别信息建立对应而存储。由此,能够基于被曝光基板的识别信息对曝光处理中存在于装置内的微粒的粒子数进行确认。
    另外,本发明也可以如第五方式所涉及的发明那样,所述判定单元进一步判定由所述计数单元计数出的粒子数属于预先规定的多个分区中的哪一个分区,所述附加单元对所述被曝光基板附加表示由所述判定单元判定出的分区的信息作为所述预先规定的信息。由此,能够更详细地确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    另外,本发明也可以如第六方式所涉及的发明那样,还具备排列单元,将由所述附加单元附加了表示所述分区的信息的被曝光基板对应每个该分区进行排列。由此,能够更简易地确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    另外,本发明也可以如第七方式所涉及的发明那样,还具备曝光控制单元,在由所述判定单元判定为是所述阈值以上的情况下,在该时刻进行的曝光处理完成的时刻停止曝光处理,在该停止后由所述判定单元判定为不是所述阈值以上的情况下,再次开始曝光处理。由此,能够将由于曝光失败而产生被曝光基板的废品的情况防患于未然。
    另外,本发明也可以如第八方式所涉及的发明那样,具备接受单元,接受能够容许的由尘埃引起的废品产生率的输入,基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的废品产生率来规定所述阈值。另外,本发明也可以如第九方式所涉及的发明那样,具备接受单元,接受附着于所述被曝光基板的微粒的粒子数相对于悬浮的微粒的粒子数的比例的输入,基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的比例来规定所述阈值。由此,能够根据制造环境而决定适当的阈值。
    另一方面,为了达到上述目的,本发明的第十方式所涉及的程序使计算机作为如下单元而发挥功能:计数单元,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数,所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元;判定单元,判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及描绘单元,在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下,对所述被曝光基板描绘预先规定的信息。
    因此,根据第十方式所涉及的程序,能够使计算机与第一方式所涉及的发明同样地发挥作用,因此与第十方式所涉及的发明同样,能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    另一方面,为了达到上述目的,本发明的第十一方式所涉及的曝光描绘方法包括:计数步骤,对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数,所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元;判定步骤,判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数步骤计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上;及描绘步骤,在由所述判定步骤判定为是阈值以上的情况下,对所述被曝光基板描绘预先规定的信息。
    因此,根据本发明的第十一方式所涉及的曝光描绘方法,与第一方式所涉及的发明同样地发挥作用,因此与第一方式所涉及的发明同样,能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    发明效果
    根据本发明,达到如下效果:能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
    附图说明
    图1是表示实施方式所涉及的曝光描绘系统的整体结构的结构图。
    图2是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的内部结构的立体图。
    图3是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置中的基于尘埃计测装置的空气的吸入位置的图。
    图4是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的尘埃计测装置的结构的概略俯视图。
    图5是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的电气系统的结构的框图。
    图6是表示实施方式所涉及的曝光描绘系统的控制装置的电气系统的结构的框图。
    图7是表示第一实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
    图8是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置中在被曝光基板上描绘的图像的一例的局部放大图。
    图9是表示由第一实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
    图10是第二实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
    图11是表示由第二实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
    图12是表示第二实施方式所涉及的曝光描绘装置中生成的计测结果信息的一例的示意图。
    图13是表示第三实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
    图14是表示由第三实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
    图15是表示第四实施方式所涉及的排列处理程序的处理的流程 的流程图。
    具体实施方式
    〔第一实施方式〕
    以下,针对第一实施方式所涉及的曝光描绘系统,使用附图详细地进行说明。另外,第一实施方式中,作为曝光描绘系统1,以如下系统为例进行说明,该系统是将印制电路布线基板及平板显示器用玻璃基板等平板基板作为被曝光基板而在被曝光基板的单面或两面进行曝光描绘的系统。
    图1是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1的整体结构的结构图。如图1所示,曝光描绘系统1具备:曝光描绘装置2,其对被曝光基板(后述的被曝光基板C)进行曝光并且对装置内的微粒的粒子数进行计测,在该粒子数为阈值以上的情况下在被曝光基板C记录标记(后述的标记M);及控制装置3,其对基于曝光描绘装置2的曝光描绘、标记M的形成进行控制。
    图2是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的内部结构的立体图。另外,以下,将台座10移动的方向规定为Y方向,将在水平面内与该Y方向正交的方向规定为X方向,将在铅垂面内与Y方向正交的方向规定为Z方向,此外将以Z轴为中心沿顺时针方向旋转的旋转方向规定为θ方向。
    如图2所示,曝光描绘装置2具备用于对被曝光基板C进行固定的平板状的台座10。在将被曝光基板C载置于台座10的上表面时,吸入被曝光基板C及台座10间的空气,从而将被曝光基板C真空吸附于台座10的上表面。另外,台座10可移动地构成,固定于台座10的被曝光基板C伴随台座10的移动而移动到曝光位置,利用后述的曝光部16照射光束而描绘电路图案等图像。
    台座10支撑于平板状的基台12,该平板状的基台12可移动地设于桌状的基体11的上表面。在基体11的上表面,设有1根或多根(本实施方式中为2根)导轨14?;?2被支撑为能够沿导轨14在Y方向上自如地移动,并利用由电动机等构成的台座驱动部(后述的台座驱动部41)而移动。并且,台座10被支撑在该可移动的基台12的上表面,并与基台12的移动联动而沿导轨14移动。
    在基体11的上表面,以横跨导轨14的方式立起设置门型的门架15,在该门架15,安装有能够对载置在台座10的被曝光基板C的表面进行曝光的曝光部16。曝光部16包含多个(本实施方式中为16个)曝光头16a而构成,固定配置在台座10的移动路径上。在曝光部16分别连接有从后述的光源单元17拉出的光纤18和从后述的图像处理单元19拉出的信号线缆20。
    各曝光头16a具有作为反射型的空间光调制元件的数字微镜器件(DMD),基于从图像处理单元19输入的图像数据对DMD进行控制,从而对来自光源单元17的光束进行调制。曝光描绘装置2通过将该调制后的光束照射于被曝光基板C而进行曝光。另外,作为空间光调制元件,也可以使用液晶等透过型的空间光调制元件。
    在曝光头16的附近,设有对被曝光基板C照射紫外线束的紫外线光源21。关于紫外线束的照射时间,根据涂敷于被曝光基板C的感光材料而设定各最佳时间。另外,紫外线光源21的设置位置不限于曝光头16a的附近,只要是能够在被曝光基板C的一部分照射紫外线束的位置即可。另外,本实施方式中,虽然将紫外线光源21固定,但是不限于此,也可以利用电动机等根据紫外线束的照射对象位置而移动自如地构成。此外,紫外线光源21也可以以能够向被曝光基板C的背侧的面(与台座10相接的一侧的面)照射紫外线束的方式设于台座10的下方。在该情况下,在台座10设置用于使紫外线束在厚度方向上通过的贯通孔。
    在基体11的上表面,进一步以横跨导轨14的方式设有门架22。在门架22安装有用于对载置于台座10的被曝光基板C上设置的曝光基准用的对准标记进行摄影的的1个或多个(本实施方式中为2个)拍摄部23。摄影部23是内置有1次发光时间极短的闪光灯的CCD相机等。各摄影部23在水平面内沿与台座10的移动方向(Y方向)垂直的方向(X方向)可移动地设置。
    曝光描绘装置2具备将从外部搬入到第一搬运部5的被曝光基板C搬运到台座10的上表面的自动搬运手(以下,称作AC手)24。AC手24形成为平板状,并且在水平方向及铅垂方向上可移动地设置。另外,在AC手24的下表面设有:吸附机构,其具有通过吸引空气而利用真空吸附对被曝光基板C进行吸附保持的吸附部25;及按压机构,其具有将被曝光基板C向下方按压的上下移动自如的按压部26。AC手24利用吸附机构对载置于第一搬运部5的未曝光的被曝光基板C进行吸附保持从而向上方抬起,并将抬起后的被曝光基板C载置于台座10的上表面的预先规定的位置。
    AC手24在将被曝光基板C载置于台座10时,利用按压机构将被曝光基板C向台座10按压并且将基于吸附部25的吸附解除,从而将被曝光基板C真空吸附在台座10,将被曝光基板C吸附固定在台座10。另外,AC手24利用吸附机构对载置于台座10的上表面的曝光结束的被曝光基板C进行吸附保持从而向上方抬起,在对抬起后的被曝光基板C进行吸附保持的状态下移动到第二搬运部6之后,通过将基于吸附机构的吸附解除,从而使被曝光基板C向第二搬运部6移动。被搬运到第二搬运部6的被曝光基板C被排出到曝光描绘装置2的外部。
    这里,曝光描绘装置2具备对装置内的微粒的粒子数进行计测的多个(本实施方式中为3个)尘埃计测装置4。尘埃计测装置4是吸入 周围的空气并对吸入的空气中包含的微粒的粒子数进行计测的所谓的粒子计数器。
    图3是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中的基于尘埃计测装置4的空气的吸入位置的图。如图3所示,在曝光描绘装置2的装置内部,空气沿台座移动方向(Y方向)中的、从进行曝光的位置朝向载置被曝光基板C的位置的方向流动,将内部的空气在载置被曝光基板C的位置处排出到外部。
    曝光描绘装置2中,为了对装置内部的微粒的粒子数更加准确地进行计测,在气流的下游侧的预定位置(本实施方式中,第一搬运部5和台座10之间的位置、比台座10的载置位置靠气流的下游侧的位置、及台座10和第二搬运部6之间的位置),分别在尘埃计测装置4配置有吸入空气的管4a。另外,管4a的空气的入口设置于与台座10的上表面大致相同高度(Z方向上的大致相同位置)。通过这种结构,能够利用尘埃计测装置4对台座10的上表面附近(即被曝光基板C的附近)的微粒的粒子数进行计测。
    图4是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的尘埃计测装置4的结构的概略俯视图。如图4所示,尘埃计测装置4具备:吸入窗30,其将外部的空气(曝光描绘装置2的装置内部的空气)K经由管4a而吸入到装置内部;及排出窗31,其将吸入的空气K排出到装置外部(曝光描绘装置2的装置内部)。在曝光描绘装置2的装置内部沿台座移动方向流动的空气K经由吸入窗30而流入到尘埃计测装置4的装置内部后,经由排出窗31流出到尘埃计测装置4的装置外部。
    另外,在尘埃计测装置4设有:产生激光L的激光发生装置32;将所产生的激光L以横穿流入的空气K的路径的方式出射的出射窗33;及所出射的激光L通过空气K的路径后而入射的入射窗34。在激光L通过空气K的路径时,若空气K的内部包含微粒,则激光L中的与微 粒P发生碰撞的一部分散射。在尘埃计测装置4,设有将该散射后的激光L聚光的聚光透镜35及对由聚光透镜35聚光后的激光L进行检测的检测装置36。尘埃计测装置4基于由检测装置36检测出的检测值对微粒进行检测而对各微粒的粒径进行测定,从而对应每种粒径对检测出的微粒的个数进行计数。尘埃计测装置4对控制装置3发送表示检测出的微粒的粒子数的信号。
    图5是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的电气系统的结构的框图。如图5所示,在曝光描绘装置2设有分别与装置各部电连接的系统控制部40,该系统控制部40对各部分集中地进行控制。系统控制部40对AC手24进行控制而进行被曝光基板C向台座10的搬入动作及从台座10的排出动作。另外,系统控制部40对台座驱动部41进行控制而进行台座10的移动,并经由后述的移动控制部43使摄影部23移动而进行被曝光基板C的对准标记的摄影并对曝光位置进行调整,并且对光源单元17及图像处理单元19进行控制,使曝光头16a进行曝光处理。如上述那样,所谓“曝光处理”,指的是将被曝光基板C搬入到曝光描绘装置2的内部而开始向被曝光面的曝光并完成对该被曝光面的曝光的一系列的处理动作。系统控制部40在从控制装置3接收到用于指示曝光开始的信号的时机,开始对被曝光基板C的曝光处理,并且在接收到用于指示曝光停止的信号的时机,在此时进行的对被曝光基板C的曝光处理完成的时刻,停止曝光处理。
    此外,系统控制部40在预先规定的时机从尘埃计测装置4取得每种粒径的微粒的粒子数。该时机可以是在被曝光基板C的曝光开始前、曝光中和曝光完成后的时机,也可以是每次经过预先规定的时间的时机。
    另外,曝光描绘装置2具有操作装置42。操作装置42具有利用系统控制部40的控制显示信息的显示部和利用用户操作输入信息的输入部。该输入部例如在输入被曝光基板C的最小图案宽度等时由用户 进行操作。
    此外,曝光描绘装置2具备移动控制部43。移动控制部43基于系统控制部40的指示,以被曝光基板C的对准标记在台座10移动时通过多个摄影部23中的任一个或各个摄影区域的中央的方式,对摄影部23的移动驱动进行控制。
    图6是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1的控制装置3的电气系统的结构的框图。如图6所示,曝光描绘系统1具备:对曝光描绘系统1中的曝光处理进行控制的控制部50;具有对基于控制部50的曝光处理所需的曝光处理程序、各种数据进行存储的ROM及HDD等的存储部51;基于控制部50的控制对数据进行显示的显示器等显示部52;通过用户操作而输入数据的键盘等输入部53;及基于控制部50的控制而进行对曝光描绘装置2的数据的收发的通信接口54。
    这里,本实施方式所涉及的曝光描绘装置2具备如下功能:在被曝光基板C的曝光处理中对装置内的微粒的粒子数进行计测,在计测出的粒子数是阈值以上的情况下,对曝光中的被曝光基板C记录与粒子数相关的信息。
    以往的曝光描绘装置中,作为尘埃对策,不对装置内的微粒的粒子数进行计测,因此制造现场中,用户在不知道尘埃附着于被曝光基板C的情况下对被曝光基板C进行曝光,结果存在可能生产废品那样的用户的潜在性不安。
    因此,本实施方式所涉及的曝光描绘装置2中,在曝光处理中始终对装置内的微粒的粒子数进行计测,在计测出的粒子数是阈值以上的情况下,将表示其内容的预先规定的标记(例如图9所示的标记M)描绘在被曝光基板C。由此,用户能够针对曝光结束的被曝光基板C,对应每个基板确认曝光处理时的尘埃等级(计测出的粒子数是否为阈 值以上等),从而能够消除用户不安。
    另外,在成为检查对象的曝光结束的被曝光基板C上形成有标记M的情况下,检查担当者对该被曝光基板C的曝光处理时的尘埃等级较高(即计测出的粒子数较大)这一情况进行识别,能够提高对检查的意识等级,结果能够抑制检查不良。此外,对于视觉确认较为困难的尘埃,用户能够对尘埃等级和被曝光基板C的废品产生率的相关关系进行把握,从而能够将尘埃对策抑制到所需最小限度的对策,因此与生产工序作业的效率化紧密相关。
    接下来,对第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1的作用进行说明。
    图7是表示第一实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图,该程序被预先存储在作为控制装置3的存储部51所具备的记录介质的ROM的预定区域。
    控制装置3的控制部50在预先规定的时机(本实施方式中,使对预先规定的多个被曝光基板C连续地进行曝光的处理开始的时机),执行该曝光处理程序。
    首先,步骤S101中,控制部50根据在被曝光基板C上曝光的图像(本实施方式中为电路图案)的图像信息而算出最小图案尺寸??扇衔涸诒黄毓饣錍上曝光的电路图案越清晰化,则作为是否能够容许附着于被曝光基板C这一情况的阈值的微粒的粒径(以下,也称作容许尘埃尺寸)越小尺寸化。
    图8是表示在第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中在被曝光基板C描绘的图像的一例的局部放大图。如图8所示,本实施方式所涉及的图案尺寸是作为所描绘的各图案的宽度的图案宽度、作为相邻 的图案间的距离或相邻的图案和焊盘间的距离的间距宽度、及各图案的焊盘直径这三种。另外,本实施方式所涉及的最小图案尺寸是图案宽度的最小值、间距宽度的最小值、及焊盘直径的最小值中的最小值?;蛘咭部梢越渚嗫矶鹊淖钚≈底魑钚⊥及赋叽?。
    接下来,步骤S103中,控制部50针对存在于曝光描绘装置2内部的各粒径的微粒,生成对应每种粒径表示作为是否能够容许微粒存在的阈值的粒子数的表格。该表格在后述的步骤S109中对阈值进行规定时使用。
    在生成表格时,控制部50首先算出单位体积内所包含的微粒的粒子数即尘埃浓度。根据JIS B9920,利用下述的(1)式对尘埃浓度进行定义。另外,(1)式中的右边第二項的0.1是常数(单位是μm)。
    [数学式1]
    Cn=10N×(0.1D)2.08···(1)]]>
    Cn:以粒径D以上的尘埃为对象的尘埃上限浓度(个/m3)
    N:量级数(1~9)
    D:测定粒径(μm)
    这里,量级数表示清洁间的清洁度,以往,以1cf(约0.0283m3;立方英尺)中的粒径0.5μm以上的粒子个数而量级分类为1~9,现在,也较多地利用该指标进行管理。另外,ISO(国际标准化组织)中,以1m3中的粒径直径以上的粒子数进行量级分类,本实施方式中,以以往规则的单位为基础进行说明。
    使用上式生成在初始状态中设定的表格。例如,在粒径以上的粒径范围的微粒的粒子数的阈值是100个的情况下,其他粒径以上的微粒的粒子数成为下述的表1。下述的表1中,0.3μm以上的粒径 范围的微粒的粒子数的阈值为289个,0.7μm以上的粒径范围的微粒的粒子数的阈值为50个,1μm以上的粒径范围的微粒的粒子数的阈值为24个,2μm以上的粒径范围的微粒的粒子数的阈值为6个,5μm以上的粒径范围的微粒的粒子数的阈值为1个。
    [表1]
    D(μm)0.3~0.5~0.7~1~2~5~粒子数(个/cf)289100502461
    另外,下述的表2表示以以上的粒径为基准将尘埃上限浓度等级分类为多个等级的例子。根据下述的表2,以如下方式进行等级分类:以上的粒径范围的微粒为0个以上且100个以下的情况为等级A,以上的粒径范围的微粒比100个多且为200个以下的情况为等级B,以上的粒径的微粒比200个多且为300个以下的情况为等级C。
    [表2]

    这里,根据上述表2,例如设容许尘埃尺寸为在曝光处理时计测出的以上的粒径范围的微粒的粒子数是150个的情况下,粒子数比100个多且为200个以下,因此将该被曝光基板C对位于B等级。
    另外,在由步骤S101取得的最小图案尺寸是30μm、使容许尘埃尺寸为最小图案尺寸的预定比例(本实施方式中,为10%,表中称作容许尺寸比例)以上的3μm以上的情况下,可以使用上述表2中最接 近的值2μm的条件,也可以如下述的表3所示根据容许尘埃尺寸而在表格中添加与新的粒径以上的粒子相关的信息。
    [表3]

    另外,上述最小图案尺寸的预定比例因制造品的种类、用户的情况而不同,因此在预先规定的比例宽度(例如,10~30%之间)中用户能够自由地设定。用户经由控制装置3的输入部53而输入上述容许尘埃尺寸的预定比例,控制部50将输入的值作为上述容许尘埃尺寸的预定比例而设定。
    在使用上述表1至表3的情况下,用户基于制造数据来掌握与废品产生率的相关关系,从而能够通过例如制造经验来掌握能够容许到A等级至C等级中的哪个等级。用户经由控制装置3的输入部53,输入能够容许到A等级至C等级中的哪个等级作为所能够容许的废品产生率,控制部50设定所输入的值作为所能够容许的等级。将该设定的等级的粒子数在步骤S109中作为阈值而使用。
    然而,由尘埃计测装置4计测出的粒子数是悬浮在曝光描绘装置2的内部的空间的粒径为容许尘埃尺寸以上的微粒的粒子数,并非实际上附着于被曝光基板C的微粒的粒子数,因此考虑附着率和所容许的废品产生率而生成表格更加现实。例如,在使附着率小于预定值(本实施方式中为1/1000)、废品产生率小于预定值(本实施方式中为1%)而对被曝光基板C的两面进行曝光的情况下,若将在对单面进行曝光时所容许的废品产生率设为小于作为一半的0.5%,则容许尘埃尺寸的微粒的粒子数的容许数为单面所容许的废品产生率×1/(附着率) =0.005×1000=5。也可以基于该结果生成下述的表4所示那样的表格。
    [表4]

    上述表4中,以B等级为基准,使A等级的容许数为B等级的容许数的一半,使C等级的容许数为B等级的容许数的2倍。这里,由尘埃计测装置4能够计测的微粒被限定于例如0.5μm以上的粒径范围的情况等也可以使用上述表3那样的对比数据。另外,附着率根据用户所使用的被曝光基板C的基材、DFR(Dry Film Resist)原材料及悬浮于曝光描绘装置2的设置环境的尘埃种类等而不同,因此能够自由地设定为通过与实际的生产数据对比相关性等而求得的值。用户经由控制装置3的输入部53,输入附着率,控制部50设定所输入的值作为附着率。
    作为其他的量级分类的方法,也可以根据最小图案尺寸而将容许尘埃尺寸区分为多个。例如,在最小图案尺寸是10μm、将上述容许尘埃尺寸的预定比例区分为10%、20%、30%的情况下,在使附着率小于1/1000、使废品产生率小于1%而对被曝光基板C的两面进行曝光时,与上述表4相当的各比例的表格成为下述所示的表5。
    [表5]

    在尘埃计测装置4能够对多个种类的粒径的微粒进行计测的情况下,可以使用上述表5进行等级分类,但是如果使用尘埃计测装置4对0.5μm以上的粒径范围的微粒进行计测那样的计测环境,则也可以以基于表5而生成的下述的表6的表格进行级别分类。根据下述的表6,上述容许尘埃尺寸的预定比例为10%的情况成为A级别,上述容许尘埃尺寸的预定比例为20%的情况成为B级别,上述容许尘埃尺寸的预定比例为30%的情况成为C级别。
    [表6]

    另外,至此作为说明的前提的尘埃浓度计算的上述(1)式和实际的微粒的分布根据所曝光的被曝光基板C的基材、基材的状态及DFR、装置的维护状态而不同,因此也可以根据实态(生产数据和废品产生率)而自由地变更各数值。例如,下述的表7中,是基于上述表2假定0.3μm以上的粒径范围的微粒比通常少、2μm以上的粒径范围的微粒不存在的情况而设定的表格。也可以生成如此设定而得到的表格。
    [表7]

    通过使用如此生成的表格,能够根据图案精细度,设定能够容许的微粒的粒子数的基准,因此能够避免根据以往那样的最严格的条件 而设定基准,能够防止尽管对于中精细图案是没有问题的粒子数也中止处理这一情况。
    步骤S105中,控制部50对曝光描绘装置2指示曝光开始??刂撇?0对曝光描绘装置2的系统控制部40发送用于指示曝光开始的信号。接收到该信号的系统控制部40开始被曝光基板C的搬入,对被搬入到曝光描绘装置2的内部且被载置于台座10的被曝光基板C开始曝光,在被曝光基板C上描绘电路图案。
    步骤S107中,控制部50取得由尘埃计测装置4计测出的微粒的粒子数,在显示部52显示该粒子数。用户能够通过对显示部52进行视觉确认而对曝光描绘装置2的内部的微粒的粒子数进行识别。
    并且,步骤S109中,控制部50判定步骤S107中取得的粒子数是否是阈值以上。利用步骤S103中生成的表格来决定该阈值。即,控制部50利用尘埃计测装置4对预定的粒径(例如0.5μm)以上的微粒的粒子数进行计测,使用上述表1至表7中的用户期望的等级的粒子数的值作为阈值。另外,在利用尘埃计测装置4对应每种粒径对多个种类的粒径的微粒的粒子数进行计测的情况下,在各粒径以上的微粒的粒子数中的任一个是对应的阈值以上的情况下,判定为粒子数是阈值以上。
    在步骤S109中判定为粒子数是阈值以上的情况下,步骤S111中,控制部50对载置于台座10的被曝光基板C照射由紫外线光源21产生的紫外线束,从而在曝光中的被曝光基板C的被曝光面或与被曝光面相向的面上形成预先规定的标记,在被曝光基板C上附加表示粒子数是阈值以上这一情况的信息。
    图9是表示由第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2形成了标记后的被曝光基板C的一例的主视图。如图9所示,在被曝光基板C的 端部,通过形成圆形状的标记M而附加表示粒子数是阈值以上这一情况的信息。另外,标记M的形状不限于圆形状,也可以是星型、十字型等任意形状的标记,也可以是文字、数字等。另外,标记M的位置及大小是不与所曝光的图像重合的位置及大小即可,能够根据被曝光基板C的尺寸、被曝光的图像而任意地进行设定。
    此外,在被曝光基板C上附加信息的方法不限于向被曝光基板C照射紫外线束而形成标记的方法,例如,也可以是通过附着墨汁而描绘标记的方法,也可以是通过对被曝光基板C的表面物理地进行刻削而描绘标记的方法,也可以是将附加有信息的封印等介质粘贴于被曝光基板C的方法。
    并且,第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中,在被曝光基板C附加表示粒子数是阈值以上这一内容的信息时,在被曝光基板C的被曝光面形成标记M,但是附加信息的面不限于被曝光面,也可以是被曝光面的背面。
    步骤113中,控制部50判定曝光完成时机是否到来。此时,控制部50在对预先规定的多个被曝光基板C全部完成了曝光的情况下、由用户操作经由输入部43或操作装置53输入了表示完成时机的信息的情况下,判定为曝光完成时机已经到来。
    在步骤S113中判定为曝光完成时机没有到来的情况下,转移到步骤S107,控制部50重复步骤S107至S113的处理,在步骤S113中判定为曝光完成时机已经到来的情况下,控制部50结束曝光处理程序的执行。此时,控制部50对曝光描绘装置2发送指示曝光停止的信号。接收到该信号的被曝光描绘装置2停止对被曝光基板C的曝光。
    如此,第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,在各被曝光基板C的曝光处理时计测装置内的微粒的粒子数,在计测出的粒子数是 作为基准的阈值以上的情况下,通过在该被曝光基板C上形成预先规定的标记M而附加表示是阈值以上这一情况的信息。用户对曝光结束的被曝光基板C中有无标记M进行确认,从而能够对该被曝光基板C确认曝光处理时的尘埃等级。
    另外,第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中,将紫外线光源21固定地设于曝光部16的附近,但是不限于此,紫外线光源21也可以构成为设于台座10而与台座10的移动联动地移动。在该情况下,紫外线光源21能够基于控制装置3的控制而不依赖于台座10的位置以任意的位置在被曝光基板C形成标记M。
    另外,第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,也可以是,在由步骤S109判定为计测出的粒子数是阈值以上的情况下,在步骤S111中在被曝光基板C上描绘标记M,并且在此时的曝光处理中的对被曝光基板C的曝光处理完成的时刻使曝光处理停止,在使曝光处理停止的状态下使基于尘埃计测装置4的粒子数的计测继续,在计测出的粒子数变得比阈值小的阶段,再次开始曝光处理。由此,能够仅在曝光描绘装置2的装置内的微粒的粒子数比阈值小的情况下进行对被曝光基板C的曝光。
    〔第二实施方式〕
    以下,针对第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1,参照附图详细地进行说明。另外,第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1与第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1同样,具有图1至图6所示的结构,因此将与该结构相关而重复的说明省略。
    第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1除了第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1所具有的功能之外,还具备分别将计测出的微粒的粒子数和被曝光基板C的识别信息建立对应而存储的功能。
    对基于第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1的作业进行说明。
    图10是表示第二实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图,该程序被预先存储在作为控制装置3的存储部51所具备的记录介质的ROM的预定区域。
    控制装置3的控制部50以预先规定的时机(本实施方式中,使对预先规定的多个被曝光基板C连续地进行曝光的处理开始的时机)执行该曝光处理程序。
    步骤S201至S213中,控制部50分别进行与上述的步骤S101至S113同样的处理。另外,步骤S205中,接收到曝光开始的指示的系统控制部50在向被曝光基板C的被曝光面描绘电路图案时、或在描绘的前后,进一步在被曝光面中的电路图案的描绘对象区域的外部,通过对光束进行曝光而描绘作为用于对各被曝光基板进行识别的识别信息的序列号。
    图11是表示利用第二实施方式所涉及的曝光描绘装置2形成了标记的被曝光基板C的一例的主视图。如图11所示,在被曝光基板C的表面印刷了序列号N,并且在步骤S211中,在不与该序列号N重叠的位置形成标记M。
    并且,步骤S213中,控制部50取得被曝光基板C的序列号等识别信息。此时,控制部50向曝光描绘装置2的系统控制部40发送指示识别信息的取得的信号。接收到该信号的系统控制部40取得在上述步骤S205中在被曝光基板C上描绘的序列号作为识别信息。并且,系统控制部40将取得的识别信息向控制装置3的控制部50发送??刂撇?0通过对发送出的识别信息进行接收,而取得被曝光基板C的识别信息。
    另外,取得识别信息的方法不限于上述方法,也可以对于台座10,以由步骤205描绘的序列号成为摄影部23的摄影对象区域所包含的位置的方式使台座10移动,根据对被曝光基板C的序列号进行摄影的摄影图像,利用图像处理对序列号进行文字识别,从而取得该识别信息。
    步骤S215中,控制部50将对步骤S207中计测出的粒子数和步骤S213中取得的识别信息分别建立对应而得到的计测结果信息50存储于存储部51。
    图12是表示第二实施方式所涉及的曝光描绘装置2中生成的计测结果信息60的一例的示意图。如图12所示,计测结果信息60是将微粒的粒子数60b分别与识别信息60a建立了对应的信息。根据图12所示的图12所示的计测结果信息60,可知在对识别信息为“X0000001”的被曝光基板C进行曝光时在装置内计测出3个微粒。
    步骤217中,控制部50判定曝光完成时机是否已经到来。此时,控制部50在1组被曝光基板C全部完成了曝光的情况下、通过用户操作经由输入部43或操作装置53输入了表示完成时机的信息的情况下,判定为曝光完成时机已经到来。
    在步骤S217中判定为曝光完成时机没有到来的情况下,转移到步骤S207,控制部50重复步骤S207至S217的处理,在步骤S217中判定为曝光完成时机已经到来的情况下,控制部50结束曝光处理程序的执行。
    如此,第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,根据由计测结果信息60表示的被曝光基板C的识别信息和曝光处理时的微粒的粒子数的关系,能够掌握曝光处理后进行的检查工序中判定为是废品的被曝光基板C和曝光处理时的微粒的粒子数的相关性。
    另外,第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,在计测结果信息60中将对各被曝光基板C进行曝光的时刻建立对应而存储,从而能够在判定为是装置内的微粒的粒子数比预先规定的阈值少的被曝光基板C、装置内的微粒的粒子数是预先规定的阈值以上的前后进行曝光,并对在该曝光的时刻存在该粒子数超过预先规定的阈值的可能性的被曝光基板C进行确定。
    此外,第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,在对被曝光基板C进行多层的曝光的情况下,在计测结果信息60中将各被曝光基板C的每层的曝光处理时的微粒的粒子数建立对应而存储,从而能够判断成为多层基板的被曝光基板C的哪一层有可能发生不良。
    〔第三实施方式〕
    以下,针对第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1,参照附图详细地进行说明。另外,第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1与第一实施方式和第二实施方式所涉及的曝光描绘系统1同样,具有图1至图6所示的结构,因此将与该结构相关而重复的说明省略。
    第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1除了第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1所具有的功能外,还具备如下功能:对计测出的微粒的粒子数进行级别分类,并在被曝光基板C形成表示该粒子数所属的级别的标记MR。
    对基于第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1的作用进行说明。
    图13是表示第三实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图,该程序被预先存储在作为控制装置3的存储部51所具备的记录介质的ROM的预定区域。
    控制装置3的控制部50以预先规定的时机(本实施方式中,使对 预先规定的多个被曝光基板C连续地进行曝光的处理开始的时机),执行该曝光处理程序。
    步骤S301至S309中,控制部50分别进行与上述的步骤S101至S109同样的处理。
    并且,步骤S311中,控制部50判定步骤S307中计测出的微粒的粒子数属于多个级别中的哪一个。此时,控制部50基于上述表6,在步骤S307中计测出的粒径为0.5μm以上的微粒的粒子数是43个以下的情况下判定为A级别,在比43个大且小于179个的情况下判定为B级别,在比179个大且小于410个的情况下判定为C级别。
    步骤S313中,控制部50将由紫外线光源21产生的紫外线束照射到载置于台座10的被曝光基板C的被曝光面或与被曝光面相向的面,从而在曝光中的被曝光基板C上形成表示由步骤S307判定出的级别的标记MR。
    图14是表示利用第三实施方式所涉及的曝光描绘装置2形成了标记MR的被曝光基板C的一例的主视图。如图14所示,在被曝光基板C的端部,形成表示级别(图15所示的例中为A级别)的标记MR。另外,在被曝光基板C上形成标记的方法不限于照射紫外线束的方法,也可以是通过附着墨汁而进行描绘的方法,也可以是通过对被曝光基板C的表面物理地进行刻削而进行描绘的方法。
    步骤315中,控制部50判定曝光完成时机是否到来。此时,控制部50在对1组被曝光基板C全部完成了曝光的情况下、通过用户操作经由输入部43或操作装置53输入了表示完成时机的信息的情况下,判定为曝光完成时机已经到来。
    在步骤S315中判定为曝光完成时机没有到来的情况下,转移到步 骤S307,控制部50重复步骤S307乃至S315的处理,在步骤S315中判定为曝光完成时机已经到来的情况下,控制部50结束曝光处理程序的执行。
    如此,第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,在各被曝光基板C的曝光处理时对装置内的微粒的粒子数进行计测,对计测出的粒子数的级别进行判定,在该被曝光基板C上描绘表示级别的标记MR。用户通过对曝光结束的被曝光基板C中的标记MR进行确认,从而能够对该被曝光基板C确认曝光处理时的灰尘状态。
    〔第四实施方式〕
    以下,针对第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1,参照附图详细地进行说明。另外,第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1与第一实施方式至第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1同样,具有图1至图6所示的结构,因此将与该结构相关而重复的说明省略。
    第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1除了具有第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1所具有的功能之外,还具备根据微粒的粒子数的级别而对被曝光基板C进行排列的功能。
    对基于第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1的作用进行说明。
    图15是表示第四实施方式所涉及的排列处理程序的处理的流程的流程图,该程序被预先存储在作为控制装置3的存储部51所具备的记录介质的ROM的预定区域。
    控制装置3的控制部50以预先规定的时机(本实施方式中为结束曝光处理程序的时机)执行该排列处理程序。
    步骤S401中,控制部50判定是否存在曝光结束的被曝光基板C。 此时,控制部50在由曝光描绘装置2进行了曝光的被曝光基板C被搬运装置(省略图示)搬运的中途,在知道被曝光基板C通过的预先规定的部位,利用光电传感器(省略图示)判定有无被曝光基板C,在判定为具有被曝光基板C的情况下,判定为存在曝光结束的被曝光基板C。
    在步骤S401中判定为存在曝光结束的被曝光基板C的情况下,步骤S403中,控制部50取得曝光结束的被曝光基板C的级别信息。此时,控制部50在步骤S311中将表示判定出的级别的级别信息存储在系统控制部40所具有的记录介质或存储部51,步骤S403中,取得该存储的级别信息。另外,取得级别信息的方法不限于此,也可以利用摄影装置(省略图示)对形成于被曝光基板C的标记MR进行摄影,利用图像处理进行文字识别,从而取得级别信息。
    步骤S405中,控制部50使曝光结束的被曝光基板C根据由步骤S403取得的级别信息而进行排列。此时,控制部50在搬运装置上的与搬运方向垂直的方向上,在对应每个级别而不同的预先确定的位置配置被曝光基板C后进行搬运。排列的方法不限于此,也可以是对应每个级别使搬运路径不同的方法。
    第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1中,以利用第三实施方式所涉及的曝光描绘系统1的处理在被曝光基板C描绘表示级别的标记MR为前提进行了说明,但是不限于此。例如,第四实施方式所涉及的曝光描绘系统1除了第一实施方式所涉及的曝光描绘系统1所具有的功能之外,也可以具备根据微粒的粒子数的级别而对被曝光基板C进行排列的功能。在该情况下,也可以是,控制装置3在步骤S403中判定是否对被曝光基板C描绘了标记M,在步骤S405中根据有无标记M的描绘而对曝光结束的被曝光基板C进行排列。
    通过参照将日本申请特愿2012-039185号的公开内容整体引入 到本说明书中。
    关于本说明书中记载的全部文献、专利申请及技术规格,与将各文献、专利申请及技术规格通过参照而引入这一情况具体且分别记述的情况相同程度地通过参照而引入到本说明书中。
    附图标记说明
    1…曝光描绘系统,2…曝光描绘装置,3…控制装置,4…尘埃计测装置,5…第一搬运部,6…第二搬运部,10…台座,11…基体,12…基台,14…导轨,15…门架,16…曝光部,16a…曝光头,17…光源单元,18…光纤,19…图像处理单元,20…信号线缆,21…紫外线光源,22…门架,23…摄影部,24…AC手,25…吸附部,26…按压部,30…吸入窗,31…排出窗,32…激光发生装置,33…出射窗,34…入射窗,35…聚光透镜,36…检测装置,40…系统控制部,41…台座驱动部,42…操作装置,43…移动驱动部,50…控制部,51…存储部,52…显示部,53…输入部,54…通信接口,60…计测结果信息,61…对应信息,C…被曝光基板,L…激光,M、MR…标记,N…序列号?!  ∧谌堇醋宰ɡ鴚ww.www.4mum.com.cn转载请标明出处

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