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    重庆时时彩助手免费版: 双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610911408.3

    申请日:

    2016.10.19

    公开号:

    CN106353344A

    公开日:

    2017.01.25

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 23/00申请日:20161019|||公开
    IPC分类号: G01N23/00 主分类号: G01N23/00
    申请人: 哈尔滨工业大学
    发明人: 李兴冀; 刘超铭; 杨剑群; 马国亮
    地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
    优先权:
    专利代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳昕
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610911408.3

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.03.01|||2017.01.25

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。所述方法包括:利用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试,在测试过程中,通过单一改变反偏电压、填充电压、测试周期或脉冲宽度,获取温度扫描测试曲线,根据温度扫描测试曲线中的信号峰,确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。在电离辐射损伤条件下,针对器件的各个敏感区进行深能级瞬态谱仪DLTS测试,利用本发明的方法在DLTS测试过程中可准确辨别位移缺陷及电离缺陷,并能定量分析测试氧化物电荷和界面态,大大减少测量双极晶体管氧化物俘获正电荷与界面态的难度。

    权利要求书

    1.一种双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在于,所述方法包括:利
    用深能级瞬态谱仪对双极型器件的敏感区进行测试,在测试过程中,通过单一改变反偏电
    压、填充电压、测试周期或脉冲宽度,获取温度扫描测试曲线,根据温度扫描测试曲线中的
    信号峰,确定该双极型器件为位移缺陷或电离缺陷。
    2.根据权利要求1所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在于,
    所述敏感区为发射结和/或集电结。
    3.根据权利要求1或2所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在
    于,当单一改变反偏电压,若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置不随反偏电压的变
    化而变化,则双极型器件为位移缺陷;若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置随反偏
    电压的变化逐渐增加或减小,则双极型器件为电离缺陷。
    4.根据权利要求1或2所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在
    于,
    当单一改变填充电压,若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置不随填充电压的变
    化而变化,则双极型器件为位移缺陷;若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的位置随填充
    电压的变化逐渐增加或减小,则双极型器件为电离缺陷。
    5.根据权利要求1或2所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在
    于,
    当单一改变测试周期,若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度不随测试周期的变
    化而变化,则双极型器件为位移缺陷;若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度随测试
    周期的变化逐渐增加或减小,则双极型器件为电离缺陷。
    6.根据权利要求1或2所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在
    于,
    当单一改变脉冲宽度,若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度不随脉冲宽度的变
    化而变化,则双极型器件为位移缺陷;若获得的温度扫描测试曲线的信号峰的高度随脉冲
    宽度的变化而改变,则双极型器件为电离缺陷。
    7.根据权利要求1所述的双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法,其特征在于,
    所述双极型器件包括NPN型器件、PNP型器件、数字双极电路、模拟双极电路、数模转换电路
    和模数转换电路。

    关 键 词:
    双极型 器件 电离 位移 辐射损伤 缺陷 辨别 方法
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