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    重庆时时彩开奖号码直播: 电压产生电路及半导体存储装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201610137872.1

    申请日:

    2016.03.11

    公开号:

    CN106531221A

    公开日:

    2017.03.22

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 专利申请权的转移IPC(主分类):G11C 16/30登记生效日:20170811变更事项:申请人变更前权利人:株式会社东芝变更后权利人:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/30申请日:20160311|||公开
    IPC分类号: G11C16/30; G11C16/08 主分类号: G11C16/30
    申请人: 株式会社东芝
    发明人: 武者淳二
    地址: 日本东京
    优先权: 2015.09.11 JP 2015-180095
    专利代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610137872.1

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.09.01|||2017.04.19|||2017.03.22

    法律状态类型:

    专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明的实施方式提供一种能够根据外部电源的变动而变更升压电路的动作数、且能够削减峰值电流及消耗电力的电压产生电路及半导体存储装置。实施方式的电压产生电路具备:调整电路,调整外部电源(VCC)而输出电压(VSUP);pMOS晶体管(QP1),根据控制电压(VRE2)而将电压(VSUP)传送或遮断;升压电路(CP1),使电压(VSUP)升压;pMOS晶体管(QP2),根据控制电压(VRE2)而将外部电源(VCC)传送或遮断;升压电路(CP2),使外部电源(VCC)升压;以及调节器(RE2),比较从升压电路(CP1、CP2)输出的输出电压(VOUT)与参照电压(VREF2),并输出与比较结果相应的控制电压(VRE2)。

    权利要求书

    1.一种电压产生电路,其特征在于具备:
    第1调整电路,调整第1电压而输出第2电压;
    第1晶体管,根据第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断;
    第1升压电路,使所述第2电压升压;
    第2晶体管,根据所述第1控制电压而将所述第1电压传送或遮断;
    第2升压电路,使所述第1电压升压;以及
    第2调整电路,比较从所述第1及第2升压电路输出的输出电压与第1参照电压,并输出
    与比较结果相应的所述第1控制电压。
    2.根据权利要求1所述的电压产生电路,其特征在于,还具备:第3晶体管,根据所述第1
    控制电压而将所述第2电压传送或遮断;以及
    第3升压电路,使所述第2电压升压;并且
    所述第3晶体管具有与所述第1晶体管的阈值电压不同的阈值电压。
    3.根据权利要求1或2所述的电压产生电路,其特征在于,所述第1调整电路具备:第4晶
    体管,根据第2控制电压而使所述第1电压降压;以及调节器,比较所述第2电压与第2参照电
    压,并基于比较结果而输出所述第2控制电压。
    4.根据权利要求1或2所述的电压产生电路,其特征在于,所述第1升压电路具有与所述
    第2升压电路的升压能力不同的升压能力。
    5.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
    存储单元;
    字线,连接于所述存储单元;
    第1调整电路,调整第1电压而输出第2电压;
    第1晶体管,根据第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断;
    第1升压电路,使所述第2电压升压;
    第2晶体管,根据所述第1控制电压而将所述第1电压传送或遮断;
    第2升压电路,使所述第1电压升压;以及
    第2调整电路,比较从所述第1及第2升压电路输出的输出电压与第1参照电压,并输出
    与比较结果相应的所述第1控制电压;并且
    所述输出电压用作供给至所述字线的电压或用于产生此电压。
    6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其特征在于,还具备:第3晶体管,根据所述
    第1控制电压而将所述第2电压传送或遮断;以及
    第3升压电路,使所述第2电压升压;并且
    所述第3晶体管具有与所述第1晶体管的阈值电压不同的阈值电压。
    7.根据权利要求5或6所述的半导体存储装置,其特征在于,所述第1调整电路具备:第4
    晶体管,根据第2控制电压而使所述第1电压降压;以及调节器,比较所述第2电压与第2参照
    电压,并基于比较结果而输出所述第2控制电压。

    关 键 词:
    电压 产生 电路 半导体 存储 装置
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