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    重庆时时彩靠谱么: 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置.pdf

    关 键 词:
    阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置
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    摘要
    申请专利号:

    CN201710044813.4

    申请日:

    2017.01.20

    公开号:

    CN106773378A

    公开日:

    2017.05.31

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1343申请日:20170120|||公开
    IPC分类号: G02F1/1343; G02F1/1362 主分类号: G02F1/1343
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司; 重庆京东方光电科技有限公司
    发明人: 栗鹏; 朴正淏; 金熙哲; 金在光
    地址: 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201710044813.4

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.06.23|||2017.05.31

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板和多个像素单元,像素单元包括像素电极和公共电极。像素电极和公共电极分别包括沿第一方向并列布置多个第一像素电极条和多个第一公共电极条,每个第一公共电极条与至少一个第一像素电极条重叠。像素单元包括至少一个像素单元子区域,像素单元子区域具有子区域对称轴,像素电极在像素单元子区域中的第一像素电极条和公共电极在像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于子区域对称轴对称设置。在子区域对称轴的任一侧,第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区域对称轴。该阵列基板降低了工艺波动引起的显示面板的透过率波动。

    权利要求书

    1.一种阵列基板,包括衬底基板以及在所述衬底基板上按阵列布置的多个像素单元,
    其中,每个所述像素单元包括:
    像素电极,其中,所述像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的所述第一像素
    电极条之间的多个第一狭缝,所述多个第一像素电极条沿第一方向并列布置;
    与所述像素电极位于不同层的公共电极,其中,所述公共电极包括多个第一公共电极
    条和位于相邻的所述第一公共电极条之间的多个第二狭缝,所述多个第一公共电极条沿所
    述第一方向并列布置,
    其中,每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠;
    所述像素单元包括至少一个像素单元子区域,所述像素单元子区域具有子区域对称
    轴,所述像素电极在所述像素单元子区域中的所述第一像素电极条和所述公共电极在所述
    像素单元子区域中的所述第一公共电极条分别相对于所述子区域对称轴对称设置,
    在所述像素单元子区域中,在所述子区域对称轴的任一侧,所述第一公共电极条相对
    于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称轴。
    2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述衬底基板设置于所述公共电极的远离所
    述像素电极的一侧,或者设置于所述像素电极的远离所述公共电极的一侧。
    3.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一方向平行于阵列布置的多个所述像
    素单元的列方向。
    4.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一像素电极条和所述第一公共电极条
    的延伸方向平行于阵列布置的多个所述像素单元的行方向。
    5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,每个所述第一公共电极条与一个所
    述第一像素电极条重叠,在所述像素单元子区域中,在所述子区域对称轴的任一侧,所述第
    一公共电极条相对于与之重叠的所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称
    轴。
    6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述像素电极还包括至少一个将多
    个所述第一像素电极条电连接的第二像素电极条,所述公共电极还包括至少一个将多个所
    述第一公共电极条电连接的第二公共电极条。
    7.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其中,所述像素区域包括至少两个所述像
    素单元子区域,且所述像素区域具有沿所述像素单元的行方向延伸的像素区域对称轴,至
    少所述两个像素单元子区域相对于所述像素区域对称轴对称设置。
    8.根据权利要求3所述的阵列基板,其中,所述像素电极的沿所述第一方向的宽度W1和
    所述公共电极的沿所述第一方向的宽度W2满足以下条件:
    n*(W1+S1)=(W2+S2);
    其中,S1为位于所述区域对称轴任一侧的所述第一像素电极条在所述第一方向上的间
    隔,S2为位于所述区域对称轴任一侧的所述第一公共电极条在所述第一方向上的间隔,n为
    大于等于2的整数。
    9.一种显示面板,包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板。
    10.一种显示装置,包括如权利要求9所述的显示面板。
    11.一种如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制作方法,包括:
    提供衬底基板;
    在所述衬底基板上形成按阵列布置的多个像素单元,其中,每个所述像素单元包括:
    像素电极,其中,所述像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的所述第一像素
    电极条之间的多个第一狭缝,所述多个第一像素电极条沿第一方向并列布置;
    与所述像素电极位于不同层的公共电极,其中,所述公共电极包括多个第一公共电极
    条和位于相邻的所述第一公共电极条之间的多个第二狭缝,所述多个第一公共电极条沿所
    述第一方向并列布置,
    其中,每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠;
    所述像素单元包括至少一个像素单元子区域,所述像素单元子区域具有子区域对称
    轴,所述像素电极在所述像素单元子区域中的所述第一像素电极条和所述公共电极在所述
    像素单元子区域中的所述第一公共电极条分别相对于所述子区域对称轴对称设置,
    在所述像素单元子区域中,在所述子区域对称轴的任一侧,所述第一公共电极条相对
    于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称轴。
    12.根据权利要求11所述的制作方法,其中,
    所述衬底基板设置于所述公共电极的远离所述像素电极的一侧,或者设置于所述像素
    电极的远离所述公共电极的一侧。
    13.根据权利要求11所述的制作方法,其中,所述第一方向平行于阵列布置的多个所述
    像素单元的列方向。
    14.根据权利要求11-13任一项所述的制作方法,其中,所述像素电极还包括至少一个
    将多个所述第一像素电极条电连接的第二像素电极条,所述公共电极还包括至少一个将多
    个所述第一公共电极条电连接的第二公共电极条。
    15.根据权利要求11-13任一项所述的制作方法,其中,所述像素区域包括至少两个所
    述像素单元子区域,且所述像素区域具有沿所述像素单元的行方向延伸的像素区域对称
    轴,所述至少两个像素单元子区域相对于所述像素区域对称轴对称设置。

    说明书

    阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

    技术领域

    本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。

    背景技术

    由于具有高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch,简称ADS)显示模
    式的显示面板具有宽视角的优势,因而广泛应用于显示装置中。然而由于采用ADS显示技术
    的显示面板的像素电极与公共电极交叠区域构成存储电容过大,导致薄膜晶体管充电时间
    较长,因此亟需降低采用ADS显示技术的显示面板的存储电容。通常降低ADS型显示面板存
    储电容的方法为增加像素电极与公共电极之间绝缘层厚度或者降低开口率来减少像素电
    极与公共电极的交叠面积。对于第一种方法,会增加显示面板的制造难度和制造成本;对于
    第二种方法,会降低显示面板的开口率,上述两种方法均与消费者对显示装置的期望相背
    离。

    发明内容

    本公开的一个实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板以及在所述
    衬底基板上按阵列布置的多个像素单元。每个所述像素单元包括像素电极和与所述像素电
    极位于不同层的公共电极。所述像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素
    电极条之间的多个第一狭缝,所述多个第一像素电极条沿第一方向并列布置。所述公共电
    极包括多个第一公共电极条和位于相邻的第一公共电极条之间的多个第二狭缝,所述多个
    第一公共电极条沿所述第一方向并列布置;每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一
    像素电极条重叠。所述像素单元包括至少一个像素单元子区域,所述像素单元子区域具有
    子区域对称轴,所述像素电极在所述像素单元子区域中的第一像素电极条和所述公共电极
    在所述像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于所述子区域对称轴对称设置。在所
    述像素单元子区域中,在所述子区域对称轴的任一侧,所述第一公共电极条相对于与之重
    叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠近所述子区域对称轴。

    本公开的一个实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括上述的阵列基板。

    本公开的另一个实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的显示面板。

    本公开的再一个实施例提供了一种阵列基板的制作方法,该阵列基板的制作方法
    包括提供衬底基板,以及在所述衬底基板上形成按阵列布置的多个像素单元。每个所述像
    素单元包括像素电极和与所述像素电极位于不同层的公共电极。所述像素电极包括多个第
    一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间的多个第一狭缝,所述多个第一像素电极
    条沿第一方向并列布置。所述公共电极包括多个第一公共电极条和位于相邻的第一公共电
    极条之间的多个第二狭缝,所述多个第一公共电极条沿所述第一方向并列布置;每个所述
    第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠。所述像素单元包括至少一个像素单
    元子区域,所述像素单元子区域具有子区域对称轴,所述像素电极在所述像素单元子区域
    中的第一像素电极条和所述公共电极在所述像素单元子区域中的第一公共电极条分别相
    对于所述子区域对称轴对称设置。在所述像素单元子区域中,在所述子区域对称轴的任一
    侧,所述第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离或者更靠
    近所述子区域对称轴。

    附图说明

    为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中
    所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些
    实施例,并非对本公开的限制。

    图1是一种低存储电容式显示面板的剖面示意图;

    图2(a)是本公开一个实施例提供的一种阵列基板的一种结构的平面示意图;

    图2(b)是包含图2(a)所示的阵列基板的显示面板沿I-I’线的剖面示意图;

    图3(a)示出了包含图2(a)所示的阵列基板的显示面板的透射率随电压变化曲线;

    图3(b)示出了包含图2(a)所示的阵列基板的显示面板的存储电容随电压变化曲
    线;

    图3(c)示出了包含图2(a)所示的阵列基板的显示面板的透射率波动随电压变化
    曲线;

    图4是本公开一个实施例提供的一种阵列基板的另一种结构的平面示意图;

    图5是本公开一个实施例提供的一种阵列基板的再一种结构的平面示意图;

    图6是本公开一个实施例提供的一种阵列基板的再一种结构的平面示意图;

    图7是本公开另一个实施例提供的一种显示装置的示意性框图;以及

    图8是本公开再一个实施例提供的一种阵列基板的制作方法。

    具体实施方式

    下面将结合附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附
    图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例,更加全面地说明本公开的示例实施
    例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是,图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本
    公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述,从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出
    的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施,以及进一步使本领域技术人员能够实
    施示例实施例。因而,这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。

    除非另外特别定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域
    内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词
    语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。此外,在本公开
    各个实施例中,相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。

    发明人注意到,可以通过将板状公共电极变为条状公共电极,并使部分像素电极
    对应于条状公共电极之间的狭缝的方式来减少像素电极与公共电极的交叠面积。例如,图1
    是一种低存储电容式显示面板的剖面示意图,如图1所示,该显示面板包括阵列基板,该阵
    列基板包括衬底基板510以及在衬底基板510上按阵列布置的多个像素单元,每个像素单元
    包括:像素电极530,与像素电极530位于不同层的公共电极540,以及位于像素电极530和公
    共电极540之间的介电材料层564。像素电极530可以包括多个第一像素电极条531,公共电
    极540可以包括多个第一公共电极条541。部分第一像素电极条531与第一公共电极条541重
    叠,部分第一像素电极条531的正投影位于相邻的两个第一公共电极条541之间。第一像素
    电极条531的宽度W1’和第一公共电极条541的宽度W2’,第一像素电极条531之间的间距S1
    以及第一公共电极条541之间的间距S2满足关系:2*(W1+S1)=(W2+S2)。例如,该显示面板
    还可以包括与阵列基板对置的玻璃基板572,设置于阵列基板和玻璃基板572之间的液晶层
    571,设置于阵列基板的远离液晶层571的第一偏振片573,以及设置于玻璃基板572的远离
    液晶层571的第二偏振片574。由于只有部分像素电极530与公共电极540交叠,因此可以在
    不增加像素电极530和公共电极540之间的间距以及降低阵列基板开口率的情况下降低存
    储电容。

    然而,发明人还注意到,对于图1所示的低存储电容式显示面板,由于将公共电极
    由板状变为条状,工艺波动引起的所有像素电极的中心相对于公共电极的中心向一侧偏移
    会导致显示面板的透射率出现较大的波动。例如,在制造像素电极时,用于构图工艺的掩模
    板,向图1所示的衬底基板的左侧偏移1微米,会使得所有像素电极的中心相对于公共电极
    的中心均向左侧偏移1微米。又例如,在制造像素电极时,用于构图工艺的掩模板,向图1所
    示的衬底基板的右侧偏移0.5微米,会使得所有像素电极的中心相对于公共电极的中心均
    向右侧偏移0.5微米。因此,工艺波动会使得显示面板的透射率出现较大的波动,并因此影
    响用户的使用体验。因此,亟需解决低存储电容式显示面板的透射率随工艺波动变化过大
    的问题。

    本公开的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,通过
    使得子区域对称轴的任一侧的第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个第一像素电极
    条更远离或者更靠近子区域对称轴,子区域对称轴两侧的透射率可以对制作过程中出现的
    工艺波动相互补偿,进而可以缓解低存储电容式阵列基板的像素电极向同一侧偏移引起的
    包含该阵列基板的显示面板的透射率波动过大问题。

    本公开的至少一个实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括衬底基板以及在
    衬底基板上按阵列布置的多个像素单元。每个像素单元包括像素电极和与像素电极位于不
    同层的公共电极。像素电极包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间的
    多个第一狭缝,多个第一像素电极条沿第一方向并列布置;公共电极包括多个第一公共电
    极条和位于相邻的第一公共电极条之间的多个第二狭缝,多个第一公共电极条沿第一方向
    并列布置,并且每个第一公共电极条与至少一个第一像素电极条重叠。像素单元包括至少
    一个像素单元子区域,像素单元子区域具有子区域对称轴,像素电极在像素单元子区域中
    的第一像素电极条和公共电极在像素单元子区域中的第一公共电极条分别相对于子区域
    对称轴对称设置;在像素单元子区域中,在子区域对称轴的任一侧,第一公共电极条相对于
    与之重叠的至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区域对称轴。

    例如,下面以第一公共电极条仅与一个第一像素电极条重叠的设置方式为例对本
    申请的实施例进行说明,但是每个第一公共电极条不限于设置成仅与一个第一像素电极条
    重叠的形式,根据实际应用需求,每个第一公共电极条还可以设置成与两个或多个第一像
    素电极条重叠的形式,本申请的实施例对此不做具体限定。

    例如,图2(a)是本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的一种结构的平面示
    意图,图2(b)是包含图2(a)所示的阵列基板100的显示面板沿I-I’线的剖面示意图。

    如图2(a)和图2(b)所示,该阵列基板100包括衬底基板110、在衬底基板110上按阵
    列布置的多个像素单元120以及用于驱动所述像素单元120的薄膜晶体管163、栅线162和数
    据线161,所述像素单元120由多条交叉的栅线162和数据线161限定。例如,每个像素单元
    120包括:像素电极130,与像素电极130位于不同层的公共电极140,以及位于像素电极130
    和公共电极140之间的介电材料层164。例如,如图2(b)所示,衬底基板110可以设置于公共
    电极140的远离像素电极130的一侧。显然,衬底基板110的设置形式不限于图2(b)所示的形
    式,衬底基板110还可以设置于像素电极130的远离公共电极140的一侧,本申请的实施例对
    此不做具体限定。

    例如,衬底基板110可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板(例如聚对苯二甲酸乙二
    醇酯(PET)基板)或者由其它适合的材料制成的基板。例如,栅线162和数据线161可以采用
    金属材料(例如,铜、铝或者铝合金)形成。例如,公共电极140和像素电极130可以采用透明
    导电材料形成。例如,透明导电材料可以为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。例如,像素电
    极130还可以采用金属材料(例如,铜、铝或者铝合金)形成。例如,介电材料层164可以采用
    无机或有机材料形成。例如,介电材料层164可以采用有机树脂、氧化硅(SiOx)、氧氮化硅
    (SiNxOy)或者氮化硅(SiNx)形成。

    例如,像素电极130可以包括多个第一像素电极条131和位于相邻的第一像素电极
    条131之间的多个第一狭缝132,多个第一像素电极条131沿第一方向并列布置;公共电极
    140可以包括多个第一公共电极条141和位于相邻的第一公共电极条141之间的多个第二狭
    缝142,多个第一公共电极条141沿第一方向并列布置。每个第一公共电极条141与一个第一
    像素电极条131重叠。

    例如,第一方向可以平行于阵列布置的多个像素单元120的列方向,也即是平行于
    数据线161的延伸方向。例如,如图2(a)所示,第一像素电极条131和第一公共电极条141的
    延伸方向平行于阵列布置的多个像素单元120的行方向,也即是平行于栅线162的延伸方
    向。显然,第一像素电极条131和第一公共电极条141的延伸方向不限于图2(a)所示的形式,
    第一像素电极条131和第一公共电极条141的延伸方向可以设置成如图4所示的与栅线162
    延伸方向交叉的形式,此时,第一像素电极条131和第一公共电极条141分别沿第一方向排
    布成“八”字形。

    例如,如图2(a)和图2(b)所示,每个像素电极130包括两个将多个第一像素电极条
    131电连接的第二像素电极条133,公共电极140还包括两个将多个第一公共电极条141电连
    接的第二公共电极条143,该第二像素电极条133和第二公共电极条143分别用于向多个第
    一像素电极条131和多个第一公共电极条141施加电压,以使多个第一像素电极条131处于
    相同的电势,并使多个第一公共电极条141处于相同的电势。显然,根据实际应用需求,每个
    像素电极130可以包括一个或多个第二像素电极条133,每个公共电极140可以包括一个或
    多个第二公共电极条143,本申请的实施例对此不做具体限定。

    例如,如图2(a)和图2(b)所示,每个像素单元120可以包括一个像素单元子区域
    150。例如,像素单元子区域150具有子区域对称轴151,像素电极130在像素单元子区域150
    中的第一像素电极条131和公共电极140在像素单元子区域150中的第一公共电极条141分
    别相对于子区域对称轴151对称设置。例如,此处的对称设置也包括大致对称设置,例如,由
    于工艺精度,可能会引起第一像素电极条131和第一公共电极条141的形状、宽度在一定程
    度上偏离预定值,例如,第一像素电极条131和第一公共电极条141的宽度可能偏离预定值。
    例如,偏离预定值±0.5微米。例如,由于工艺精度,还可能会引起第一像素电极条131和第
    一公共电极条141的设置角度或者设置位置会在一定程度上偏离预定值,例如,第一像素电
    极条131和第一公共电极条141的设置角度可能偏离预定位置0.1度。上述由例如工艺精度
    引起的大致对称设置的情况也属于本申请的?;し段е?。

    例如,像素电极130的沿第一方向的宽度W1和公共电极140的沿第一方向的宽度W2
    可以满足以下条件:

    n*(W1+S1)=(W2+S2);

    其中,S1为位于区域对称轴151的任一侧的第一像素电极条131在第一方向上的间
    隔,S2为位于区域对称轴151的任一侧的第一公共电极条141在第一方向上的间隔,n为大于
    等于2的整数。

    例如,如图2(a)和图2(b)所示,多个第一像素电极条131沿第一方向的宽度相同,
    多个第一公共电极条141沿第一方向的宽度相同。例如,像素电极130的沿第一方向的宽度
    W1和公共电极140的沿第一方向的宽度W2可以分别设置为2.5微米和13.5微米。例如,位于
    区域对称轴151的任一侧的第一像素电极条131在第一方向上的间隔S1和位于区域对称轴
    151的任一侧的第一公共电极条141在第一方向上的间隔S2可以分别设置为6.5微米和4.5
    微米,此时n为2。显然,根据实际应用需求,多个第一像素电极条131还可以设置成如图6所
    示的沿第一方向的宽度不完全相同的形式,多个第一公共电极条141也可以设置成如图6所
    示的沿第一方向的宽度不完全相同的形式,本申请的实施例对此不做具体限定。

    例如,如图2(a)和图2(b)所示,在像素单元子区域150中,在子区域对称轴151的任
    一侧,第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131更远离子区域对称轴151。
    例如,如图2(b)所示,第一像素电极条131在整个像素单元子区域150具有相同的间距;位于
    子区域的a区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131向左偏移,位
    于子区域的a’区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131向右偏移。
    此时,子区域对称轴151的任一侧的第一公共电极条141之间的间距相同,而子区域的a区域
    的最右侧的第一公共电极条141与子区域的a’区域的最左侧的第一公共电极条141之间的
    间距大于区域对称轴151的任一侧的第一公共电极条141之间的间距。

    例如,图2(b)所示的d1可以设置为2.0微米,S1和S2可以分别设置为6.5微米和4.5
    微米。此时,a区域的最右侧的第一公共电极条141与a’区域的最左侧的第一公共电极条141
    之间的间距为6.5微米,a区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131
    在第一方向上向左偏移1.0微米,a’区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素
    电极条131在第一方向上向右偏移1.0微米。

    例如,a区域第一公共电极条141左侧与其左侧第一个第一像素电极条131的间距
    可以设置为零,由此可以降低存储电容的波动。

    例如,对于上述的像素结构,在制造过程中出现工艺波动的情况下,例如,在使用
    掩模板制造像素电极130过程中,在掩模板的位置相比于预定位置向左偏离0.8微米的情况
    下,对于所制造像素电极130,a区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极
    条131在第一方向上向左偏移0.2微米,a’区域的第一公共电极条141相对于与之重叠的第
    一像素电极条131在第一方向上向右偏移1.8微米。又例如,在掩模板的位置相比于预定位
    置向右偏离0.5微米的情况在,对于所制造的像素电极130,a区域的第一公共电极条141相
    对于与之重叠的第一像素电极条131在第一方向上向左偏移1.5微米,a’区域的第一公共电
    极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131在第一方向上向右偏移0.5微米。

    图3(a)-图3(c)分别示出了普通ADS结构显示面板、低存储电容式显示面板以及包
    含本公开一个实施例(也即是图2(a)和图2(b)所示的实施例)提供的一种阵列基板100的显
    示面板的透射率、存储电容和透射率波动随电压变化曲线,其中,工艺波动使得像素电极
    130相对于公共电极140偏移预定位置±1微米,并使得像素电极130与公共电极140的宽度
    波动为偏离预定宽度±0.2微米。

    例如,如图3(a)所示,包含本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的显示面板
    的透射率与普通ADS结构显示面板和低存储电容式显示面板的透射率接近,因此,本公开一
    个实施例提供的一种阵列基板100的结构对包含该阵列基板100的显示面板的透射率的影
    响很小。如图3(b)所示,包含本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的显示面板的存储
    电容略大于低存储电容式显示面板的存储电容,但远小于普通ADS结构显示面板的存储电
    容,因此,本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的结构仍然具有良好的降低存储电容
    的效果。如图3(c)所示,包含本公开一个实施例提供的一种阵列基板100的显示面板的透射
    率波动小于普通ADS结构显示面板和低存储电容式显示面板的透射率波动。

    因此,通过使得像素电极130在像素单元子区域150中的第一像素电极条131和公
    共电极140在像素单元子区域150中的第一公共电极条141相对于子区域对称轴151对称设
    置,并使得子区域对称轴151的任一侧的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电
    极条131更远离或者更靠近子区域对称轴151,在制作过程中出现工艺波动时,像素单元子
    区域150中子区域对称轴151两侧的透射率可以相互补偿。因此,上述的像素结构可以缓解
    低存储电容式阵列基板100的像素电极130向同一侧偏移引起的透射率波动过大问题。

    例如,第一像素电极条131和第一公共电极条141的设置方式不限于如图2(a)和图
    2(b)所示的第一像素电极条131在整个像素单元子区域150具有相同的间距,子区域对称轴
    151的任一侧的第一公共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131更远离子区域对
    称轴151的形式。例如,第一像素电极条131和第一公共电极条141还可以设置成第一像素电
    极条131在整个像素单元子区域150具有相同的间距,子区域对称轴151的任一侧的第一公
    共电极条141相对于与之重叠的第一像素电极条131更靠近子区域对称轴151的形式。又例
    如,第一像素电极条131和第一公共电极条141还可以设置成第一公共电极条141在整个像
    素单元子区域150具有相同的间距,位于子区域对称轴151的任一侧的第一像素电极条131
    相对于与之重叠的第一公共电极条141更靠近或更远离子区域对称轴151的形式。再例如,
    位于子区域对称轴151任一侧的第一像素电极条131和第一公共电极条141还可以设置成整
    体均向子区域对称轴151靠近或远离,并且位于子区域对称轴151的任一侧的第一像素电极
    条131相对于与之重叠的第一公共电极条141更靠近或更远离子区域对称轴151的形式。本
    申请的实施例对此不做具体限定。

    例如,像素区域不限于仅包括图2(a)和图2(b)所示的一个像素单元子区域150的
    情况,根据实际应用需求,每个像素区域还可以包括两个或多个像素单元子区域150。例如,
    如图5和图6所示,像素区域可以包括两个像素单元子区域150。例如,像素区域具有沿像素
    单元120的行方向延伸的像素区域对称轴152,至少两个像素单元子区域150相对于像素区
    域对称轴152对称设置。

    例如,本公开的一个实施例还提供了一种显示面板10,如图2(b)所示,该显示面板
    10包括本公开的一个实施例提供的阵列基板100。例如,该显示面板10还可以包括:与阵列
    基板100对置的玻璃基板172,设置于阵列基板100和玻璃基板172之间的液晶层171,设置于
    阵列基板100的远离液晶层171的第一偏振片173,以及设置于玻璃基板172的远离液晶层
    171的第二偏振片174。通过使得子区域对称轴的任一侧的第一公共电极条相对于与之重叠
    的至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区域对称轴,子区域对称轴两侧的透射率
    可以对制作过程中出现的工艺波动相互补偿,进而可以缓解低存储电容式显示面板的像素
    电极向同一侧偏移引起的透射率波动过大问题。

    例如,图7是本公开另一个实施例提供的一种显示装置20的示意图。该显示装置20
    包括本公开任一实施例所述的显示面板10。需要说明的是,对于该显示装置20的其它必不
    可少的组成部分(例如控制装置、图像数据编码/解码装置、行扫描驱动器、列扫描驱动器、
    时钟电路等)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本
    发明实施例的限制。通过使得子区域对称轴的任一侧的第一公共电极条相对于与之重叠的
    至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区域对称轴,子区域对称轴两侧的透射率可
    以对制作过程中出现的工艺波动相互补偿,进而可以缓解低存储电容式显示装置的像素电
    极向同一侧偏移引起的透射率波动过大问题。

    例如,本公开的至少一个实施例还提供了一种阵列基板的制作方法,该阵列基板
    的制作方法包括提供衬底基板,以及在所述衬底基板上形成按阵列布置的多个像素单元。
    每个所述像素单元包括像素电极和与所述像素电极位于不同层的公共电极。所述像素电极
    包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间的多个第一狭缝,所述多个第
    一像素电极条沿第一方向并列布置。所述公共电极包括多个第一公共电极条和位于相邻的
    第一公共电极条之间的多个第二狭缝,所述多个第一公共电极条沿所述第一方向并列布
    置;每个所述第一公共电极条与至少一个所述第一像素电极条重叠。所述像素单元包括至
    少一个像素单元子区域,所述像素单元子区域具有子区域对称轴,所述像素电极在所述像
    素单元子区域中的第一像素电极条和所述公共电极在所述像素单元子区域中的第一公共
    电极条相对于所述子区域对称轴对称设置。在所述像素单元子区域中,在所述子区域对称
    轴的任一侧,所述第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个所述第一像素电极条更远离
    或者更靠近所述子区域对称轴。

    例如,图8是本公开再一个实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。如图
    8所示,该制作方法可以包括以下步骤:

    步骤S10:提供衬底基板;以及

    步骤S20:在衬底基板上形成按阵列布置的多个像素单元。

    例如,多个像素单元由多条交叉的栅线和数据线限定。例如,每个像素单元包括像
    素电极,与像素电极位于不同层的公共电极,以及位于像素电极和公共电极之间的介电材
    料层。例如,根据实际应用需求,衬底基板可以设置于公共电极的远离像素电极的一侧或者
    设置于像素电极的远离公共电极的一侧,本申请的实施例对此不做具体限定。例如,栅线、
    数据线、像素电极、公共电极和介电材料层的形成材料可以参见图2(a)和图2(b)所示的实
    施例,在此不再赘述。

    例如,像素电极可以包括多个第一像素电极条和位于相邻的第一像素电极条之间
    的多个第一狭缝,多个第一像素电极条沿第一方向并列布置;公共电极可以包括多个第一
    公共电极条和位于相邻的第一公共电极条之间的多个第二狭缝,多个第一公共电极条沿第
    一方向并列布置。每个第一公共电极条与一个第一像素电极条重叠。例如,像素电极还包括
    至少一个将多个第一像素电极条电连接的第二像素电极条,公共电极还包括至少一个将多
    个第一公共电极条电连接的第二公共电极条。例如,第一方向,第一像素电极条和第一公共
    电极条的延伸方向,以及第二像素电极条和第二公共电极条的相关描述可以参见图2(a)和
    图2(b)所示的实施例,在此不再赘述。

    例如,像素单元可以包括至少一个像素单元子区域,每个像素单元子区域具有子
    区域对称轴,像素电极在像素单元子区域中的第一像素电极条和公共电极在像素单元子区
    域中的第一公共电极条分别相对于子区域对称轴对称设置,在像素单元子区域中,在子区
    域对称轴的任一侧,第一公共电极条的沿其延伸方向延伸的中心线相对于与之重叠的第一
    像素电极条的沿其延伸方向延伸的中心线更远离或者更靠近子区域对称轴。

    例如,像素电极在像素单元子区域中的第一像素电极条和公共电极在像素单元子
    区域中的第一公共电极条相对于子区域对称轴对称设置的具体方式,像素电极和的公共电
    极沿第一方向的宽度W1和W2和位于区域对称轴的任一侧的第一像素电极条和第一公共电
    极条在第一方向上的间隔S1和S2所满足的条件及示例性的设置方式,普通ADS结构显示面
    板、低存储电容式显示面板以及包含本公开一个实施例提供的一种阵列基板的显示面板的
    透射率、存储电容和透射率波动随电压变化曲线,以及像素单元可以所包含的像素单元子
    区域的个数以及设置方式等内容可以参见图2(a)和图2(b)所示的实施例,在此不再赘述。

    通过使得像素电极在像素单元子区域中的第一像素电极条和公共电极在像素单
    元子区域中的第一公共电极条相对于子区域对称轴对称设置,并使得子区域对称轴的任一
    侧的第一公共电极条相对于与之重叠的至少一个第一像素电极条更远离或者更靠近子区
    域对称轴,在制作过程中出现工艺波动时,像素单元子区域中子区域对称轴两侧的透射率
    可以相互补偿。因此,上述的像素结构可以缓解低存储电容式阵列基板的像素电极向同一
    侧偏移引起的包含该阵列基板的显示面板的透射率波动过大问题。

    本公开的实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置,可以
    缓解低存储电容式阵列基板的像素电极向同一侧偏移引起的透射率波动过大问题。

    虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式,对本公开作了详尽的描述,但在
    本公开实施例基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见
    的。因此,在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本公开要求?;さ?br />范围。

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