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    怎么样举报重庆时时彩: 一种低应力Z轴加速度计的制备方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610715395.2

    申请日:

    2016.08.25

    公开号:

    CN106405151A

    公开日:

    2017.02.15

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01P 15/125申请日:20160825|||公开
    IPC分类号: G01P15/125 主分类号: G01P15/125
    申请人: 华东光电集成器件研究所
    发明人: 王鹏; 黄斌; 曹卫达; 陈璞; 刘磊
    地址: 233042 安徽省蚌埠市经济开发区财院路10号
    优先权:
    专利代理机构: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 陈俊
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610715395.2

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.03.15|||2017.02.15

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开一种低应力Z轴加速度计的制备方法,包括制备下衬底层、下固定电极层、可动结构层、上衬底层与上固定电极层;下衬底层包含衬底、衬底隔离腔、衬底支撑锚点以及衬底中心锚点;下固定电极层包含下固定电极、下固定电极层中心锚点与下固定电极层支撑框架;可动结构层包含可动电极、可动结构层中心锚点以及可动结构层支撑框架;上固定电极层及上衬底层与下固定电极层及下衬底层形成对称,得到Z轴加速度计;本发明采用常规工艺方法,即可实现将固定电极与衬底之间形成一定的间隙,达到降低热应力对器件影响的目的;无需开释放孔即可实现隔离,不会减小感应电容面积,厚度控制精确,实现上下均分布带有隔离间隙的固定电极的高灵敏度器件。

    权利要求书

    1.一种低应力Z轴加速度计的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
    S1)制备下衬底层:
    采用双抛硅片作为衬底,在双抛硅片的两面通过热氧化生长衬底氧化层;以其中一面
    作为加工面,通过光刻工艺制备出隔离腔图形、支撑锚点图形与中心锚点图形,再利用干法
    刻蚀,形成衬底隔离腔、衬底支撑锚点以及衬底中心锚点,得到下衬底层;衬底中心锚点、衬
    底支撑锚点与衬底隔离腔依次由内向外分布,衬底中心锚点与衬底支撑锚点之间存在间
    隙;
    S2)制备下固定电极层:
    采用SOI硅片作为固定电极层的基体,利用硅硅键合将SOI硅片键合于下衬底层的顶
    部;利用光刻与干法刻蚀制备出活动腔,活动腔与衬底隔离腔相对应;再利用光刻与干法刻
    蚀制备出下固定电极、下固定电极层中心锚点与下固定电极层支撑框架,得到下固定电极
    层;下固定电极层中心锚点与衬底中心锚点形成配合,下固定电极的内侧与衬底支撑锚点
    形成配合;
    S3)制备可动结构层:
    采用SOI硅片作为可动结构层的基体,利用硅硅键合将SOI硅片键合于下固定电极层的
    顶部;利用光刻与干法刻蚀制备出可动电极、可动结构层中心锚点以及可动结构层支撑框
    架;可动结构层中心锚点与下固定电极层中心锚点形成配合,可动电极位于下固定电极上
    方,并能够在下固定电极层的活动腔内沿Z轴移动;
    S4)制备上衬底层:
    按照步骤S1的方法制备与下衬底层结构相同的上衬底层;
    S5)制备上固定电极层:
    按照步骤S2的方法制备与下固定电极层结构相同的上固定电极层;
    S6)上固定电极层与上衬底层相键合后再与可动结构层硅硅键合,上固定电极层及上
    衬底层与下固定电极层及下衬底层形成对称,得到Z轴加速度计。

    关 键 词:
    一种 应力 加速度计 制备 方法
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