• 浪潮孙丕恕从信息时代到智能时代 人工智能价值将爆发式释放 2019-12-21
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
    • / 10
    • 下载费用:30 金币  

    重庆时时彩怎么选号准确高: 一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?pdf

    关 键 词:
    一种 现场 测量 变流器 IGBT ???损耗 方法
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    摘要
    申请专利号:

    CN201610822936.1

    申请日:

    2016.09.13

    公开号:

    CN106405365A

    公开日:

    2017.02.15

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20160913|||公开
    IPC分类号: G01R31/26(2014.01)I 主分类号: G01R31/26
    申请人: 同济大学
    发明人: 向大为; 宁晨
    地址: 200092 上海市杨浦区四平路1239号
    优先权:
    专利代理机构: 上??剖⒅恫ù碛邢薰?31225 代理人: 宣慧兰
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610822936.1

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.10.26|||2017.03.15|||2017.02.15

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,该方法包括如下步骤:(1)变流器输入端并联直流电容,输出端连接三相感性负载;(2)直流电容充电;(3)待测IGBT管为主开关管,其所在桥臂另一IGBT管的反并联二极管为续流二极管,调整各开关管的开关信号,组成BUCK电路;(4)调整待测IGBT管的开关频率,保持负载电流为设定值,记录两种不同开关频率下直流电容两端电压随时间的变化曲线;(5)根据变化曲线求得开关损耗与通态损耗,开关损耗为待测IGBT管开关损耗与续流二极管的反向恢复损耗之和,通态损耗为续流二极管与构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗之和。与现有技术相比,本发明测量方便,测量结果精确。

    权利要求书

    1.一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,所述的变流器为电压源型变换器,其特
    征在于,该方法包括如下步骤:
    (1)变流器输入端并联直流电容,变流器输出端连接三相感性负载;
    (2)对直流电容充电至设定电压;
    (3)以待测IGBT管作为主开关管,待测IGBT管所在桥臂中对应的另一IGBT管的反并联
    二极管为续流二极管,调整变流器中各IGBT管的开关信号,组成BUCK电路;
    (4)调整待测IGBT管的开关频率,保持负载电流为设定值,运行BUCK电路,记录两种不
    同开关频率下直流电容两端电压随时间的变化曲线;
    (5)根据步骤(4)中的变化曲线,采用能量守恒原理求得损耗量,所述的损耗量包括开
    关损耗与通态损耗,其中开关损耗为待测IGBT管开关损耗与续流二极管的反向恢复损耗之
    和,通态损耗为续流二极管的通态损耗与构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗之和。
    2.根据权利要求1所述的一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,其特征在于,步骤
    (4)中待测IGBT管的开关信号占空比小于3%。
    3.根据权利要求1所述的一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,其特征在于,所述
    的步骤(5)具体为:
    (501)获取两种开关频率下直流电容电压在U1~U2区间的放电时间,记开关频率为fsw1
    时的放电时间为ΔT1,开关频率为fsw2时的放电时间为ΔT2;
    (502)开关损耗Esw和通态损耗Pcon分别通过下式求?。?br /> <mrow> <msub> <mi>E</mi> <mrow> <mi>s</mi> <mi>w</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>E</mi> <mrow> <mi>o</mi> <mi>n</mi> <mo>_</mo> <mi>I</mi> <mi>G</mi> <mi>B</mi> <mi>T</mi> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mrow> <mi>o</mi> <mi>f</mi> <mi>f</mi> <mo>_</mo> <mi>I</mi> <mi>G</mi> <mi>B</mi> <mi>T</mi> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>E</mi> <mrow> <mi>r</mi> <mi>e</mi> <mi>c</mi> <mo>_</mo> <mi>D</mi> <mi>I</mi> <mi>O</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <msub> <mi>f</mi> <mrow> <mi>s</mi> <mi>w</mi> <mn>2</mn> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>f</mi> <mrow> <mi>s</mi> <mi>w</mi> <mn>1</mn> </mrow> </msub> </mrow> </mfrac> <mfrac> <mrow> <mi>C</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msubsup> <mi>U</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msubsup> <mi>U</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>)</mo> </mrow> <mrow> <mo>(</mo> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>1</mn> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>2</mn> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>1</mn> </msub> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>,</mo> </mrow>
    <mrow> <msub> <mi>P</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mi>o</mi> <mi>n</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <msub> <mi>P</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mi>o</mi> <mi>n</mi> <mo>_</mo> <mi>D</mi> <mi>I</mi> <mi>O</mi> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>P</mi> <mrow> <mi>C</mi> <mi>O</mi> <mi>N</mi> <mo>_</mo> <mi>T</mi> </mrow> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>C</mi> <mrow> <mo>(</mo> <msubsup> <mi>U</mi> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>-</mo> <msubsup> <mi>U</mi> <mn>2</mn> <mn>2</mn> </msubsup> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> <mrow> <mn>2</mn> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <msub> <mi>E</mi> <mrow> <mi>s</mi> <mi>w</mi> </mrow> </msub> <msub> <mi>f</mi> <mrow> <mi>s</mi> <mi>w</mi> <mn>2</mn> </mrow> </msub> <mo>-</mo> <msubsup> <mi>i</mi> <mrow> <mi>L</mi> <mo>-</mo> <msub> <mi>&Delta;T</mi> <mn>2</mn> </msub> </mrow> <mn>2</mn> </msubsup> <mi>R</mi> <mo>,</mo> </mrow>
    其中,Eon_IGBT为待测IGBT管的开通损耗,Eoff_IGBT为待测IGBT管的关断损耗,Eon_IGBT与
    Eoff_IGBT之和即为待测IGBT管的开关损耗,Erec_DIO为续流二极管的反向恢复损耗,Pcon_DIO为
    续流二极管通态损耗,Pcon_T为构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗,C为直流电容的电
    容值,R为负载的阻值,iL_ΔT2为负载电流在ΔT2放电时间内的平均值。
    4.根据权利要求1所述的一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,其特征在于,执行
    步骤(4)时改变待测IGBT管的开关信号的占空比,使得负载电流为设定值,进而得到不同负
    载电流下的直流电容两端电压随时间变化曲线,然后执行步骤(5)得到不同负载电流下的
    损耗量。
    5.根据权利要求1所述的一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,其特征在于,进行
    IGBT??樗鸷牟饬渴蓖ü齀GBT??橹心诓考傻奈露却衅骰竦肐GBT??楸砜俏露?,进而
    得到的损耗量为特定表壳温度下的损耗量。

    说明书

    一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?/invention-title>

    技术领域

    本发明涉及一种IGBT??樗鸷牟饬糠椒?,尤其是涉及一种现场测量变流器IGBT模
    块损耗的方法。

    背景技术

    IGBT??樽魑淞髌飨低车闹匾槌刹糠?,广泛应用于新能源发电,电动汽车,轨
    道交通等新兴领域中。随着电力电子技术的发展,IGBT正朝着高频化,大功率化以及高集成
    化方向发展,这使得业界对IGBT??榈乃鸷奶匦栽嚼丛焦刈?。IGBT??樗鸷亩韵低承阅?如
    效率与器件发热)有重要影响,此外较高的温度会加速IGBT??榈睦匣?,降低系统的可靠
    性。准确获得IGBT??榈乃鸷氖?,对于变流器系统的结构设计,运行效率,散热器选择以
    及器件的健康状态评估至关重要。

    夏加宽等人的题名为“Saber和Matlab在IGBT动态特性仿真中的应用研究”的文章
    以及Miyake M等人的题名为“Modeling of SiC IGBT Turn-Off Behavior Valid for
    Over 5-kV Circuit Simulation”的文章利用物理仿真软件计算IGBT??樗鸷?。该方法通
    过半导体器件物理模型模拟IGBT的动静态特性,并仿真计算不同运行条件下器件的各种损
    耗。以开关损耗计算为例,该方法首先仿真得到IGBT开通关断波形,再通过开关过程中电流
    电压乘积的积分得到开关损耗。这种方法的优点是能精确模拟了器件运行的实际条件,但
    缺点是需要用户对器件结构和各种参数有深入理解,工程实际应用较为困难。

    王烨等人的题名为“关于IGBT??樗鸷牡难芯俊钡奈恼峦ü笛椴饬縄GBT??楦?br />种损耗。以开关损耗为例,该方法利用高带宽电流、电压探头测量IGBT开关过程的电压电流
    波形。然后通过对电压电流乘积的积分测得IGBT开通、关断以及二极管反向恢复损耗的数
    据。该方法较为准确且能够反映实际系统中各种因素(如门极电阻、温度、寄生参数、直流电
    压等)对IGBT??樗鸷牡挠跋?。但由于功率??榘沧霸诒淞髌髂诓?,IGBT电流(集电极电流)
    很难直接测量,因此该方法实际工程应用困难。

    题名为“Calculation of Major IGBT Operating Parameters”的文章提出了利
    用IGBT生产商数据手册给出的损耗曲线计算不同运行条件下器件损耗的方法。该方法简单
    方便,但由于实际系统杂散电感等参数不同,IGBT??榈氖导仕鸷挠胧菔植峒扑愕慕峁?br />可能存在较大差异。

    中国专利CN201010275375.0提出了在测试平台外增加腔体结构,通过测量流过与
    被测器件所连接的散热沟中流体的流量以及进出口温度差计算器件的损耗。该方法增加腔
    体消除了因部分热量发散到周围空气中而带来的测量偏差,但测量平台搭建复杂,现场测
    试不方便。

    发明内容

    本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种现场测量变流
    器IGBT??樗鸷牡姆椒?。

    本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:

    一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,所述的变流器为电压源型变换器,该
    方法包括如下步骤:

    (1)变流器输入端并联直流电容,变流器输出端连接三相感性负载;

    (2)对直流电容充电至设定电压;

    (3)以待测IGBT管作为主开关管,待测IGBT管所在桥臂中对应的另一IGBT管的反
    并联二极管为续流二极管,调整变流器中各IGBT管的开关信号,组成BUCK电路;

    (4)调整待测IGBT管的开关频率,保持负载电流为设定值,运行BUCK电路,记录两
    种不同开关频率下直流电容两端电压随时间的变化曲线;

    (5)根据步骤(4)中的变化曲线,采用能量守恒原理求得损耗量,所述的损耗量包
    括开关损耗与通态损耗,其中开关损耗为待测IGBT管开关损耗与续流二极管的反向恢复损
    耗之和,通态损耗为续流二极管的通态损耗与构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗之
    和。

    步骤(4)中待测IGBT管的开关信号占空比小于3%。

    所述的步骤(5)具体为:

    (501)获取两种开关频率下直流电容电压在U1~U2区间的放电时间,记开关频率为
    fsw1时的放电时间为ΔT1,开关频率为fsw2时的放电时间为ΔT2;

    (502)开关损耗Esw和通态损耗Pcon分别通过下式求?。?br />




    其中,Eon_IGBT为待测IGBT管的开通损耗,Eoff_IGBT为待测IGBT管的关断损耗,Eon_IGBT
    与Eoff_IGBT之和即为待测IGBT管的开关损耗,Erec_DIO为续流二极管的反向恢复损耗,Pcon_DIO
    为续流二极管通态损耗,Pcon_T为构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗,C为直流电容的
    电容值,R为负载的阻值,iL_ΔT2为负载电流在ΔT2放电时间内的平均值。

    执行步骤(4)时改变待测IGBT管的开关信号的占空比,使得负载电流为设定值,进
    而得到不同负载电流下的直流电容两端电压随时间变化曲线,然后执行步骤(5)得到不同
    负载电流下的损耗量。

    进行IGBT??樗鸷牟饬渴蓖ü齀GBT??橹心诓考傻奈露却衅骰竦肐GBT???br />表壳温度,进而得到的损耗量为特定表壳温度下的损耗量。

    与现有技术相比,本发明具有如下优点:

    (1)本方法对变流器IGBT??樗鸷慕邢殖〔饬?,各个IGBT的开关状态就可现场
    构成损耗测量电路,无需增加额外硬件,无需深入理解器件的物理结构和参数工程实施方
    便,既提高了测量精度又降低了测量难度。

    (2)本方法无需测量IGBT集电极电流,而是通过测量直流电容电压随时间变化曲
    线与负载电流获得IGBT??樗鸷牧?,便于工程现场实施。

    (3)本方法能够实现不同负载电流下IGBT??樗鸷牧康牟饬?,即实现了不同工况
    下的IGBT??樗鸷牧康牟饬?,提高了测试结果的准确性。

    附图说明

    图1为现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒ǖ牧鞒掏?;

    图2为IGBT??樗鸷牟馐韵低吃硗?;

    图3为直流电容放电过程中直流电压与负载电流波形图;

    图4为实施例中测得的开关管开关损耗特性。

    具体实施方式

    下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

    实施例

    如图1所示,一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?,变流器为三相电压源型逆
    变器,该方法包括如下步骤:

    步骤1:测试准备,变流器输入端并联直流电容,变流器输出端连接三相感性负载,
    本实施例中三相感性负载采用三相电机,测量直流电容的电容值C和三相电机的线电阻阻
    值。

    步骤2:采用变流器前级电源对直流电容充电至额定电压。

    步骤3:隔离对直流电容充电的电源。

    步骤4:以待测IGBT管作为主开关管,待测IGBT管所在桥臂中对应的另一IGBT管的
    反并联二极管为续流二极管,调整变流器中各IGBT管的开关信号,组成BUCK电路,调整待测
    IGBT管的开关频率并运行BUCK电路;

    步骤5:调整待测IGBT管开关信号的占空比,运行BUCK电路;

    步骤6:判断负载电流是否到达设定值,若是执行步骤7,否则返回步骤5;

    步骤7:记录在不同开关频率下直流电容两端电压随时间变化曲线;

    步骤8:根据步骤7中的变化曲线,采用能量守恒原理求得损耗量,损耗量包括开关
    损耗与通态损耗,其中开关损耗为待测IGBT管开关损耗与续流二极管的反向恢复损耗之
    和,通态损耗为续流二极管的通态损耗与构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗之和。

    步骤9:判断所有IGBT管是否均完成测试,若是结束,否则返回步骤4。

    步骤5中由于三相电机线电阻阻值很小,因此待测IGBT管的开关信号的占空比很
    小,小于3%,待测IGBT管通态损耗可忽略,而近似认为续流二极管处于恒导通状态。

    步骤8具体为:

    a:获取两种开关频率下直流电容电压在U1~U2区间的放电时间,记开关频率为fsw1
    时的放电时间为ΔT1,开关频率为fsw2时的放电时间为ΔT2;

    b:开关损耗Esw和通态损耗Pcon分别通过下式求?。?br />




    其中,Eon_IGBT为待测IGBT管的开通损耗,Eoff_IGBT为待测IGBT管的关断损耗,Eon_IGBT
    与Eoff_IGBT之和即为待测IGBT管的开关损耗,Erec_DIO为续流二极管的反向恢复损耗,Pcon_DIO
    为续流二极管通态损耗,Pcon_T为构成的BUCK电路中短路IGBT管的通态损耗,C为直流电容的
    电容值,R为负载的阻值,iL_ΔT2为负载电流在ΔT2放电时间内的平均值。

    执行步骤4时改变待测IGBT管的开关信号的占空比,使得负载电流为设定值,进而
    得到不同负载电流下的直流电容两端电压随时间变化曲线,然后执行步骤5得到不同负载
    电流下的损耗量。进行IGBT??樗鸷牟饬渴蓖ü齀GBT??橹心诓考傻奈露却衅骰竦?br />IGBT??楸砜俏露?,进而得到的损耗量为特定表壳温度下的损耗量。

    本发明方法的基本思想是:通过控制变流器中IGBT的开关状态现场构成BUCK电路
    对直流电容放电,然后根据能量守恒定律计算变流器中IGBT??榈母髦炙鸷?。具体地,以图
    2所示的IGBT??樗鸷牟馐韵低吃硗冀惺匝椴馐?。

    (1)在变流器启动前,通过电桥测量直流电容C=723μF和负载电阻R=0.422Ω。

    (2)采用电源对直流电容充电,充电到537V。

    (3)断开变流器与电源的电气连接,即断开图2中开关K1。

    (4)以T2管为待测IGBT管,开关管T3保持常通,T1,T4,T5,T6管保持常闭,即为步骤8
    中所述的构成的BUCK电路中短路IGBT管,T2管施加恒定占空比的PWM脉冲。构成以T2管为开
    关管,D1为续流二极管,电流iL流经负载A相和B相的直流电容BUCK放电电路。变频器额定直
    流电压为537V,选择U1=520V,U2=500V作为放电测试区间。

    根据能量守恒定律,得到公式1,直流电容放电过程中电容能量主要消耗于:D1、T2、
    T3管的通态损耗,T2管的开关损耗和D1管的反向恢复损耗,以及负载电阻的热损耗。由于负
    载电阻阻值很小,T2占空比很小,可忽略T2通态损耗,而D1则近似处于恒导通状态。



    其中C为直流电容的电容值,U1,U2为直流电容放电区间的上下限值,R为负载电阻,
    fsw为被待测IGBT管T2管开关频率,ΔT为电容放电时间,iL_ΔT为负载电流iL在放电区间内的
    平均值,Pcon_D1为二极管D1通态损耗,Pcon_T3为开关管T3的通态损耗,Eon_T2为开关管T2管的开
    通损耗,Eoff_T2为开关管T2管的关断损耗,Erec_D1为二极管D1的反向恢复损耗。

    设定T2和D1为被测器件,为进一步分离出IGBT??橹械耐ㄌ鸷挠肟厮鸷?,采用
    如下方法:1)首先,由于改变开关频率会导致开关损耗发生变化,因此通过记录不同开关频
    率下直流电容放电时间ΔT的变化,可以根据式(1)分离出被测器件在相应负载电流下的开
    关损耗Esw=Eon_T2+Eoff_T2+Erec_D1,如式(2)所述。式中fsw1和fsw2为两次实验采用的开关频率,
    ΔT1,ΔT2为相应开关频率下直流电容的放电时间;2)在得到Esw后,带入式(1)可得到对应
    电流下D1和T3管导通损耗功率之和,即通态损耗Pcon=Pcon_D1+Pcon_T3;3)最后,通过改变被测
    IGBT的占空比,可调节工作电流,得到IGBT??樵诓煌缌飨碌目睾偷纪ㄋ鸷?。



    本实施例在IGBT??榭俏碌扔?5℃、负载平均电流30A的条件下,分别测量开关频
    率fsw1=4kHz和fsw2=8kHz时,电容在U1=520V~U2=500V区间的放电时间ΔT1=15.3ms,Δ
    T2=14.7ms。在开关频率fsw1=4kHz下,测得的直流电容电压Vdc及负载电流iL波形如图3所
    示。

    根据公式(2)可以得到在负载电流为30A,工作电压为510V条件下被测器件的开关
    损耗量Esw=4.8mJ,进而得到通态损耗Pcon=82.7W,其中Pcon=Pcon_D1+Pcon_T3,Pcon_D1为二极管
    D1通态损耗,Pcon_T3为开关管T3的通态损耗。

    改变待测IGBT管占空比,该实施例中即为T2管,测量不同负载电流下器件的损耗
    情况,现场测得的开关损耗特性如图4所示。

       内容来自专利网重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn转载请标明出处

    关于本文
    本文标题:一种现场测量变流器IGBT??樗鸷牡姆椒?pdf
    链接地址://www.4mum.com.cn/p-6014435.html

    [email protected] 2017-2018 www.4mum.com.cn网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 浪潮孙丕恕从信息时代到智能时代 人工智能价值将爆发式释放 2019-12-21
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 欢乐生肖精准计划 亲朋棋牌充值中心 人气最高线上娱乐平台 联众麻将外挂 香港六合彩特码 足彩即时赔率 新彩彩票网址 广东26选5最新开奖结果 双色球历史开奖记录 hkjc即时赔率 江西快三遗漏3同号最大遗漏 2018全年固定公式规律 云南十一选五近100期 天天象棋下载 排列3 赖子麻将官网