• 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
    • / 11
    • 下载费用:20 金币  

    重庆时时彩五星图: 一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610813228.1

    申请日:

    2016.09.09

    公开号:

    CN106385239A

    公开日:

    2017.02.08

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):H03F 3/16申请日:20160909|||公开
    IPC分类号: H03F3/16; H03F1/26; H03F1/56; H03G3/30 主分类号: H03F3/16
    申请人: 中国计量大学
    发明人: 吴秀山; 韩建强; 俞丙威; 王艳智
    地址: 310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号
    优先权:
    专利代理机构: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610813228.1

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.03.08|||2017.02.08

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器,包括主增益级电路、输入阻抗匹配电路、增益控制级电路以及反馈电容单元。本发明通过控制尾电流源的导通产生可编程的电压,该编程电压加在主增益级电路共栅管的栅极,改变了该共栅管的跨导,进一步改变共源管的栅源电压,使得共源管的跨导改变,这样输入级的共源共栅管的跨导和产生了变化,最终改变了输入匹配以产生不同的放大增益,同时引入输出到输入的反馈电容,来补偿不同调节电压时的输入匹配,通过合理的规划编程电压和反馈电容,可以实现宽带匹配和低噪声放大器的精确增益步进。

    权利要求书

    1.一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:包括主增益级电路、输入阻抗
    匹配电路、增益控制级电路以及两个反馈电容单元;其中:
    所述的输入阻抗匹配电路用于将天线输入的单端信号转换成一对差分信号,使所述宽
    带低噪声放大器在设定的频率范围内满足输入阻抗匹配要求;
    所述的主增益级电路用于对上述两路差分信号进行低噪声放大,其采用全差分的电阻
    并联反馈拓扑结构,以电阻作为并联反馈元件连接至其内部共源管的栅极;
    所述的增益控制级电路用于对主增益级电路的增益进行调节,其根据外部输入的n位
    电平信号来选通尾电流源以产生不同的增益控制电压,该增益控制电压施加在主增益级电
    路中共栅管的栅极,进一步改变共源管的栅源电压,使得主增益级电路中共源管与共栅管
    的跨导和产生变化,进而改变主增益级电路的输入匹配以产生不同的放大增益,n为大于1
    的自然数;
    所述的反馈电容单元根据外部输入的n位电平信号选通内部的电容开关支路,引入电
    容反馈,以补偿主增益级电路在不同增益控制电压下的输入匹配。
    2.根据权利要求1所述的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:所述的输入阻抗匹配电
    路包括五个电容C1~C5、四个电感L1~L4和一个变压器;其中,电感L1的一端接天线输入的单
    端信号,电感L1的另一端与电容C1的一端以及电感L2的一端相连,电感L2的另一端与电容C2
    的一端以及电容C3的一端相连,电容C3的另一端与变压器原边绕组的一端相连,变压器原边
    绕组的另一端与电容C1的另一端以及电容C2的另一端相连并接地,变压器副边绕组的一端
    与电容C4的一端相连,变压器副边绕组的另一端与电容C5的一端相连,电容C4的另一端与电
    感L3的一端相连,电容C5的另一端与电感L4的一端相连,电感L3和L4的另一端分别产生一对
    差分信号。
    3.根据权利要求1所述的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:所述的主增益级电路包
    括三个PMOS管P1~P3、六个NMOS管N1~N6、六个隔直电容CH1~CH6、八个电阻R1~R8以及并联
    反馈电阻Rfn和Rfp;其中,PMOS管P1的源极接电源电压,PMOS管P1的栅极接使能信号ENB,ENB
    为外部电路提供的使能信号EN经反相器后形成的与EN相位互补的使能信号,PMOS管P1的漏
    极与PMOS管P2的源极、电阻R2的一端、电阻R3的一端、电阻R7的一端、电阻R6的一端以及PMOS
    管P3的源极相连,PMOS管P2的栅极与电阻R1的一端以及隔直电容CH1的一端相连,电阻R1的另
    一端接增益控制级电路提供的增益控制电压,PMOS管P2的漏极与并联反馈电阻Rfn的一端、
    隔直电容CH3的一端以及NMOS管N1的漏极相连,电阻R2的另一端与隔直电容CH3的另一端以
    及NMOS管N2的栅极相连,电阻R3的另一端与NMOS管N2的漏极相连,电阻R7的另一端与NMOS管
    N4的漏极相连,电阻R6的另一端与隔直电容CH6的一端以及NMOS管N4的栅极相连,PMOS管P3的
    漏极与并联反馈电阻Rfp的一端、隔直电容CH6的另一端以及NMOS管N6的漏极相连,PMOS管P3
    的栅极与电阻R5的一端以及隔直电容CH4的一端相连,电阻R5的另一端接增益控制级电路提
    供的增益控制电压,隔直电容CH1的另一端与并联反馈电阻Rfn的另一端、NMOS管N1的栅极以
    及隔直电容CH2的一端相连并接输入阻抗匹配电路产生的一路差分信号,隔直电容CH4的另
    一端与并联反馈电阻Rfp的另一端、NMOS管N6的栅极以及隔直电容CH5的一端相连并接输入
    阻抗匹配电路产生的另一路差分信号,隔直电容CH2的另一端与NMOS管N3的栅极、NMOS管N5
    的栅极以及隔直电容CH5的另一端相连并接增益控制级电路提供的偏置电压,NMOS管N1的源
    极和NMOS管N6的源极均接地,NMOS管N2的源极与NMOS管N3的漏极相连并产生一路低噪声放
    大后的差分信号,NMOS管N4的源极与NMOS管N5的漏极相连并产生另一路低噪声放大后的差
    分信号,NMOS管N3的源极与电阻R4的一端相连,NMOS管N5的源极与电阻R8的一端相连,电阻R4
    的另一端和电阻R8的另一端均接地;PMOS管P2和P3为共栅管,NMOS管N1和N6为共源管。
    4.根据权利要求3所述的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:所述的增益控制级电路
    包括n路尾电流源、六个PMOS管MP1~MP6以及四个NMOS管MN1~MN4;其中,PMOS管MP1的源极与
    PMOS管MP6的源极、PMOS管MP4的源极以及PMOS管MP5的源极相连,PMOS管MP1的栅极与PMOS管
    MP6的漏极以及PMOS管MP2的源极相连,PMOS管MP6的栅极接外部电路提供的使能信号EN,
    PMOS管MP2的栅极接使能信号ENB,ENB为使能信号EN经反相器后形成的与EN相位互补的使
    能信号,PMOS管MP1的漏极与PMOS管MP2的漏极相连并产生所述的增益控制电压,PMOS管MP4
    的栅极与PMOS管MP5的栅极、PMOS管MP4的漏极以及NMOS管MN3的漏极相连,PMOS管MP5的漏极
    与NMOS管MN4的漏极以及NMOS管MN4的栅极相连并产生偏置电压,PMOS管MP3的源极接外部电
    路提供的偏置电流,PMOS管MP3的栅极与NMOS管MN2的栅极相连并接使能信号ENB,PMOS管MP3
    的漏极与NMOS管MN1的漏极以及NMOS管MN3的栅极相连,NMOS管MN2的源极与NMOS管MN1的源
    极、NMOS管MN3的源极以及NMOS管MN4的源极相连并接地;所述的尾电流源由上下两个NMOS管
    串联组成,其中上NMOS管作为尾电流源的控制开关,下NMOS管与NMOS管MN1组成镜像恒流
    源,上NMOS管的漏极与PMOS管MP1的漏极以及PMOS管MP2的漏极相连,上NMOS管的源极与下
    NMOS管的漏极相连,上NMOS管的栅极接外部输入对应的一位电平信号,下NMOS管的栅极与
    PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1的漏极以及NMOS管MN3的栅极相连,下NMOS管的源极接地。
    5.根据权利要求1所述的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:所述的反馈电容单元由
    n条电容开关支路并联组成并接于主增益级电路对应的一组差分信号输入端与输出端之
    间;所述的电容开关支路由一CMOS开关管和一电容串联组成,CMOS开关管的栅极接外部输
    入对应的一位电平信号。
    6.根据权利要求5所述的CMOS宽带低噪声放大器,其特征在于:若电容开关支路中CMOS
    开关管栅极接收的是第i位电平信号,则该支路中电容的电容值为2iC,开关管的宽长比为
    2id,i为自然数且0≤i≤n-1,C为单位电容,d为单位宽长比。

    关 键 词:
    一种 增益 可调 CMOS 宽带 低噪声放大器
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    0条评论

    还可以输入200字符

    暂无评论,赶快抢占沙发吧。

    关于本文
    本文标题:一种增益可调的CMOS宽带低噪声放大器.pdf
    链接地址://www.4mum.com.cn/p-6014302.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服客服 - 联系我们

    [email protected] 2017-2018 www.4mum.com.cn网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03