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    重庆时时彩后1技巧: 一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610685286.0

    申请日:

    2016.08.18

    公开号:

    CN106352989A

    公开日:

    2017.01.25

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01J 5/24申请日:20160818|||公开
    IPC分类号: G01J5/24 主分类号: G01J5/24
    申请人: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
    发明人: 王宏臣; 杨水长
    地址: 264006 山东省烟台市经济技术开发区贵阳大街11号
    优先权:
    专利代理机构: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立;王博
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610685286.0

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.03.01|||2017.01.25

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构,该制作方法包括:在以读出电路为基底的晶圆上制备反射层;在反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层;蚀刻第一支撑层,在反射层上方制备第一通孔;在第一支撑层上依次制备第一电极、第一介质层、第一钝化层、第二牺牲层、第二支撑层、热敏层、?;げ?;蚀刻第二支撑层,在第一电极上方制备第二通孔;蚀刻?;げ?,在热敏层上方制备接触孔;在热敏层及第二支撑层上依次制备第二电极、第二介质层、第二钝化层、第三牺牲层、第三支撑层、第三钝化层;释放各层牺牲层,得到探测器结构。本发明通过三层微桥结构提高了像素结构的有效填充因子及红外吸收效率。

    权利要求书

    1.一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
    步骤1,在以读出电路为基底的晶圆上制备反射层;
    步骤2,在所述反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层;
    步骤3,光刻和蚀刻所述绝缘介质层和第一支撑层,在所述反射层上制备第一通孔;
    步骤4,在所述第一支撑层上依次制备第一电极、第一介质层、第一钝化层、第二牺牲
    层、第二支撑层、热敏层和?;げ?;
    步骤5,光刻和蚀刻所述第一介质层和第二支撑层,在所述第一电极上制备第二通孔;
    步骤6,光刻和蚀刻所述?;げ?,在所述热敏层上制备接触孔;
    步骤7,在所述热敏层及所述第二支撑层上依次制备第二电极、第二介质层、第二钝化
    层、第三牺牲层、第三支撑层和第三钝化层;
    步骤8,释放所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层,得到三层微桥结构。
    2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤2中,所述反射层的材料包括厚度
    为的金属薄膜,所述金属薄膜对波长为8~14μm的红外光的反射率大于99%;
    通过蚀刻所述反射层形成反射层图形,并在所述反射层图形上沉积绝缘介质,得到所述绝
    缘介质层,所述绝缘介质包括厚度均为的Si3N4或SiO2薄膜;通过在所述绝缘介
    质层上沉积牺牲层材料,得到所述第一牺牲层;通过蚀刻所述第一牺牲层形成第一牺牲层
    图形,并在所述第一牺牲层图形上沉积支撑层材料,得到所述第一支撑层。
    3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤4中,通过在所述第一支撑层上沉
    积电极层材料,得到所述第一电极;通过光刻和蚀刻所述第一电极形成第一电极图形,并在
    所述第一电极图形上沉积介质层材料,得到所述第一介质层;通过蚀刻所述第一介质层及
    所述第一支撑层形成所述第一钝化层;通过在所述第一钝化层上沉积牺牲层材料,得到所
    述第二牺牲层;通过蚀刻所述第二牺牲层形成第二牺牲层图形,并在所述第二牺牲层图形
    上沉积支撑层材料,得到所述第二支撑层;通过在所述第二支撑层上沉积热敏层材料,得到
    所述热敏层,所述热敏层材料包括厚度均为方阻均为50~5000KΩ/□的V2O5
    或α-Si薄膜;通过在所述热敏层上沉积?;げ悴牧?,得到所述?;げ?,所述?;げ悴牧习?br />厚度为的Si3N4薄膜,所述?;げ阃ü壤胱犹逶銮炕喑粱玫?。
    4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤7中,通过在所述热敏层及所述第
    二支撑层上沉积电极层材料,得到所述第二电极;通过光刻和蚀刻所述第二电极形成第二
    电极图形,并在所述第二电极图形上沉积介质层材料,得到所述第二介质层;通过蚀刻所述
    第二介质层及所述第二支撑层形成所述第二钝化层;通过在所述第二钝化层上沉积牺牲层
    材料,得到所述第三牺牲层;通过蚀刻所述第三牺牲层形成第三牺牲层图形,并在所述第三
    牺牲层图形上沉积支撑层材料,得到所述第三支撑层;通过蚀刻所述第三支撑层形成所述
    第三钝化层。
    5.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述牺牲层材料包括Al薄
    膜、非晶碳或者耐温光刻胶,所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层的厚度均
    为1.0~2.5um。
    6.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述支撑层材料包括Si3N4
    薄膜,所述第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层的厚度均为所述
    第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层均通过等离子体增强化学气相沉积得到。
    7.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述电极层材料包括V、
    Ti、NiCr或TiN薄膜,所述第一电极和所述第二电极的厚度均为所述第一电极
    和所述第二电极均通过物理气相沉积得到。
    8.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述介质层材料包括Si3N4
    薄膜,所述第一介质层和所述第二介质层的厚度均为所述第一介质层和所述
    第二介质层均通过等离子体增强化学气相沉积得到。
    9.根据权利要求1-4中任一项所述的制作方法,其特征在于,所述热敏层的沉积方法包
    括电子束蒸发、激光蒸发、离子束沉积或物理气相沉积,沉积所述热敏层之前先沉积复合薄
    膜做为过渡层,所述过渡层的厚度为所述热敏层的蚀刻方法包括离子束刻蚀或
    反应离子刻蚀,并使用终点监测设备对蚀刻过程进行监控。
    10.一种非制冷红外焦平面探测器微桥的结构,其特征在于,包括利用权利要求1-9中
    任一项所述的非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法制作出的结构。

    关 键 词:
    一种 制冷 红外 平面 探测器 制作方法 结构
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