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    重庆时时彩龙虎和趋势图: 具备子区块抹除架构的存储器.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201510569431.4

    申请日:

    2015.09.09

    公开号:

    CN106531213A

    公开日:

    2017.03.22

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 16/10申请日:20150909|||公开
    IPC分类号: G11C16/10; G11C16/14 主分类号: G11C16/10
    申请人: 旺宏电子股份有限公司
    发明人: 叶腾豪; 张国彬
    地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
    优先权:
    专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510569431.4

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.04.19|||2017.03.22

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种存储器装置,具有分开的(divided)参考线结构,支持在包含多个区块的NAND存储器中的子区块抹除。该多个区块中的各区块耦接至一组Y参考线,其中Y为2或更大。该多个区块中的各区块包括一单一参考选择线(reference?select?line,RSL),可操作以连接该区块中的各子区块至该组Y参考线中的一对应的参考线??刂频缏房杀话谧爸弥?,可配置以进行抹除运作以抹除被选区块中的被选子区块。

    权利要求书

    1.一种存储器装置,包括:
    多个区块的存储单元、位线、字线及子区块参考线;
    这些区块中的各该区块可操作地耦接至一组X位线BL(x)、一组Z字
    线WL(z)及一组Y子区块参考线RL(y),其中Y为2或更大,且各该区块
    包括:
    多个NAND串的一阵列,该阵列中的各该NAND串包括多个存储单
    元耦接至该组Z字线的各该字线WL(z),该阵列中的这些NAND串具有
    对应的多个第一及第二选择开关;
    一串选择线组,包括N个串选择线耦接至这些NAND串中的这些第
    一选择开关于该阵列的这些NAND串中的对应的多个行之中,该串选择
    线组中的各该串选择线SSL(n)被配置以控制该阵列的这些NAND串的一
    行中的这些第一开关,以选择性的连接至该组X位线之中的对应的该位线
    BL(x);以及
    一参考选择线RSL,耦接至该阵列的所有这些NAND串的这些第二
    选择开关,该参考选择线RSL被配置以控制该阵列的这些第二开关,以连
    接该阵列的多个Y子区块中的这些NAND串至该组Y参考线的对应的多
    个参考线RL(y)。
    2.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,这些NAND串
    垂直配置而具有多个字线电平,用于各该NAND串的一个该字线在各该
    字线电平之中,这些串选择线在高于这些字线电平的一高电平,而该参考
    选择线在低于这些字线电平的一低电平。
    3.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,这些NAND串
    垂直配置为U形且具有多个字线电平,用于各该NAND串的二该字线在
    各该字线电平之中,这些串选择线在高于这些字线电平的一高电平,而该
    参考选择线在一低电平。
    4.根据权利要求1所述的存储器装置,其特征在于,还包括一耦接至
    该多个区块的控制器及偏压电路,响应于一指令以抹除一被选区块中的一
    被选子区块,以应用一抹除偏压设置,该抹除偏压设置包含:一第一偏压,
    在该被选区块的该参考选择线上;一第二偏压,在这些Y参考线的一被选
    Y参考线上;及一第三偏压,在这些Y参考线的至少一未选参考线上。
    5.根据权利要求4所述的存储器装置,其特征在于,该抹除偏压设置
    包括一共同偏压至该组Z字线之中的这些字线WL(z)。
    6.根据权利要求5所述的存储器装置,其特征在于,该抹除偏压设置
    包括浮接该组X位线中的这些位线BL(x),且浮接该组N串选择线之中的
    这些串选择线SSL(n)。
    7.一种存储器装置,包括:
    多个区块的存储单元,这些区块中的各该区块可操作地耦接至一组X
    位线BL(x)、一组Z字线WL(z)、及一组Y参考线RL(y),其中Y为2或
    更大,各该区块包括:
    多堆导电带,该多堆包括偶数堆与奇数堆;
    多个有源柱(active pillar),设置在该多堆的对应的偶数及奇数堆导电
    带之间,该多个有源柱包括偶数及奇数垂直通道膜(channel film),具有外
    表面及内表面,定义多层阵列的界面区域在这些偶数及奇数垂直通道膜的
    外表面、与对应的偶数及奇数堆导电带的导电带的交叉点上,该偶数及奇
    数垂直通道膜连接以形成一电流路径,从该偶数垂直通道膜的一高端至一
    低端,并从该奇数垂直通道膜的一低端至一高端;
    多个NAND串的一3D阵列,包括多个偶数存储单元及多个奇数存储
    单元,这些偶数存储单元在这些界面区域中经由这些有源柱及这些偶数堆
    导电带而可存取,这些奇数存储单元在这些界面区域中经由这些有源柱及
    这些奇数堆导电带而可存取,其中在一给定的有源柱上的这些奇数及偶数
    存储单元串连连接为一单一NAND串;
    在这些偶数堆的高电平的多个导电带被配置为包含N个串选择线的
    一串选择线组,该串选择线组中的各串选择线SSL(n)被配置以控制该阵列
    的这些NAND串的一行之中的多个串选择开关,以选择性的连接至一组X
    位线之中的对应的位线BL(x);
    在这些奇数堆的高电平的多个导电带被配置为一共同参考选择线
    RSL,该共同参考选择线RSL被配置以控制该阵列的所有这些NAND串
    之中的多个选择线开关,以连接该阵列的Y子区块中的多个NAND串至
    该组Y参考线的对应的多个参考线RL(y);
    这些偶数及奇数堆之中电平的多个导电带被配置为在一给定有源柱
    上的NAND串的多个字线。
    8.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,包括:一个或多
    个图案化导体层在该多堆上,包含这些位线及这些参考线;及多个中间层
    导体,连接这些位线至对应的偶数垂直通道膜、及连接这些参考线至对应
    的奇数垂直通道膜。
    9.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,其中在一给定区
    块中,在一奇数堆的一给定层之中的多个导电带配置在梳状(comb-like)结
    构之中,具有多个带延伸自一奇数接垫,及一偶数堆的该给定层之中的多
    个导电带配置在梳状结构之中,具有多个带延伸自一偶数接垫,延伸自这
    些奇数及偶数接垫的该给定区块中的这些导电带为交叉指形
    (interdigitated)。
    10.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,这些存储单元
    包含多个电荷存储结构。
    11.根据权利要求7所述的存储器装置,其特征在于,还包括一控制
    器及偏压电路耦接至该多个区块,响应于一指令以抹除一被选区块中的一
    被选子区块,以应用一抹除偏压设置,该抹除偏压设置包含:一第一偏压,
    在该被选区块之该参考选择线上;一第二偏压,在这些Y参考线的一被选
    Y参考线上;及一第三偏压,在这些Y参考线的至少一未选参考线上。
    12.根据权利要求11所述的存储器装置,该抹除偏压设置包括一共同
    偏压至该组Z字线之中的这些字线WL(z)。
    13.根据权利要求12所述的存储器装置,其特征在于,该抹除偏压设
    置包括浮接该组X位线中的这些位线BL(x),且浮接该组N串选择线之中
    的这些串选择线SSL(n)。
    14.一种方法,用以在一NAND存储器装置的多个NAND中抹除一
    区块的一被选子区块,该方法包括:
    响应于一指令执行一抹除运作,以抹除一被选区块的一被选子区块,
    该抹除运作包括应用一抹除偏压设置,包含:
    一第一偏压,在一参考选择线上,该参考选择线耦接至该被选区块的
    一组Y子区块中的所有这些NAND串;
    一第二偏压,在该被选区块中的这些Y参考线的一被选Y参考线上;

    一第三偏压,在这些Y参考线的至少一未选参考线上。
    15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,该抹除偏压设置包括
    一共同偏压至该组Z字线之中的这些字线WL(z)。
    16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,该抹除偏压设置包括
    浮接一组X位线中的多个位线BL(x),该组X位线中的这些位线BL(x)耦
    接至该被选区块中的这些被选及未选子区块,且浮接一组N串选择线之中
    的这些串选择线SSL(n),该组N串选择线之中的这些串选择线SSL(n)耦
    接至该被选区块中的这些被选及未选子区块。

    关 键 词:
    具备 区块 架构 存储器
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