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    重庆时时彩提高中奖率: 存储器装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610137236.9

    申请日:

    2016.03.10

    公开号:

    CN106531219A

    公开日:

    2017.03.22

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 专利申请权的转移IPC(主分类):G11C 16/26登记生效日:20170811变更事项:申请人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/26申请日:20160310|||公开
    IPC分类号: G11C16/26; G11C16/08 主分类号: G11C16/26
    申请人: 株式会社东芝
    发明人: 桥本寿文; 中野威
    地址: 日本东京
    优先权: 2015.09.14 JP 2015-180378
    专利代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610137236.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.09.01|||2017.04.19|||2017.03.22

    法律状态类型:

    专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明的实施方式提供一种可靠性高的存储器装置。实施方式的存储器装置包含:第1存储单元,设置在沿与半导体衬底交叉的方向延伸的半导体层的侧面上;以及控制器,控制对所述第1存储单元的写入动作;并且在第1编程动作后的第1验证动作时,在進行对所述第1存储单元的数据读取后,对所述半导体层进行充电。

    权利要求书

    1.一种存储器装置,其特征在于包括:
    第1存储单元,设置在沿与半导体衬底交叉的方向延伸的半导体层的侧面上;以及
    控制器,控制对所述第1存储单元的写入动作;并且
    在第1编程动作后的第1验证动作时,在進行对所述第1存储单元的数据读取后,对所述
    半导体层进行充电。
    2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于还包括:
    第1选择晶体管,在所述半导体层的侧面上,设置在所述第1存储单元的所述半导体衬
    底侧;
    第2选择晶体管,在所述半导体层的侧面上,设置在所述第1存储单元的与所述半导体
    衬底侧相反的一侧;
    第2存储单元,设置在所述半导体层的侧面上;
    第1字线,连接于所述第1存储单元的栅极;
    第2字线,连接于所述第2存储单元的栅极;以及
    源极线,经由所述半导体衬底连接于所述半导体层;并且
    在所述数据的读取时,
    对所述第1字线施加第1电压,对所述第2字线施加高于所述第1电压的第2电压;
    在所述数据的读取后,
    将所述第1选择晶体管接通,将所述第2选择晶体管断开,
    对所述第1及第2字线施加所述第2电压,
    将所述源极线的电位增加而对所述半导体层充电,且
    在所述半导体层的充电后,将所述源极线和所述第1及第2字线的电位设定为接地电
    位。
    3.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于还包括:
    第1选择晶体管,在所述半导体层的侧面上,设置在所述第1存储单元的所述半导体衬
    垫侧;
    第2选择晶体管,在所述半导体层的侧面上,设置在所述第1存储单元的与所述半导体
    衬底侧相反的一侧;
    第2存储单元,设置在所述半导体层的侧面上;
    第1字线,连接于所述第1存储单元的栅极;
    第2字线,连接于所述第2存储单元的栅极;以及
    位线,连接于所述半导体层;并且
    在所述数据的读取时,
    对所述第1存储单元的栅极施加第1电压,对所述第2存储单元的栅极施加高于所述第1
    电压的第2电压;
    在所述数据的读取后,
    将所述第1选择晶体管断开,将所述第2选择晶体管接通,
    对所述第1及第2字线施加所述第2电压,
    将所述位线的电位增加而对所述半导体层充电,且
    在所述半导体层的充电后,将所述位线及所述第1及第2字线的电位设定为接地电位。
    4.根据权利要求2或3所述的存储器装置,其特征在于:
    在所述半导体层已预充电后,
    在第1时刻,将所述第1字线的电位设定为所述接地电位;
    在与所述第1时刻不同的第2时刻,将所述第2字线的电位设定为所述接地电位。
    5.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器装置,其特征在于:
    所述写入动作包含多个写入循环,
    在所述写入循环的次数大于判定值的情况下,执行所述第1验证动作,
    在所述写入循环的次数为所述判定值以下的情况下,执行不包含所述半导体层的充电
    的第2验证动作。

    关 键 词:
    存储器 装置
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