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    重庆时时彩走势冷热图: 一种中大磁场全象限测量方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201611019183.7

    申请日:

    2016.11.18

    公开号:

    CN106772147A

    公开日:

    2017.05.31

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G01R 33/09申请日:20161118|||公开
    IPC分类号: G01R33/09 主分类号: G01R33/09
    申请人: 清华大学; 清华四川能源互联网研究院
    发明人: 欧阳勇; 何金良; 胡军; 王善祥; 赵根; 王中旭; 曾嵘; 庄池杰; 张波; 余占清
    地址: 100084 北京市海淀区清华园
    优先权:
    专利代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 袁春晓
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201611019183.7

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2019.03.19|||2017.06.23|||2017.05.31

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种中大磁场全象限测量方法,涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括:将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中;确定最小阻值的两个磁阻电阻,进而确定另外两个磁阻电阻处于S1状态,并令处于S1状态的两个磁阻电阻的阻值为R1,R2,同时将无磁场时这个两个磁阻电阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向根据这两个磁阻电阻的阻值分别计算这两个磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角;分别根据这两个磁阻电阻的给定参考层磁化方向及自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出这两个磁阻电阻的自由层磁化方向;根据这两个磁阻电阻的给定参考层磁化方向、自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向等。

    权利要求书

    1.一种中大磁场全象限测量方法,其特征在于,包括:
    步骤1:将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中;其中第一磁阻电阻与第三磁阻
    电阻位于一条直线上,第二磁阻电阻与第四磁阻电阻位于另一条直线上,所述一条直线与
    所述另一条直线垂直;四个磁阻电阻自由层的内部易轴偏置磁场大于各向异性??;
    步骤2:确定最小阻值的两个磁阻电阻,进而确定另外两个磁阻电阻处于S1状态,并令
    处于S1状态的两个磁阻电阻的阻值为R1,R2,同时将无磁场时处于S1状态的两个磁阻电阻的
    初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向S1状态是指磁阻电阻的自由层
    磁畴处于易轴正方向;
    步骤2:根据阻值R1,R2分别计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考
    层磁化方向的夹角;
    步骤3:分别根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向及两个处
    于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出两个处于S1状态
    的磁阻电阻的自由层磁化方向;
    步骤4:根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向、两个处于S1状态的隧
    穿磁阻电阻的自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向;
    步骤5:将本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向与前一次计算结果相比,若两次
    结果的差值大于设定阈值,则根据本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向更新两个处
    于S1状态的磁阻电阻的参考层磁化方向并将其作为新的给定的参考层磁化方向
    并再次执行步骤2~步骤5,直到两次结果的差值小于设定值。
    2.根据权利要求1所述的一种中大磁场全象限测量方法,其特征在于,步骤2中,计算两
    个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角的公式分别为:
    其中为第一个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁
    化方向,R1min为第一个处于S1状态的磁阻电阻的最小值,R1max为第一个处于S1状态的磁阻电
    阻的最大值;
    其中为第二个处于S1状态的磁阻电阻的自
    由层磁化方向,R2min为第二个处于S1状态的磁阻电阻的最小值,R2max为第二个处于S1状态的
    隧穿磁阻电阻的最大值。
    3.根据权利要求1所述的一种中大磁场全象限测量方法,其特征在于,步骤3中,根据公
    式计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向:
    将带入前式便得到第一处于S1状态的磁阻电阻的自
    由层磁化方向将带入前式便得到第二处于S1状态的磁阻电阻的自由层
    磁化方向
    4.根据权利要求1所述的一种中大磁场全象限测量方法,其特征在于,步骤4中利用下
    列方程组求解外加磁场的磁场幅值hF及方向θ:
    式中α1,α2分别为两个处于S1状
    态的磁阻电阻的易轴方向,hJFR为任意一个磁阻电阻的自由层与参考层的耦合场,hBF=HBF/
    HAF,HBF为磁阻电阻的自由层的内部偏置磁场大小,HAF为自由层各向异性场大??;θBF为自由
    层的内部偏置磁场方向。
    5.根据权利要求1所述的一种中大磁场全象限测量方法,其特征在于,步骤5中,更新两
    个处于S1状态的磁阻电阻的参考层磁化方向的步骤进一步包括:
    求解一元四次方程其中hX1,hY1分别为外
    加磁场在第一处于S1状态的磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的计算结
    果得到:hX1=hFcosθ,hY1=hFsinθ;
    上述一元四次方程具有4个解,当隧穿磁阻处于稳定平衡状态时,只有一个解,该解
    取决于3个条件:
    1)x1为实数且|x1|≤1;
    2)
    3)该解与磁阻电阻的初始位置间所有角度能量必须小于初始位置的能量;
    求解一元四次方程其中hX2,hY2分别为
    外加磁场在第二处于S1状态的磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的计算
    结果得到:hX2=hFsinθ,hY2=hFcosθ;
    上述一元四次方程具有4个解,当隧穿磁阻处于稳定平衡状态时,只有一个解,该解
    取决于3个条件:
    1)x2为实数且|x2|≤1;
    2)
    3)该解与磁阻电阻的初始位置间所有角度能量必须小于初始位置的能量;
    将求解得到的值分别作为新的给定的参考层磁化方向

    说明书

    一种中大磁场全象限测量方法

    技术领域

    本发明涉及磁场测量技术领域,尤其是一种针对中大范围的磁场强度的测量方
    法。

    背景技术

    隧穿磁阻电阻在待测磁场较小时具有良好的线性度,测量精度较好,但是其难以
    对中大范围(磁场强度约为4~6HAF,HAF为磁阻电阻的自由层的各向异性场,不同的磁阻电
    阻其HAF是不同的,一般说来为几十Oe。Oe为磁场强度单位——奥斯特)的磁场进行测量,这
    是因为:1)隧穿磁阻电阻的传感曲线在中大范围由线性趋向饱和,严重非线性,需要建立非
    线性模型进行计算;2)隧穿磁阻电阻的参考层将发生显著旋转,必须考虑参考层的影响;3)
    隧穿磁阻磁畴方向可能发生不可逆翻转,电阻值会跳变,形成两根分叉的不同传感曲线。

    发明内容

    本发明所要解决的技术问题是:针对上述存在的问题,提供一种适用于中大磁场
    的隧穿磁阻的矢量测量方法。

    本发明提供的中大磁场测量方法,包括:

    一种中大磁场测量方法,其特征在于,包括:

    步骤1:将四个正交配置的磁阻电阻放置到外加磁场中;其中第一磁阻电阻与第三
    磁阻电阻位于一条直线上,第二磁阻电阻与第四磁阻电阻位于另一条直线上,所述一条直
    线与所述另一条直线垂直;四个磁阻电阻自由层的内部易轴偏置磁场大于各向异性??;

    步骤2:确定最小阻值的两个磁阻电阻,进而确定另外两个磁阻电阻处于S1状态,
    并令处于S1状态的两个磁阻电阻的阻值为R1,R2,同时将无磁场时处于S1状态的两个磁阻电
    阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向S1状态是指磁阻电阻的自
    由层磁畴处于易轴正方向;

    步骤2:根据阻值R1,R2分别计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和
    参考层磁化方向的夹角;

    步骤3:分别根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向及两
    个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出两个处于S1
    状态的磁阻电阻的自由层磁化方向;

    步骤4:根据两个处于S1状态的磁阻电阻的给定参考层磁化方向、两个处于S1状态
    的隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向;

    步骤5:将本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向与前一次计算结果相比,若
    两次结果的差值大于设定阈值,则根据本次计算得到的外加磁场的磁场幅值及方向更新两
    个处于S1状态的磁阻电阻的参考层磁化方向并将其作为新的给定的参考层磁化方向
    并再次执行步骤2~步骤5,直到两次结果的差值小于设定值。

    进一步,步骤2中,计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁
    化方向的夹角的公式分别为:其中为第一个处于
    S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向,R1min为第一个处于S1状态的磁阻电阻的最小值,R1max
    为第一个处于S1状态的磁阻电阻的最大值;

    其中为第二个处于S1状态的磁阻电阻
    的自由层磁化方向,R2min为第二个处于S1状态的磁阻电阻的最小值,R2max为第二个处于S1状
    态的隧穿磁阻电阻的最大值。

    进一步,步骤3中,根据公式计算两个处于S1状态的磁阻电阻的自由层磁化方向:

    将带入前式便得到第一处于S1状态的磁阻电阻
    的自由层磁化方向将带入前式便得到第二处于S1状态的磁阻电阻的自
    由层磁化方向

    进一步,步骤4中利用下列方程组求解外加磁场的磁场幅值hF及方向θ:

    式中α1,α2分别为两个处于
    S1状态的磁阻电阻的易轴方向,hJFR为任意一个磁阻电阻的自由层与参考层的耦合场,hBF=
    HBF/HAF,HBF为磁阻电阻的自由层的内部偏置磁场大小,HAF为自由层各向异性场大??;θBF为
    自由层的内部偏置磁场方向。

    进一步,步骤5中,更新两个处于S1状态的磁阻电阻的参考层磁化方向的
    步骤进一步包括:

    求解一元四次方程其中hX1,hY1分别
    为外加磁场在第一处于S1状态的磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的计
    算结果得到:hX1=hF cosθ,hY1=hF sinθ;

    上述一元四次方程具有4个解,当隧穿磁阻处于稳定平衡状态时,只有一个解,
    该解取决于3个条件:

    1)x1为实数且|x1|≤1;

    2)

    3)该解与磁阻电阻的初始位置间所有角度能量必须小于初始位置的能量;

    求解一元四次方程其中hX2,hY2分
    别为外加磁场在第二处于S1状态的磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的
    计算结果得到:hX2=hFsinθ,hY2=hFcosθ;

    上述一元四次方程具有4个解,当隧穿磁阻处于稳定平衡状态时,只有一个解,
    该解取决于3个条件:

    1)x2为实数且|x2|≤1;

    2)

    3)该解与磁阻电阻的初始位置间所有角度能量必须小于初始位置的能量;

    将求解得到的值分别作为新的给定的参考层磁化方向

    综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:

    本发明提供的中大磁场测量方法实现了对中大磁场的准确测量,扩大了隧穿磁阻
    电阻的磁场强度测量范围。

    附图说明

    本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中:

    图1为本发明方法流程图。

    图2为隧穿磁阻电阻的单畴行为的归一化星形曲线示意图。

    图3为采用两个磁阻电阻测量磁场时测量范围随被测磁场强度角度变化的仿真
    图。

    图4为本发明另一个实施例中四个磁阻电阻布设的结构示意图。

    图5为采用四个磁阻电阻测量磁场时测量范围随被测磁场强度角度变化的仿真
    图。

    具体实施方式

    本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥
    的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。

    本说明书中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的
    替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子
    而已。

    本发明方法适用于隧穿磁阻电阻、巨磁阻电阻等磁阻电阻,本实施例以隧穿磁阻
    电阻为例进行说明。

    如图1,本发明方法一个实施例的步骤包括:

    (1)对于任一外加磁场,测量得到两个不同易轴方向的隧穿磁阻电阻R1,R2,同时将
    无磁场时的初始参考层磁化方向作为给定方向需要说明的是隧穿磁阻的核心典
    型结构包括反铁磁层(钉扎层)/铁磁层(被钉扎层)/非磁性金属/铁磁层(参考层)/势垒层/
    铁磁层(自由层),电流垂直膜面。其中,参考层和被钉扎层通过一层非常薄的非磁性金属诱
    导形成人工合成反铁磁结构,使得参考层和被钉扎层的磁化方向更加稳定,不易受到外界
    强磁场破坏。而自由层的磁化方向随外界磁场变化而变化。

    若隧穿磁阻电阻沿某一轴或方向最容易被磁化则称为易轴,反之则谓难轴。

    隧穿磁阻电阻的阻值能够随外加磁场的变化而变化,因此测量其阻值便可测量外
    加磁场。将两个具有不同易轴方向的隧穿磁阻电阻放置于外加磁场中,通过全桥或其他电
    阻测量电路可得到两个电阻的阻值。

    (2)根据两个电阻的阻值,可以计算得到各个电阻自由层磁化方向和参考层磁化
    方向的夹角对应如图1过程①,计算公式为:

    其中为第一个隧穿磁阻电阻的自由层磁
    化方向,R1min为第一个隧穿磁阻电阻的最小值,R1max为第一个隧穿磁阻电阻的最大值。

    其中为第二个隧穿磁阻电阻的自由层
    磁化方向,R2min为第二个隧穿磁阻电阻的最小值,R2max为第二个隧穿磁阻电阻的最大值。

    R1min、R1max、R2min及R2max均可通过分别标定两个隧穿磁阻电阻得到。

    (3)对于给定的参考层磁化方向,计算自由层磁化方向如图1过程②,计
    算公式为将带入前式便得到第一隧穿磁阻电阻的
    自由层磁化方向将带入前式便得到第二隧穿磁阻电阻的自由层磁化方

    式中,S1,S2分别表示自由层磁畴处于图2中的易轴正方向范围(-π/2~π/2)或者易
    轴负方向范围(π/2~3π/2)。对于特定的磁阻电阻其自由层磁畴的状态是唯一的。

    (4)根据计算得到的自由层磁化方向计算被测磁场幅值和方向hF,θ,如
    图1过程③,计算公式为式:


    式中,式中α1,α2分别为两个隧穿磁阻电阻的易轴方向,hJFR为任一个隧穿磁阻电阻
    的自由层与参考层的耦合场,hBF=HBF/HAF,HBF为隧穿磁阻电阻自由层的内部偏置磁场大小,
    HAF为自由层各向异性场大??;θBF为自由层的内部偏置磁场方向。当各隧穿磁阻电阻相同
    时,我们认为其内部的固有参数是相同的。

    (5)针对计算得到的磁场参数与前一次结果比较,是否达到精度要求(本实施例
    中,当两次计算结果中磁场强度的差值小于1E-4,方向的差值小于0.01°时认为达到精度要
    求),达到要求则输出结果;否则根据磁场计算更新参考层磁化方向角度如图示
    过程④,并返回步骤(2)继续迭代。

    其中更新参考层磁化方向角度的步骤为:

    求解一元四次方程其中hX1,hY1分别
    为外加磁场在第一磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的计算结果得到,hX1
    =hF cosθ,hY1=hF sinθ;

    上述一元四次方程具有4个解,当隧穿磁阻处于稳定平衡状态时,只有一个解。
    该解取决于3个条件:

    1)x1为实数且|x1|≤1;

    2)

    3)该解与隧穿磁阻的初始位置间所有角度能量必须小于初始位置的能量。

    求解一元四次方程其中hX2,hY2分
    别为外加磁场在第二磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场,二者根据步骤4的计算结果得到,
    由于第一磁阻电阻与第二磁阻电阻正交,因此hX2=hF sinθ,hY2=hF cosθ;

    与的筛选过程同理,确定

    将求解得到的值分别作为新的给定的参考层磁化方向

    在其他实施例中,可以借助计算机数值方法进行求解以下公式得到磁阻电阻的参
    考层磁化方向角度,即将技术人员认为可能的角度带入下列公式计算,判断其结果是否接
    近0,如是则认为带入的角度为的解:hX,hY分别为外加磁
    场在磁阻电阻易轴和难轴方向上的磁场。上式为隧穿磁阻单畴模型计算在参考层的磁化方
    向角度的一般表达式,令上式可演化为:

    亦即前一实施例计算参考层磁化方向
    的公式。但是使用计算机数值方法求解会存在精度、时间和全局收敛性问题,因此推荐使用
    前一实施例计算磁阻电阻参考层磁化方向。

    通过上述迭代,参考层磁化方向将逐渐收敛到真实方向,同时计算得到的外加磁
    场也收敛到真实的外加磁场。迭代算法的收敛性取决于在计算参考层磁化方向时是否收
    敛。

    若重复迭代设定次数后,计算结果与前次计算结果的差值仍然不小设定值,则认
    为计算过程不能收敛,当前的外加磁场为极大磁场。设定次数根据不同的磁阻电阻及计算
    精度要求设定,本实施例设定的次数是20次。

    图3为采用本实施例测量磁场时,磁场方向测量范围随被测磁场不同角度的测量
    范围仿真??梢钥吹降北徊獯τ?~90°时,两个磁阻电阻自由层始终处于S1状态,不会发生
    磁畴不可逆旋转,因此迭代算法中的步骤(3)使用的公式确定为S1状态时的值,从而具有较
    大的测量范围;而当被测磁场处于90°~360°时,磁畴可能发生不可逆旋转,此时磁阻电阻
    的自由层状态不确定,也无法事先确定芯片自由层状态。若迭代算法中的步骤(3)使用的公
    式固定为S1状态时的值,当磁场较小时,芯片自由层仍处于S1状态,迭代算法有效;而当磁
    场较大时,由于磁畴发生不可逆旋转,最后迭代算法收敛到错误值或不收敛。因此在只有两
    个芯片的情况下,被测磁场为90°~360°时的测量范围取决于自由层内部偏置场到星形曲
    线的距离,此时磁畴旋转可逆连续。通常自由层的内部偏置场很小,其到星形曲线的距离很
    短,因此90°~360°时的测量范围很小。

    为了提前确定隧穿磁阻芯片的自由层状态,扩大90°~360°的测量范围,增加另两
    个正交布置的芯片R3、R4,四个芯片布置如图4。

    当上述四个隧穿磁阻自由层的内部易轴偏置磁场大于各向异性场(hBXF>1)时,总
    至少有两个隧穿磁阻自由层处于S1状态,朝向各自的易轴正方向,从而可以利用这两个电
    阻进行迭代计算,得到较大的测量范围。而制作自由层的内部易轴偏置磁场大于各向异性
    场的隧穿磁阻电阻又是本领域技术人员可以实现的。同时被测磁场朝向难轴负方向的两个
    隧穿磁阻电阻最小,通过这两个电阻即可确定处于S1状态的两个电阻。如图5所示,相对于
    R2和R3的易轴方向,被测磁场趋向其难轴负方向,这两个电阻值最低,而相对于R1和R2的易
    轴方向,被测磁场趋向其易轴正方向,且位于星形曲线外,其磁畴状态肯定趋向易轴正方
    向,处于S1状态。

    对此,先测量四个电阻的阻值,找出其中阻值最小的两个电阻,然后可以确定另外
    两个电阻处理S1状态,进而将处理S1状态的两个电阻值带入前述的步骤中进行迭代计算,
    从而得到待测磁场的强度及方向。

    图6示出了采用四个磁阻电阻测量磁场的测量范围随被测磁场方向变化的仿真
    图。与图3相对,采用四个磁阻电阻测量外界磁场,当外界磁场的方向为90°~360°范围时,
    也能获取较大的测量范围。

    图7展示的是当四个磁阻电阻如图4那样布设时,在不同的被测磁场方向下与各个
    磁阻电阻的状态。在实际运用中,无需严格参照本表格,只需要根据实际测量到的电阻的阻
    值便能确定处于S1状态的两个磁阻电阻。

    本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的
    新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

    关 键 词:
    一种 磁场 象限 测量方法
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