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    乐彩重庆时时彩走势: 具有具凸起的膜片的压力传感器.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201510004118.6

    申请日:

    2015.01.06

    公开号:

    CN104764558A

    公开日:

    2015.07.08

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01L 9/06申请日:20150106|||公开
    IPC分类号: G01L9/06; G01L1/18 主分类号: G01L9/06
    申请人: 霍尼韦尔国际公司
    发明人: C.斯图尔特; R.戴维斯; G.莫拉莱斯
    地址: 美国新泽西州
    优先权: 61/924347 2014.01.07 US; 14/543074 2014.11.17 US
    专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 王岳; 徐红燕
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510004118.6

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.02.08|||2015.07.08

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    具有具凸起的膜片的压力传感器。一种具有膜片的压力传感器,膜片具有带有图案的凸起部。具有凸起部的膜片可被视为具凸起的膜片。具凸起的膜片可具有比具有与具凸起的膜片相同面积的平板膜片更高的灵敏度。具凸起的膜片可并入可在低压力下进一步改进膜片的压力响应的灵敏度和线性度的简单十字图案。凸起部和在膜片的周边周围的其腿的尖锐边缘和角的减少可减少高应力点并因而增加具凸起的膜片的破裂压力额定值。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种压力传感器系统,包括:
    硅衬底;
    掩埋层,其被注入所述衬底的第一侧中,所述掩埋层具有限定凸起部和膜片的周边的图案;以及
    硅外延层,其位于所述衬底的所述第一侧上;以及
    其中:
    所述衬底的第二侧具有延伸到所述掩埋层和通过如所述掩埋层的所述图案限定的所述掩埋层中的开口所暴露的所述外延层的背侧的一部分的开口;以及
    所述掩埋层中的所述开口显露具有由所述掩埋层的所述图案限定的所述周边的膜片,并显露由掩埋层的所述图案限定的凸起部,所述凸起部附着到由所述外延层的一部分构成的所述膜片。

    2.  如权利要求1所述的系统,还包括定位成检测所述膜片的偏斜的一个或多个传感器。

    3.  如权利要求2所述的系统,其中:
    所述掩埋层的图案限定将所述凸起部连接到所述膜片的所述周边的一个或多个腿;以及
    所述一个或多个传感器分别位于所述一个或多个腿附近或其上。

    4.  如权利要求3所述的系统,其中:
    所述一个或多个腿具有在所述膜片的所述周边附近或其处的最小宽度和在所述凸起部附近或其处的最大宽度;以及
    所述一个或多个传感器分别位于所述一个或多个腿的最小宽度附近或其处。

    5.  如权利要求3所述的系统,其中:
    所述一个或多个腿具有在所述膜片的所述周边附近或其处的第一宽度和在所述凸起部附近或其处的第二宽度;以及
    为了实现所述一个或多个传感器的最佳性能就表示在用于检测的所选择的压力范围下的测量压力的信号的强度和准确度方面优化所述第二宽度与所述第一宽度之比。

    6.  如权利要求3所述的系统,其中所述一个或多个腿位于如在所述凸起部和所述膜片的所述周边之间定位的十字图案中。

    7.  如权利要求2所述的系统,还包括:
    电子装置,其位于横向地相邻于所述膜片的所述外延层中并连接到所述一个或多个传感器;以及
    所述电子装置的一个或多个项目,其选自由差分输入/差分输出放大器、补偿电路、增益电路、模拟信号的数字转换电路、数字信号的模拟转换电路、信号处理电路、温度传感器、湿度传感器和流量传感器构成的组。

    8.  如权利要求3所述的系统,其中与所述膜片相接的所述凸起部的边缘和角、与所述膜片和所述凸起部相接的所述一个或多个腿的边缘和角、与所述膜片和所述外延层相接的所述掩埋层的边缘和角或所述凸起部、腿和掩埋层的外角是圆形的或平滑的。

    9.  一种用于制作压力传感器系统的方法,包括:
    基于掩蔽在硅衬底的前侧处注入图案化掩埋层;
    加热所述衬底以在所述衬底中扩散所述掩埋层以使所述掩埋层的边缘和角变圆或平滑;
    在所述衬底的所述前侧上并在所述掩埋层的前侧上形成具有背侧的硅外延层;以及
    将如通过掩蔽限定的开口创建到所述衬底的背侧中一直到所述外延层的背侧和所述掩埋层中的一个或各部分的背侧。

    10.  如权利要求9所述的方法,其中所述图案化掩埋层在所述开口中显露由所述硅外延层的一部分构成的膜片,其具有由在所述外延层上的所述掩埋层的一个或多个部分形成的周边并具有由所述掩埋层的一部分形成的凸起部,所述凸起部位于所述膜片上。

    11.  如权利要求10所述的方法,其中所述图案化掩埋层还在所述开口中显露所述外延层上的一个或多个腿,其在所述膜片的所述周边处将所述凸起部连接到所述掩埋层的所述一个或多个部分。

    12.  如权利要求10所述的方法,还包括:
    在所述膜片上形成一个或多个压阻传感器;以及
    形成在横向地相邻于所述膜片的所述外延层中并连接到所述一个或多个压阻传感器的电子装置,所述电子装置获得并放大来自所述一个或多个压阻传感器的信号,所述信号指示所述膜片的偏斜的幅度,其表示影响所述膜片的压力。

    13.  一种压力检测机构,包括:
    衬底;
    掩埋层,其被注入所述衬底的第一侧中,所述掩埋层具有限定凸起部和膜片的周边的图案;以及
    外延层,其位于所述衬底的所述第一侧上;以及
    其中:
    所述衬底的第二侧具有延伸到所述掩埋层和通过如所述掩埋层的图案限定的所述掩埋层中的开口所暴露的所述外延层的背侧的一部分的开口;以及
    所述掩埋层中的所述开口显露具有由所述掩埋层的所述图案限定的周边的膜片,并显露由掩埋层的所述图案限定的凸起部,所述凸起部附着到由所述外延层的一部分构成的所述膜片;
    所述掩埋层的所述图案限定将所述凸起部连接到所述膜片的所述周边的一个或多个腿;以及
    一个或多个膜片偏斜传感器位于所述一个或多个腿处或其上。

    14.  如权利要求13所述的机构,其中:
    所述一个或多个腿具有在所述膜片的所述周边附近或其处的第一宽度尺寸和在所述凸起部附近或其处的第二宽度尺寸;以及
    为了实现所述一个或多个膜片偏斜传感器的最佳性能就测量压力的信号强度和准确度方面优化所述第二宽度与所述第一宽度之比。

    15.  如权利要求14所述的机构,其中与所述膜片相接的所述凸起部的边缘和角、与所述膜片和所述凸起部相接的所述一个或多个腿的边缘和角、与所述膜片和所述外延层相接的所述掩埋层的边缘和角、或所述凸起部、腿和掩埋层的外角是圆形的或平滑的。

    说明书

    说明书具有具凸起的膜片的压力传感器
    本申请要求2014年1月7日提交的且题为“Pressure Sensor with Bossed Diaphragm”的临时专利申请序列号61/924,347的权益。2014年1月7日提交的临时专利申请序列号61/924, 347特此通过引用被并入。
    背景技术
    本公开涉及传感器,且特别是涉及压力传感器。更具体地,本公开涉及具有膜片(diaphragm)的压力传感器。
    发明内容
    本公开揭露了具有膜片的压力传感器,膜片具有带有图案的凸起部的膜片。具有凸起部的膜片可被视为具凸起的(bossed)膜片。具凸起的膜片可具有比平板膜片更高的灵敏度,平板膜片具有与具凸起的膜片相同的面积。具凸起的膜片可并入可在低压力下进一步改进膜片的压力响应的灵敏度和线性度的简单十字图案。凸起部和在膜片的周边周围的其腿(leg)的尖锐边缘和角的减少可减少高应力点并因而增加具凸起的膜片的破裂压力额定值。
    附图说明
    图1是具有例证性具凸起的膜片设计的压力传感器的顶视图的图示;
    图2是揭露在图1的图示中示出的例证性具凸起的膜片的一个版本的图示;
    图3是揭露在图1的图示中示出的例证性具凸起的膜片的另一版本的图示;
    图4是在图1的图示中示出的具凸起的膜片的左上部分的示意性顶视图的图示;
    图5是示出最终应力的破裂压力的跨度的图表的图示;
    图6是示出图1的例证性具凸起的膜片的设计的多个不同配置的各种尺寸的表格的图示;以及
    图7是示出图1的例证性具凸起的膜片设计的多个不同配置中的每个的各种估计参数的表格的图示。
    具体实施方式
    目前的系统和方法可在本文描述和/或示出的实施方式中并入一个或多个处理器、计算机、控制器、用户接口、无线和/或有线连接等。
    这个描述可提供实施目前的系统和方法的一个或多个例证性和特定的示例或方式??赡艽嬖谑凳└孟低澈头椒ǖ男矶嗥渌纠蚍绞?。
    压力换能器可形成有硅衬底和在衬底上生长的外延(epi)层。衬底的背侧的一部分可被去除,留下由外延层的一部分构成的薄的柔性膜片。压电电阻器可位于膜片部分中或其上以测量膜片的偏斜以形成压力换能器。
    换能器可基于其它种类的材料,例如砷化镓等??墒褂酶髦旨际趵缥⒒缦低常∕EMS)等来制造换能器。
    在操作期间,膜片的至少一个表面可暴露于压力。膜片可根据在膜片的一侧上的压力的幅度来偏斜,该压力超过在膜片的相对表面上的压力。膜片的偏斜可创建压电电阻器的电阻值的变化。压电电阻器的电阻值的变化可被反映为至少部分地由压电电阻器形成的电阻桥的输出电压信号中的变化。电阻值可转换成施加在膜片的一个表面上的压力的指示。
    硅衬底和外延层可由单晶硅形成。由单晶硅形成的平板膜片可产生具有对应于从五(5)英寸H2O(0.18)变动到6,000 psi(166,084英寸H2O)的压力的足够线性度的可接受地高的输出信号。然而,由单晶硅形成的平板膜片不一定产生具有对应于低于五(5)英寸H2O的压力的足够线性度的可接受地高的输出信号。
    除了平板膜片以外的膜片设计可用于构建具有可接受地高的输出信号的压力传感器,输出信号具有对应于在低压力下的充足灵敏度(例如低于大约五(5)英寸的H2O的压力)的足够线性度。例如,具有具凸起的膜片的压力传感器可具有比在相同的表面积情况下的具有平板膜片的压力传感器的灵敏度更高的灵敏度。然而,具凸起的膜片可具有更低的破裂压力。在一些情况下,当制造膜片和凸起部时在凸起部和膜片之中形成的尖锐边缘可有助于较低的破裂压力额定值。
    为了改进压力传感器的灵敏度和线性度,具有带有复杂图案的具凸起设计的膜片可将所感测的压力的应力集中在压电电阻器传感器处。然而,复杂的图案可能难以制造,且在一些情况下可有助于非线性压力响应和方位灵敏度,因而导致较高的总误差范围。
    本公开涉及具有具凸起的膜片的压力传感器。在例证性示例中,具凸起的膜片也可并入可相对容易制造的腿的简单十字图案并改进在低压力下的所得到的传感器的性能。具有十字图案的具凸起的膜片可以比相同膜片面积的平板膜片提供更多50%到100%的灵敏度。
    可在与压敏膜片相同的传感器管芯(die)上制造低噪声放大器。低噪声放大器可以是增益可编程的并具有偏移修整(trimming)的差分输入/差分输出放大器。具有十字图案的具凸起的膜片和在同一传感器管芯上的低噪声放大器的组合可提供比在没有十字图案和增益可编程的差分输入/差分输出放大器情况下具有具凸起的膜片的压力传感器的相似特性更高的灵敏度、更多的线性压力响应和更不少(less little)的方位灵敏度。更高的灵敏度、更多的线性压力响应和更不少的方位灵敏度可降低总误差范围。
    可使用允许具凸起的膜片和放大器在同一传感器管芯上被制造的集成电路制造过程来制造本压力传感器??芍圃炀咄蛊鸬哪て?,使得否则可在凸起部上和/或在膜片的周边周围创建的尖锐边缘和/或角被减少或去除。在凸起部上和/或在膜片的周边周围创建的尖锐边缘和/或角的减少可减少在设备中的高应力点并因此增加传感器的破裂压力额定值。
    图1是具有例证性具凸起的膜片设计的压力传感器11的顶视图的图示。分别在图2和3中示出压力传感器12和13的例证性截面。在例证性设计中,可得到p硅衬底14。使用光刻法,掩蔽层可在硅衬底14的顶部上形成,且然后可提供注入物,导致图案化N+掩埋层15。然后可以去除掩蔽层。N+掩蔽层15可限定在膜片17上的凸起部45。在一些情况下且如在本文提到的,N+掩埋层15也可限定膜片17的周边。在一些情况下,在N+注入物之后,衬底14可被加热达一段时间以帮助将N+注入物扩散到衬底14中,这可帮助使N+掩埋层的边缘和角变圆,如图2-3中所示。
    接着,N-硅外延(epi)层16可在衬底/掩埋层15的顶表面上生长。epi层16可形成压力传感器11的膜片17??煽刂芿pi层16的厚度。
    可以用不同的方式以远程或集成式样将电路18添加到系统12。图1仅仅是其中的一个可能的方法。例如,电路18可在epi层16上或中形成。例如在一些情况下,电路18可在横向地相邻于膜片17的epi层中形成??墒褂眉傻缏反砑际趵赐瓿尚纬傻缏?8。在一个示例中,电路18可并入在横向地相邻于膜片17的epi层16中形成的低噪声放大器23。低噪声放大器23可以是增益可编程的并具有偏移修整(例如激光修整)的差分输入/差分输出放大器。膜片17和在同一硅管芯上的电路18的放大器23的组合可相对于其它膜片和电路设计提供高灵敏度、高线性压力响应和非常少的方位灵敏度,这可导致低的总误差范围。传感器元件(例如压电电阻器19)可被提供在膜片17上,并可连接到具有互连21的低噪声放大器。当被提供时,压电电阻器19可使用光刻过程来形成,且因此压电电阻器19的放置和大小可被控制。在一些情况下,控制压电电阻器19相对于膜片17的放置看起来是有益的。也就是说,且在例如图1中所示的一些实例中,压电电阻器19可放置在膜片17的边缘附近并相对于凸出腿22位于中心。在一些情况下,压电电阻器19的大小可规定对应的凸出腿22的w1的最小尺寸。W2可以是凸出腿22的最大尺寸。
    虽然低噪声放大器23可在这里用作可在epi层16中或上形成的示例电路,但是可以形成其它电路18和/或设备,包括但不限于补偿电路、模数(A/D)转换电路、信号处理电路、其它传感器,诸如温度、湿度和/或流量传感器,和/或如所期望的任何其它适当的电路和/或设备。
    在一些情况下,膜片17可以在形状上是正方形的,如图1中所示。然而,膜片17可以在形状上是圆形的或可具有如所期望的任何其它适当的性状。凸起部45可呈现任何适当的配置和形状。在图1中所示的示例中,凸起部45可并入简单的十字图案24,其不一定是高度复杂的并可容易被制造??墒褂霉饪坦汤纯刂仆蛊鸩?5(和在一些情况下膜片17)的形状和尺寸,如在本文关于图2-4描述的。在一些情况下,凸起十字图案24可具有四个腿22,每个具有在膜片17的周边25处或附近的宽度“w1”28和在凸起部45的中心区域处或附近的宽度“w2”29。膜片17(例如epi层16的部分)可具有网厚度26,且凸起部45可具有凸起部厚度27。在图1中所示的示例中,膜片17可具有“L”的侧面长度31。压电电阻器19可放置在膜片17的边缘或周边附近,有时相对于凸起腿22位于中心。在一些情况下,压电电阻器19的大小可限定“w1”28的最小尺寸。
    在形成掩埋层15和epi层16的情况下,可蚀刻硅衬底1的背侧。在一个示例中,可以制作图2中的蚀刻开口32??商峁┭刈啪哂谐叽纭皕”33的硅衬底14的背侧限定蚀刻开口32的掩模层。硅衬底14的背侧可接着通过蚀刻开口32暴露于蚀刻剂,例如KOH蚀刻剂。蚀刻剂可蚀刻如图2中所示的p硅衬底14。当硅衬底14是单晶硅时,蚀刻侧壁34可以处于如所示的角度43,跟随硅衬底14的结晶平面。N-epi层16和N+ 掩埋层15可充当蚀刻停止。膜片的侧面长度35可由尺寸“x”限定,其可取决于初始蚀刻开口“z”32的侧壁34的大小33和角度43。在周边15处的掩埋层15之间的距离可由尺寸“y”指示。由图案化N+掩埋层15形成的在中心的凸起部45现在可被暴露并具有圆形边缘36和角36。圆形边缘36和角36可由N+掩埋层16的N+注入(和有时随后的热扩散)产生。圆形边缘36和角36可大体上通过减小凸起部45的尖锐边缘来增加膜片17的破裂压力。
    在另一示例中,可在图3中示出蚀刻过程??商峁┭刈啪哂谐叽?8(“z+k”)的衬底14的背侧限定蚀刻开口37的掩模层。硅衬底14的背侧可然后通过蚀刻开口37暴露于蚀刻剂,例如KOH蚀刻剂。蚀刻剂可蚀刻在p硅衬底14中的开口37。N-epi层16和N+ 掩埋层15可充当蚀刻停止。膜片的侧面长度现在可由尺寸35(“x”)限定,其在图3中可由在横向掩埋层15区域之间的距离限定。尺寸35可由用于注入掩埋层15的光刻过程控制。而且,凸起部41的尺寸可由用于注入掩埋层15的光刻过程控制。
    如在本文所提到的,掩埋层15的凸起部45可具有圆形边缘和角,其可实质上增加膜片17的破裂压力。在图3中,在膜片17的周边25周围的边缘可具有圆形边缘39和角39。这可进一步增加膜片17的破裂压力。使用具有图3中所示的结果的蚀刻过程蚀刻的具凸起的膜片17可比使用具有图2中所示的结果的蚀刻过程蚀刻的具凸起的膜片17具有明显地更高的破裂压力。增加的破裂压力可以是由于在膜片17的周边25周围的圆形边缘39和角39,其通过关于图3中所示的示例的蚀刻过程形成,但不一定通过用于图2中的示例的蚀刻过程形成。
    圆形边缘36、39和角36、39可以不一定仅仅存在于相对于硅衬底的平面的z轴中(如在图2-3的图示中所示的),但也可存在于相对于在图4的图示中所示的膜片17的x-y轴中。通常,圆形边缘36、39和角36、39可进一步增加膜片17的破裂压力。
    图5是鉴于膜片17将在每平方英寸75,000磅的边缘应力(Kpsi)(517.1 Mpa)下破裂的假设而示出在全压力标度下的估计跨度(mv)相对于破裂压力(psi)的图表80的图示。该图表可揭露模拟的设计空间,其中允许尺寸28(w1)从90-300微米(3.54-11.81密尔)变动,且允许尺寸29(w2)从300-500微米(11.81-19.69密尔)变动。已发现适当的比尺寸28/尺寸29(w2/w1)可以在1.1-2.0、1.2-1.8、1.3-1.5的范围或任何其它适当的范围内??烧攵蕴囟ǖ淖罴研阅苡呕帽???稍て诰哂薪细叩谋鹊木咄蛊鸬哪て?7具有较高的跨度和较低的破裂压力,并且可预期具有较低的比的凸起膜片17具有较低的跨度和较高的破裂压力。数据不一定模拟使用在图3的图示中的示例中所示的蚀刻过程蚀刻的具凸起的膜片。作为比较示例,由图3的图示示出的蚀刻可相对于由图2的图示示出的蚀刻而明显增加膜片的破裂压力。
    图6是揭露基于图1中所示的具凸起的膜片的“H2O”传感器的机械尺寸分析的表格70的图示,其分别地示出与材料和设计71、72和73的制造过程的步骤有关的三组尺寸(以密尔和微米为单位)??烧攵云鹗汲牡?、生长epi、研磨背侧、抛光背侧、掩埋层、向外扩散和晶片膜片厚度给定厚度??烧攵员巢嘌谀??、底切(undercut)左尺寸的容差、底切右尺寸的容差、最终背侧开口、每侧向内蚀刻、设计膜片侧面长度、最终膜片侧面长度和对准方面的误差来给定膜片图案对准误差的尺寸??烧攵酝及复笮?、锯缝、最终管芯大小和密封宽度给定尺寸。
    图7是示出在图1的图示中示出的例证性具凸起的膜片17的多个不同配置中的每个的各种估计参数的表格50的图示。第一列51表示膜片长度“L”35,第二列52表示凸起部厚度41,第三列53表示在膜片17的区域中的epi层16厚度42(网(web)厚度),且列54的w1和列55的w2分别表示凸出腿22的尺寸28和29??稍诹?6-62中示出每个配置的各种估计性能参数。列56表示顶侧mv/v/”;列57表示顶侧BFSL 0.25”H20;列58表示腔侧mv/v/”;列59表示腔侧BFSL 0.25”H20;列60表示对称性;列61表示5V的顶侧跨度,且在0.25”H20下增益=20;以及列62表示5V的腔侧跨度,且在0.25”H20下增益=20。
    总之,压力传感器系统可并入硅衬底;被注入衬底的第一侧中的掩埋层,掩埋层具有限定凸起部和膜片的周边的图案;以及位于衬底的第一侧上的硅外延层。
    衬底的第二侧可具有延伸到掩埋层和通过如掩埋层的图案限定的在掩埋层中的开口所暴露的外延层的背侧的一部分的开口。掩埋层中的开口可显露具有由掩埋层的图案限定的周边的膜片,并显露由掩埋层的图案限定的凸起部,凸起部附着到由外延层的一部分构成的膜片。
    系统还可并入定位成检测膜片的偏斜的一个或多个传感器。
    掩埋层的图案可限定将凸起部连接到膜片的周边的一个或多个腿。
    一个或多个传感器可分别位于一个或多个腿附近或其上。
    一个或多个腿可具有在膜片的周边附近或其处的最小宽度和在凸起部附近或其处的最大宽度。
    一个或多个传感器可以是分别位于一个或多个腿的最小宽度附近或其处的压阻传感器。
    一个或多个腿可具有在膜片的周边附近或其处的第一宽度和在凸起部附近或其处的第二宽度??晌耸迪忠桓龌蚨喔龃衅鞯淖罴研阅芏驮谟糜诩觳獾乃≡裱沽Ψ段卤硎静饬垦沽Φ男藕诺那慷群妥既范确矫嬗呕诙矶扔氲谝豢矶戎?。
    一个或多个腿可位于如在凸起部和膜片的周边之间定位的十字图案中。
    系统还可并入位于横向地相邻于膜片的外延层中并连接到一个或多个传感器的电子装置。电子装置的一个或多个项目可选自由差分输入/差分输出放大器、补偿电路、增益电路、模拟信号的数字转换电路、数字信号的模拟转换电路、信号处理电路、温度传感器、湿度传感器和流量传感器构成的组。
    与膜片相接的凸起部的边缘和角、与膜片和凸起部相接的一个或多个腿的边缘和角、与膜片和外延层相接的掩埋层的边缘和角、或凸起部、腿和掩埋层的外角可以是圆形的或平滑的。
    用于制作压力传感器系统的方法可并入基于掩蔽在硅衬底的前侧处注入图案化掩埋层;加热衬底以在衬底中扩散掩埋层以使掩埋层的边缘和角变圆或平滑;在衬底的前侧上并在掩埋层的前侧上形成具有背侧的硅外延层;以及将如通过掩蔽限定的开口创建到衬底的背侧中一直到外延层的背侧和掩埋层一个或各部分的背侧。
    图案化掩埋层可在开口中显露由硅外延层的一部分构成的膜片,其具有由在外延层上的掩埋层的一个或多个部分形成的周边并具有由掩埋层的一部分形成的凸起部,凸起部位于膜片上。
    图案化掩埋层还可在开口中显露外延层上的一个或多个腿,其在膜片的周边处将凸起部连接到掩埋层的一个或多个部分。
    该方法还可并入在膜片上形成一个或多个压阻传感器。
    该方法还可并入形成在横向地相邻于膜片的外延层中并连接到一个或多个压阻传感器的电子装置,电子装置获得并放大来自一个或多个压阻传感器的信号,所述信号指示膜片的偏斜的幅度,其表示影响膜片的压力。
    压力检测机构可并入衬底;被注入衬底的第一侧中的掩埋层,掩埋层具有限定凸起部和膜片的周边的图案;以及位于衬底的第一侧上的外延层。
    衬底的第二侧可具有延伸到掩埋层和通过如掩埋层的图案限定的在掩埋层中的开口所暴露的外延层的背侧的一部分的开口。掩埋层中的开口可显露具有由掩埋层的图案限定的周边的膜片,并显露由掩埋层的图案限定的凸起部,凸起部附着到由外延层的一部分构成的膜片。
    压力检测机构还可并入一个或多个膜片偏斜传感器。
    掩埋层的图案可限定将凸起部连接到膜片的周边的一个或多个腿。一个或多个膜片偏斜传感器可位于一个或多个腿处或其上。
    一个或多个腿可具有在膜片的周边附近或其处的第一宽度尺寸和在凸起部附近或其处的最大宽度尺寸??晌耸迪忠桓龌蚨喔瞿て贝衅鞯淖罴研阅芏筒饬垦沽Φ男藕徘慷群妥既范确矫嬗呕诙矶扔氲谝豢矶戎?。
    一个或多个腿可位于如在凸起部和膜片的周边之间定位的十字图案中。
    与膜片相接的凸起部的边缘和角、与膜片和凸起部相接的一个或多个腿的边缘和角、与膜片和外延层相接的掩埋层的边缘和角、或凸起部、腿和掩埋层的外角可以是圆形的或平滑的。
    相关参考可并入2003年3月4日颁布的美国专利号6,528,340;2004年9月28日颁布的美国专利号6,796,193;2009年2月24日颁布的美国专利号7,493,823;和2012年5月24日公布的美国专利申请公布号2012/0125114;其全部特此通过引用被并入。
    在本说明书中,事情中的一些可具有假说或预言的性质,但是以另一方式或时态被陈述。
    虽然已经关于至少一个例证性示例描述了本系统和/或方法,但是在阅读说明书时许多变化和修改将对于本领域中的技术人员来说变得显而易见。因此本文意图是鉴于相关技术而将所附权利要求尽可能广泛地解释以包括所有这样的变化和修改。

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