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    重庆时时彩杀号软件安卓版: 利用自对准双图案化工艺对晶圆进行图案化的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201510006948.2

    申请日:

    2015.01.07

    公开号:

    CN104778297A

    公开日:

    2015.07.15

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20150107|||公开
    IPC分类号: G06F17/50 主分类号: G06F17/50
    申请人: 三星电子株式会社
    发明人: 郑文奎
    地址: 韩国京畿道
    优先权: 10-2014-0003073 2014.01.09 KR
    专利代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 陈源; 张帆
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510006948.2

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2016.08.10|||2015.07.15

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了利用自对准双图案化工艺形成晶圆的图案的方法和布局设计方法。所述形成晶圆的图案的方法包括:准备具有第一设计图案、第二设计图案和设置在第一设计图案与第二设计图案之间的第三设计图案的初始布局;利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括第二设计图案的第二子布局;利用计算机形成包括通过修改第一子布局的第一设计图案获得的第一修改的设计图案的第一修改的子布局;利用计算机产生包括第一修改的子布局和第二子布局的修改的布局;以及利用修改的布局执行双图案化工艺。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种对晶圆进行图案化的方法,包括步骤:
    准备具有第一设计图案、第二设计图案和第三设计图案的初始 布局,其中第三设计图案位于第一设计图案与第二设计图案之间;
    利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局 和包括第二设计图案的第二子布局;
    利用计算机形成包括第一修改的设计图案的第一修改的子布 局,通过修改第一子布局的第一设计图案获得所述第一修改的设计图 案;
    利用计算机产生包括第一修改的子布局和第二子布局的修改的 布局;以及
    利用所述修改的布局执行双图案化工艺。

    2.  根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:
    通过执行双图案化工艺形成对应于第一设计图案的第一最终图 案、对应于第二设计图案的第二最终图案和对应于第三设计图案的第 三最终图案。

    3.  根据权利要求2所述的方法,其中,第一设计图案、第二 设计图案、第三设计图案和第一修改的设计图案是显示在计算机监视 器上的图案,而第一最终图案、第二最终图案和第三最终图案是形成 在晶圆上的图案。

    4.  根据权利要求1所述的方法,其中,第一子布局仅包括第 一设计图案,第二子布局仅包括第二设计图案。

    5.  根据权利要求1所述的方法,其中,所述修改的布局不包 括第三设计图案。

    6.  根据权利要求1所述的方法,其中,初始布局还包括在第 一设计图案与第二设计图案之间并邻近第三设计图案的第一空间,其 中,第一空间的宽度大于第三设计图案的宽度。

    7.  根据权利要求6所述的方法,其中,初始布局还包括设置 在第一设计图案与第三设计图案之间的第二空间以及设置在第二设 计图案与第三设计图案之间的第三空间,第一空间的宽度大于第二空 间的宽度并且大于第三空间的宽度。

    8.  根据权利要求6所述的方法,其中,第一修改的设计图案 包括第一额外图案,其连接至第一设计图案并从第一设计图案延伸至 第一空间上以与第一空间重叠。

    9.  根据权利要求1所述的方法,其中,第一设计图案、第二 设计图案和第三设计图案在几何上分离。

    10.  一种对晶圆进行图案化的方法,包括步骤:
    准备初始布局,初始布局包括第一设计图案、与第一设计图案 平行地延伸的第二设计图案、设置在第一设计图案与第二设计图案之 间的第三设计图案以及设置在第一设计图案与第二设计图案之间的 第四设计图案,第三设计图案和第四设计图案包括通过第三设计图案 与第四设计图案之间的空间来分离的共线线段;
    利用计算机形成修改的布局,所述修改的布局包括第二设计图 案和通过修改第一设计图案获得的第一修改的设计图案,其中,第一 修改的设计图案包括第一设计图案和从第一设计图案延伸至所述空 间上的第一额外图案;以及
    通过利用所述修改的布局在晶圆上执行双图案化工艺来形成分 别对应于第一设计图案至第四设计图案的第一最终图案至第四最终 图案。

    11.  根据权利要求10所述的方法,其中,第三设计图案与第 三最终图案实质相同,第四设计图案与第四最终图案实质相同。

    12.  根据权利要求10所述的方法,其中,第一额外图案在第 三最终图案与第四最终图案之间。

    13.  一种布局设计方法,包括步骤:
    准备初始布局,初始布局包括第一设计图案、第二设计图案、 第一设计图案与第二设计图案之间的第三设计图案以及第一设计图 案与第二设计图案之间的第一空间,第一空间的宽度大于第三设计图 案的宽度;
    利用计算机增加与第一空间的至少一部分重叠的第一额外图 案;以及
    利用计算机形成修改的布局,所述修改的布局包括第一设计图 案、第二设计图案和第一额外图案,并且不包括第三设计图案。

    14.  根据权利要求13所述的布局设计方法,其中,第一额外 图案从第一设计图案延伸并与第一设计图案连接。

    15.  根据权利要求14所述的布局设计方法,还包括步骤:
    增加从第二设计图案延伸并与第二设计图案连接的第二额外图 案,第二额外图案与第一空间的另一部分重叠。

    16.  根据权利要求15所述的布局设计方法,其中,第一额外 图案与第二额外图案部分地重叠。

    17.  根据权利要求13所述的布局设计方法,其中,初始布局 还包括第一设计图案与第二设计图案之间的第四设计图案,其中,第 三设计图案和第四设计图案共线,第一空间在第三设计图案与第四设 计图案之间,并且所述修改的布局不包括第四设计图案。

    18.  根据权利要求13所述的布局设计方法,其中,第一设计 图案和第二设计图案具有线形,并且第一设计图案与第二设计图案平 行地延伸。

    19.  一种布局设计方法,包括步骤:
    准备初始布局,初始布局包括第一设计图案、第二设计图案、 第三设计图案和第一空间,第一空间与第三设计图案的一个表面接触 并具有大于第三设计图案的宽度的第一宽度;
    利用计算机增加从第一设计图案的一部分延伸至第一空间上的 第一额外图案;以及
    利用计算机准备修改的布局,所述修改的布局包括第一设计图 案、第二设计图案和第一额外图案,并且不包括第三设计图案。

    20.  根据权利要求19所述的布局设计方法,其中,初始布局 还包括第二空间,第二空间与第三设计图案的另一表面接触并具有大 于第三设计图案的宽度的第二宽度。

    21.  根据权利要求20所述的布局设计方法,还包括步骤:
    增加从第二设计图案的一部分延伸至第二空间上的第二额外图 案,其中,所述修改的布局还包括第二额外图案。

    22.  一种对晶圆进行图案化的方法,包括步骤:
    利用第一光掩模和第二光掩模在晶圆上执行自对准双图案化工 艺,以在晶圆中进行图案化形成第一最终图案、第二最终图案和第三 最终图案,
    其中,第三最终图案在第一最终图案与第二最终图案之间,
    其中,第一光掩模包括对应于第一最终图案的第一设计图案, 第二光掩模包括额外图案和对应于第二最终图案的第二设计图案二 者,并且第一光掩模和第二光掩模不包括对应于第三最终图案的独立 图案。

    23.  根据权利要求22所述的方法,还包括步骤:
    在计算机上准备初始布局,初始布局具有第一设计图案、第二 设计图案和对应于第三最终图案的第三设计图案;以及
    形成修改的布局,所述修改的布局包括具有第一设计图案的第 一子布局和具有第二设计图案和所述额外图案的第二子布局。

    24.  根据权利要求23所述的方法,其中,初始布局还包括其 宽度大于第三设计图案的宽度的空间。

    25.  根据权利要求24所述的方法,其中,所述额外图案与第 二设计图案连接,并从第二设计图案延伸以与所述空间重叠,并且
    其中,第三最终图案的第一部分与第一最终图案同时形成,第 三最终图案的第二部分与第二最终图案同时形成。

    说明书

    说明书利用自对准双图案化工艺对晶圆进行图案化的方法
    技术领域
    本发明构思的实施例涉及设计用于自对准双图案化工艺的布局 的方法以及利用该布局对包括半导体器件的晶圆进行图案化的方法。
    背景技术
    随着半导体器件的集成度增大,利用光刻工艺可能难以形成超 过分辨极限的精细图案。因此,提出并研究了多种想法以形成超过分 辨极限的精细图案。
    发明内容
    本发明构思的实施例提供了利用修改的布局(layout)在晶圆 中形成包括一个或多个半导体器件的图案的方法。
    本发明构思的其它实施例提供了利用自对准双图案化工艺来设 计可用于在晶圆中形成包括一个或多个半导体器件的图案的修改的 布局的方法。
    本发明构思的技术目标不限于以上公开内容;基于以下描述, 其它目标对于本领域普通技术人员可变得清楚。
    根据本发明构思的一方面,一种对晶圆进行图案化的方法包括 步骤:准备具有第一设计图案、第二设计图案和第三设计图案的初始 布局,其中第三设计图案位于第一设计图案与第二设计图案之间;利 用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括 第二设计图案的第二子布局;利用计算机形成包括第一修改的设计图 案的第一修改的子布局,通过修改第一子布局的第一设计图案获得所 述第一修改的设计图案;利用计算机产生包括第一修改的子布局和第 二子布局的修改的布局;以及利用所述修改的布局执行双图案化工 艺。
    根据本发明构思的另一方面,一种对晶圆进行图案化的方法包 括步骤:准备初始布局,其包括第一设计图案、与第一设计图案平行 地延伸的第二设计图案、设置在第一设计图案与第二设计图案之间的 第三设计图案以及设置在第一设计图案与第二设计图案之间的第四 设计图案,第三设计图案和第四设计图案包括通过第三设计图案与第 四设计图案之间的空间来分离的共线线段;利用计算机形成修改的布 局,所述修改的布局包括第二设计图案和通过修改第一设计图案获得 的第一修改的设计图案,其中,第一修改的设计图案包括第一设计图 案和从第一设计图案延伸至所述空间上的第一额外图案;以及通过利 用所述修改的布局执行双图案化工艺来形成分别对应于第一设计图 案至第四设计图案的第一最终图案至第四最终图案。
    根据本发明构思的另一方面,一种布局设计方法包括步骤:准 备初始布局,其包括第一设计图案、第二设计图案、第一设计图案与 第二设计图案之间的第三设计图案以及第一设计图案与第二设计图 案之间的第一空间,第一空间的宽度大于第三设计图案的宽度;利用 计算机增加与第一空间的至少一部分重叠的第一额外图案;以及利用 计算机形成仅包括第一设计图案、第二设计图案和第一额外图案的修 改的布局。
    根据本发明构思的另一方面,一种布局设计方法包括步骤:准 备初始布局,其包括第一设计图案、第二设计图案、第三设计图案和 第一空间,第一空间与第三设计图案的一个表面接触并具有大于第三 设计图案的宽度的第一宽度;利用计算机增加从第一设计图案的一部 分延伸至第一空间上的第一额外图案;以及利用计算机形成修改的布 局,其包括第一设计图案、第二设计图案和第一额外图案,并且不包 括第三设计图案。
    根据本发明构思的另一方面,提供了一种对晶圆进行图案化的 方法,其中利用第一光掩模和第二光掩模在晶圆上执行自对准双图案 化工艺,以在晶圆中进行图案化形成第一最终图案、第二最终图案和 第三最终图案。第三最终图案在第一最终图案与第二最终图案之间。 第一光掩模包括对应于第一最终图案的第一设计图案,第二光掩模包 括额外图案和对应于第二最终图案的第二设计图案二者。第一光掩模 和第二光掩模不包括对应于第三最终图案的独立图案。
    附图说明
    图1A至图1K是示出根据本发明构思的各个实施例的设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的示意性平面图;
    图1L和图1M是示出根据本发明构思的替代实施例的设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的示意性平面图;
    图2A至图2K是示出根据本发明构思的其它实施例的设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的平面图;
    图3A至图3E是示出根据本发明构思的另一些其它实施例的设 计用于自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局 形成的晶圆中的图案的平面图;
    图4A至图4Q、图5A至图5Q以及图6A至图6Q是示出根据本发 明构思的实施例的通过利用修改的布局执行自对准双图案化工艺在 晶圆中形成图案的方法的平面图;以及
    图7A至图7C是示出包括根据本发明构思的实施例制造的半导 体器件的半导体??楹偷缱酉低车氖疽馔己涂蛲?。
    具体实施方式
    现在将参照示出了一些实施例的附图更加全面地描述各个实施 例。然而,这些本发明构思可按照不同形式实现,并且不应理解为限 于本文阐述的实施例。此外,提供这些实施例是为了使得本公开是彻 底和完整的,并且将本发明构思全面地传递给本领域技术人员。
    本文中用于描述本发明构思的实施例的术语不旨在限制本发明 构思的范围。词“一个”和“该”由于它们具有单个指示物而成为单 数形式;然而,在本文中使用该单数形式不应排除存在不止一个指示 物?;痪浠八?,除非上下文清楚指明不是这样,否则以单数形式指代 的本发明构思的元件的数量可为一个或多个?;褂Ω美斫?,当术语 “包括”、“包括……的”、“包含”和“包含……的”用于本文中 时,其指明存在所列特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但 不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、 组件和/或它们的组。
    在附图中,为了清楚起见,可夸大层和区的尺寸和相对尺寸。 应该理解,当一个元件或层被称作“位于”另一元件或层“上”、“连 接至”或“耦合至”另一元件或层时,所述一个元件或层可直接位于 另一元件或层上、连接至或耦合至另一元件或层,或者可存在中间元 件或层。相反,当一个元件被称作“直接位于”另一元件或层“上”、 “直接连接至”或“直接耦合至”另一元件或层时,不存在中间元件 或层。
    本文中可使用诸如“在……下方”、“在……之下”、“下”、 “在……之上”、“上”等的空间相对术语,以描述附图中所示的一 个元件或特征与另一元件或特征的关系。应该理解,这样的描述旨在 涵盖使用或操作中的除图中所示的取向之外的不同取向。例如,如果 图中的装置颠倒,则被描述为“在其它元件或特征之下”或“在其它 元件或特征下方”的元件将因此被取向为“在其它元件或特征之上”。 因此,术语“在……之下”根据整体装置取向旨在意指“在……之上” 和“在……之下”。
    本文中参照可作为理想实施例和中间结构的示意图的剖视图来 描述实施例。这样,作为例如制造技术和/或公差的结果,可以预见 附图中的形状的变化。因此,实施例不应被解释为限于本文示出的区 域的具体形状,而是包括例如由制造工艺导致的形状的偏差。因此, 图中示出的区域实际上是示意性的,并且它们的形状不旨在示出装置 的区域的实际形状,并且不旨在限制本发明构思的范围。
    在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的元件。因此,即 使在对应的附图中未具体描述,也可参照其它附图描述相同的附图标 记和相似的附图标记。然而,应该理解这些相同的元件在不同的实施 例中可呈现不同的形状或构造。例如,本文描述了各种第一设计图案 10、第二设计图案20和第三设计图案30。这些设计图案在不同的实 施例中可具有不同的形状,但是尽管形状上具有这些不同,但是在各 实施例的每一个中,也将它们描述为第一设计图案10、第二设计图 案20和第三设计图案30。相似地,本文中描述了在不同的实施例中 可具有不同构造的各种修改的布局。再次声明,尽管构造上存在这些 不同,也始终利用附图标记Lm指代这些修改的布局,这是因为在各 种情况下,通过附图标记Lm指示的元件是一种修改的布局。
    在本发明构思的实施例中,各种初始布局和修改的布局可包括 可被产生、存储和/或显示在计算机上的数字数据。初始布局和修改 的布局可为设计数据或光掩模图案数据的一部分。例如,本文的附图 中示出的各种初始布局和修改的布局可为可显示在计算机监视器上 的图案设计的一部分。最终布局可为形成在晶圆上的理想的、现实的 和实际的图案。晶圆可包括形成在其上或其中的一个或多个半导体器 件。应该理解,晶圆可包括例如衬底和形成在衬底上的一层或多层。 衬底可为半导体衬底或非半导体衬底?;褂Ω美斫?,可将衬底薄化或 甚至去除衬底。例如,在晶圆上执行的图案化可包括在衬底的底表面 上方的相同高度处的一层或多层的图案化。
    在说明书中,关于“空间”是指图案之间的空白区域。也就是 说,空间是其中未形成图案的区域??占淇砂ㄕ占浜涂砜占?。窄 空间可指示当间隔件图案(spacer pattern)形成在图案的周边上时 可消失的间隔,宽空间可指示当间隔件图案形成在图案的周边上时不 消失的间隔。本发明构思对于自对准双图案化工艺来说可以是尤其可 用的。自对准工艺指通过在存在于布局中的图案的周边上形成间隔件 来形成该布局中不存在的图案的工艺。双图案化工艺是一种通过利用 两个光掩模执行两次光刻工艺来在相同的层和/或水平中形成图案的 工艺。因此,本发明构思可包括执行自对准工艺和双图案化工艺二者。
    图1A至图1K是示出根据本发明构思的各个实施例的设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的平面图。
    参照图1A,根据本发明构思的实施例的设计修改的布局的方法 可包括准备初始布局Li。
    初始布局Li可包括在器件结构中形成在相同层和/或水平的至 少三个设计图案,诸如第一设计图案至第三设计图案(10、20和30)。 第一设计图案10和第二设计图案20彼此间隔开,并且第三设计图案 30可位于第一设计图案10和第二设计图案20之间。例如,第一设 计图案10可具有沿着Y方向延伸的条形或线形。第二设计图案20 可具有沿着Y方向延伸的主体23、从主体23的第一端部部分沿着X 方向延伸的第一端部21和/或从主体23的第二端部部分沿着X方向 延伸的第二端部22。第一端部21、第二端部22和主体23可具有条 形、肘形和/或线形。第三设计图案30可具有沿着Y方向延伸的条形。 在本发明构思的示例实施例中,第二设计图案20的第一端部21和第 二端部22可与由第三设计图案30限定的轴线“A”交叉或重叠。在 另一实施例中,可省略第一端部21和第二端部22中的一个。
    第一设计图案10和第二设计图案20中的每一个可与第三设计 图案30通过窄空间Sn间隔开。各个窄空间Sn的宽度可小于在晶圆 的图案化中使用的光刻设备的极限分辨率。初始布局Li可具有至少 一个宽空间Sw,其宽度大于在晶圆的图案化中使用的光刻设备的极 限分辨率。通过执行双图案化工艺在宽空间Sw中形成的间隔件图案 可限定第一设计图案至第三设计图案(10、20和30)的周边。由于 宽空间Sw布置为邻近或毗邻第一设计图案至第三设计图案(10、20 和30)而非位于第一设计图案至第三设计图案(10、20和30)之间, 因此可认为宽空间Sw未将第一设计图案至第三设计图案(10、20和 30)分离??砜占銼w的宽度可大于光刻设备的极限分辨率和窄空间 Sn的宽度。
    光刻设备的极限分辨率是指可利用特定光刻设备形成的最小图 案宽度。因此,极限分辨率可根据光刻设备、光刻工艺等而不同。通 常,由以下等式1限定极限分辨率。
    R = k λ N A ]]>(等式1)
    R:极限分辨率
    k:工艺常数
    λ:光的波长
    NA:光刻设备的投影透镜的数值孔径
    工艺常数是指执行光刻工艺的操作员的能力。例如,针对光刻 工艺中的使用,当假设光的波长为193nm、投影透镜的数值孔径为 0.8并且工艺常数为0.5时,极限分辨率为约120nm。当根据本发明 构思的实施例使用双图案化技术时,极限分辨率可减小为一半或更 小。
    参照图1B,所述方法可包括将初始布局Li分离为至少三个子布 局Ls1、Ls2和Ls3。至少三个子布局Ls1、Ls2和Ls3可包括第一设 计图案10、第二设计图案20和第三设计图案30。第一设计图案10、 第二设计图案20和第三设计图案30可彼此不同并且不重叠。如图 1B所示,分离初始布局Li的步骤可包括:从初始布局Li中提取和 分离第一设计图案10;产生包括第一设计图案10的第一子布局Ls1; 从初始布局Li中提取和分离第二设计图案20;以及产生包括第二设 计图案20的第二子布局Ls2。分离初始布局Li的步骤也可包括:从 初始布局Li中提取和分离第三设计图案30;以及产生包括第三设计 图案30的第三子布局Ls3。在另一实施例中,所述方法可包括从初 始布局Li中提取和分离包括第一设计图案10的第一子布局Ls1和包 括第二设计图案20的第二子布局Ls2,并且可省略包括第三设计图 案30的第三子布局Ls3。
    参照图1C,所述方法可包括形成包括第一修改的设计图案10m 的第一修改的子布局Lsm1,通过修改第一子布局Ls1的第一设计图 案10获得第一修改的设计图案10m。形成第一修改的设计图案10m 的步骤可包括将额外图案50加至第一设计图案10,第一设计图案10 至少部分地填充包括在初始布局Li中的宽空间Sw。参照图1A和图 1C可看出,额外图案50可从第一设计图案10的一端延伸至宽空间 Sw上。额外图案50可具有条形、线形或肘形,并且可从第一设计图 案10延伸并且连接至第一设计图案10。在另一实施例中,额外图案 50可不与第一设计图案10连续。第一修改的子布局Lsm1可对应于 第一光掩模布局,而第二子布局Ls2可对应于第二光掩模布局。
    参照图1D,所述方法可包括产生包括第一修改的子布局Lsm1 和第二子布局Ls2的修改的布局Lm。修改的布局Lm的第一修改的子 布局Lsm1可包括第一修改的设计图案10m,修改的布局Lm的第二子 布局Ls2可包括第二设计图案20。与图1A所示的初始布局Li相比, 第一修改的设计图案10m替代了第一设计图案10,第二设计图案20 不变,而省略了第三设计图案30。通过第一修改的设计图案10m,可 去除图1A所示的宽空间Sw,或者可将其尺寸减小为具有与等于或小 于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后,所述方法还可 包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。在自对 准双图案化工艺中,可将修改的布局Lm分离为分别在两个光掩模上 的两个布局。进一步参照图1C,可将修改的布局Lm分离为第一光掩 模和第二光掩模,并将其用于自对准双图案化工艺。
    图1E是概念性地示出了当利用图1D的修改的布局Lm执行自对 准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局 Lp。图案布局Lp可对应于将要形成在晶圆上的图案的理想顶示图。 参照图1E,间隔件图案70可形成在第一修改的设计图案10m和第二 设计图案20的周边上,因此可形成第一最终图案10p、第二最终图 案20p和第三最终图案30p?;痪浠八?,当利用图1D的修改的布局 Lm执行自对准双图案化工艺时,形成在第一最终图案10p和第二最 终图案20p的周边上的间隔件图案70可限定第三最终图案30p。
    图1F至图1H是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对 准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆 中的图案的平面图。
    参照图1A、图1B和图1F,所述方法可包括:准备初始布局Li; 将初始布局Li分离为至少三个子布局Ls1、Ls2和Ls3;以及形成包 括第二修改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第 二子布局Ls2的第二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。与 图1C相比,形成第二修改的设计图案20m的步骤可包括增加额外图 案50,额外图案50与宽空间Sw重叠,并且从第二设计图案20的一 端延伸到宽空间Sw上。此外,形成第二修改的设计图案20m的步骤 可包括将第二设计图案20的一端延伸以去除宽空间Sw或减小宽空间 Sw的尺寸。额外图案50可具有条形、线形或肘形,并且可从第二设 计图案20延伸。在另一实施例中,额外图案50可不与第二设计图案 20连续。再参照图1F,第一子布局Ls1可对应于第一光掩模布局, 并且第二修改的子布局Lsm2可对应于第二光掩模布局。
    在另一实施例中,分离初始布局Li的步骤可包括:提取和分离 包括第一设计图案10的第一子布局Ls1;以及提取包括第二设计图 案20的第二子布局Ls2;以及省略第三设计图案30。
    参照图1G,所述方法可包括产生包括第一子布局Ls1和第二修 改的子布局Lsm2的修改的布局Lm。修改的布局Lm的第一子布局Ls1 包括第一设计图案10,修改的布局Lm的第二修改的子布局Lsm2包 括第二修改的设计图案20m。与图1A所示的初始布局Li相比,第一 设计图案10仍然存在,第二修改的设计图案20m替代了第二设计图 案20,并且省略了第三设计图案30。通过第二修改的设计图案20m, 可去除图1A所示的宽空间Sw,或者可将其尺寸减小为具有与等于或 小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后,所述方法还 可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。如上 所述,在自对准双图案化工艺中,可将修改的布局Lm分离为在两个 对应的光掩模上的两个布局。进一步参照图1F,可将修改的布局Lm 分离为第一光掩模和第二光掩模,并将其用于自对准双图案化工艺。
    图1H是概念性地示出当利用图1G的修改的布局Lm执行自对准 双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局Lp。 参照图1H,间隔件图案70可形成在第一最终图案10p和第二最终图 案20p的周边上,从而形成第一最终图案10p、第二最终图案20p和 第三最终图案30p?;痪浠八?,当利用修改的布局Lm执行自对准双 图案化工艺时,形成在第一最终图案10p和第二最终图案20p的周边 上的间隔件图案70可限定第三最终图案30p。
    图1I至图1K是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对 准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆 中的图案的平面图。
    参照图1A、图1B和图1I,所述方法可包括:准备初始布局Li; 将初始布局Li分离为至少三个子布局Ls1、Ls2和Ls3;以及形成包 括第一修改的设计图案10m的第一修改的子布局Lsm1和包括第二修 改的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第一子布局 Ls1的第一设计图案10获得第一修改的设计图案10m,通过修改第二 子布局Ls2的第二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。与图 1C和图1F相比,形成第一修改的设计图案10m和第二修改的设计图 案20m的步骤可分别包括增加从第一设计图案10延伸至宽空间Sw 上的第一额外图案51和增加从第二设计图案20延伸至宽空间Sw上 的第二额外图案52。第一额外图案51和第二额外图案52可具有条 形、线形或肘形。在一些实施例中,所述方法还可包括增加第三额外 图案53,其限定第一修改的设计图案10m的一端并且从第二设计图 案20的另一端延伸。第三额外图案53也可具有条形、线形或肘形。 在其它实施例中,第一额外图案至第三额外图案(51、52和53)中 的一个或多个相对于第一设计图案10和第二设计图案20二者可为不 连续的。第一修改的子布局Lsm1可对应于第一光掩模布局,第二修 改的子布局Lsm2可对应于第二光掩模布局。
    在另一实施例中,分离初始布局Li的步骤可包括:提取和分离 包括第一设计图案10的第一子布局Ls1和包括第二设计图案20的第 二子布局Ls2;以及省略第三设计图案30。
    参照图1J,所述方法可包括产生包括第一修改的子布局Lsm1 和第二修改的子布局Lsm2的修改的布局Lm。修改的布局Lm可包括 第一修改的设计图案10m和第二修改的设计图案20m。与图1A所示 的初始布局Li相比,第一修改的设计图案10m替代了第一设计图案 10,第二修改的设计图案20m替代了第二设计图案20,并且省略了 第三设计图案30。通过第一修改的设计图案10m和第二修改的设计 图案20m,可去除图1A所示的宽空间Sw,或者可将其尺寸减小为具 有与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后, 所述方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化 工艺。如上所述,在自对准双图案化工艺中,可将修改的布局Lm分 离为分别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照图1I,可将修改 的布局Lm分离为第一光掩模和第二光掩模,并将其用于自对准双图 案化工艺。
    图1K是概念性地示出当利用图1J所示的修改的布局Lm执行自 对准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局 Lp。参照图1K,间隔件图案70可形成在第一修改的设计图案10m和 第二修改的设计图案20m的周边上,因此可形成第一最终图案10p、 第二最终图案20p和第三最终图案30p?;痪浠八?,形成在第一修改 的设计图案10m和第二修改的设计图案20m的周边上的间隔件图案 70可限定第三最终图案30p。
    根据本发明构思的各个实施例,可将具有各个图案的初始布局 Li分离为分别具有不重叠的第一图案至第三图案(10、20和30)的 至少两个子布局Ls1和Ls2,通过修改所述两个子布局Ls1和Ls2中 的至少一个来产生修改的布局Lm,并且随后仅利用修改的布局Lm执 行光刻工艺以形成与初始布局Li实质相同或与其相似的最终图案 10p、20p和30p?;痪浠八?,通过自对准双图案化工艺可形成包括在 初始布局Li中但从修改的布局Lm中省略的图案。也就是说,根据本 发明构思的实施例,通过利用修改的布局Lm执行两次光刻工艺,可 以将仅通过执行三次光刻工艺形成的初始布局Li的图案形成为与初 始布局Li的图案实质相同的最终图案10p、20p和30p。
    当与特定图案相比具有更宽的宽度的空间邻近或毗邻该特定图 案时,可能不能独立地限定和形成该特定图案,并且该特定图案可与 所述空间连接或联合以与所述空间连续。根据本发明构思的实施例, 可通过本发明构思的技术方面来分离不能通过一般双图案化工艺分 离的特定图案和不具有图案的空间,并且可独立地限定和形成该特定 图案。例如,通过本发明构思的技术方面,与特定图案相比具有更大 的宽度的空间可以小于特定图案的宽度,或者可以被去除。
    从以上参照图1C的讨论应该清楚,在一些实施例中,额外图案 50可不与第一设计图案10连续。图1L示出了可替代图1C的第一修 改的设计图案10m来使用的替代形式的第一修改的设计图案10m'。 如图1L所示,替代形式的第一修改的设计图案10m'包括不与第一设 计图案10连续的额外图案50'。当使用替代形式的第一修改的设计 图案10m'来替代第一修改的设计图案10m时,图1E的图案布局Lp 变为图1M中具有间隔件图案70'的修改的图案布局Lp'。除第一最终 图案至第三最终图案(10p、20p、30p)以外还提供伪图案71,如图 1M所示。
    图2A至图2K是示出根据本发明构思的各个实施例的设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的平面图。例如,将描述设计修改的布局的方法,所述 修改的布局包括各个分离的图案。
    图2A至图2E是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对 准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆 中的图案的平面图。
    参照图2A,所述方法可包括准备初始布局Li。初始布局Li可 包括至少四个分离的图案10、20、30和40。图案10、20、30和40 可包括:第一设计图案10;第二设计图案20,其与第一设计图案10 平行地延伸;以及第三设计图案30和第四设计图案40,它们二者均 设置在第一设计图案10与第二设计图案20之间并且通过宽空间Sw 彼此间隔开。窄空间Sn也可设置在第一设计图案至第四设计图案 (10、20、30和40)之间,如图2A所示。第三设计图案30可沿纵 向与第四设计图案40对齐并且与第四设计图案40间隔开。第三设计 图案30和第四设计图案40可与第一设计图案10和/或第二设计图案 20平行。
    参照图2B,所述方法可包括将初始布局Li分离为第一子布局 Ls1、第二子布局Ls2和第三子布局Ls3。第一子布局至第三子布局 (Ls1、Ls2和Ls3)中的每一个可包括第一设计图案至第四设计图案 (10、20、30和40)中的至少一个。例如,所述方法可包括:通过 从初始布局Li中提取和分离第一设计图案10来产生包括第一设计图 案10的第一子布局Ls1;以及通过从初始布局Li中提取和分离第二 设计图案20来产生包括第二设计图案20的第二子布局Ls2。在一些 实施例中,第三设计图案30和第四设计图案40可不分离为独立的布 局,而是作为替代可将其省略。也就是说,可不产生第三子布局Ls3, 而是作为替代可将其省略。
    参照图2C,所述方法可包括形成包括第一修改的设计图案10m 的第一修改的子布局Lsm1和/或形成包括第二修改的设计图案20m 的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第一子布局Ls1的第一设计图 案10获得第一修改的设计图案10m,通过修改第二子布局Ls2的第 二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。形成第一修改的设计 图案10m的步骤可包括增加第一额外图案51,其与宽空间Sw重叠并 从第一设计图案10延伸至宽空间Sw上,以去除宽空间Sw的至少一 部分。形成第二修改的设计图案20m的步骤可包括增加第二额外图案 52,其与宽空间Sw重叠并从第二设计图案20延伸至宽空间Sw上, 以去除宽空间Sw的至少一部分。第一额外图案51和第二额外图案 52的每一个可具有条形、线形或肘形,并且可分别从第一设计图案 10或第二设计图案20延伸。在一个实施例中,第一额外图案51和 第二额外图案52可分别从第一设计图案10和第二设计图案20的中 间部分延伸以具有分支形状。在另一实施例中,第一额外图案51和 第二额外图案52可不与第一设计图案10和第二设计图案20连续。 第一修改的子布局Lsm1可对应于第一光掩模布局,第二修改的子布 局Lsm2可对应于第二光掩模布局。
    图2D是第一修改的子布局Lsm1与第二修改的子布局Lsm2重叠 的修改的布局Lm。参照图2D,修改的布局Lm可包括具有第一修改的 设计图案10m的第一修改的子布局Lsm1和具有第二修改的设计图案 20m的第二修改的子布局Lsm2。与图2A所示的初始布局Li相比,第 一修改的设计图案10m替代了第一设计图案10,第二修改的设计图 案20m替代了第二设计图案20,并且省略了第三设计图案30和第四 设计图案40。通过第一修改的设计图案10m和/或第二修改的设计图 案20m,可去除图2A所示的宽空间Sw,或者可将其尺寸减小为具有 与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。如图2D 所示,第一修改的设计图案10m和第二修改的设计图案20m可彼此部 分重叠。然后,所述方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行 自对准双图案化工艺。如上所述,在自对准双图案化工艺中,可将修 改的布局Lm分离为分别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照图 2C,可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和第二光掩模,并且可将 其用于自对准双图案化工艺中。
    图2E是理想地和概念性地示出当利用图2D所示的修改的布局 Lm执行自对准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的 图案布局Lp。参照图2E,间隔件图案70可形成在第一修改的设计图 案10m和第二修改的设计图案20m的周边上,并且随后可形成第一最 终图案10p、第二最终图案20p、第三最终图案30p和第四最终图案 40p?;痪浠八?,形成在第一最终图案10p和第二最终图案20p的周 边上的间隔件图案70可限定第三最终图案30p和第四最终图案40p。 第一最终图案10p的第一额外图案51和第二修改的设计图案20m的 第二额外图案52可将第三最终图案30p与第四最终图案40p分离。 可在设置在第三最终图案30p与第四最终图案40p之间的宽空间Sw 的位置处形成伪图案55。
    图2F至图2H是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对 准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆 中的图案的平面图。
    参照图2A、图2B和图2F,所述方法可包括:将初始布局Li分 离为多个子布局Ls1、Ls2和Ls3;以及通过将第一子布局Ls1的第 一设计图案10替换为第一修改的设计图案10m来形成第一修改的子 布局Lsm1。第一修改的设计图案10m可包括具有分支形状的额外图 案50。第一修改的子布局Lsm1可对应于第一光掩模布局,第二子布 局Ls2可对应于第二光掩模布局。
    在另一实施例中,分离初始布局Li的步骤可包括:提取和分离 包括第一设计图案10的第一子布局Ls1和包括第二设计图案20的第 二子布局Ls2;以及省略第三设计图案30和第四设计图案40。
    图2G是设置有第一修改的子布局Lsm1和第二子布局Ls2的修 改的布局Lm。参照图2F和图2G,修改的布局Lm可包括具有第一修 改的设计图案10m的第一修改的子布局Lsm1和具有第二设计图案20 的第二子布局Ls2。在修改的布局Lm中,第一修改的设计图案10m 的额外图案50可邻近第二设计图案20,并且可与第二设计图案20 毗邻或重叠。与图2A所示的初始布局Li相比,第一修改的设计图案 10m替代了第一设计图案10,第二设计图案20保持不变,并且省略 了第三设计图案30和第四设计图案40。通过第一修改的设计图案10m 的额外图案50,可去除图2A所示的设置在第三设计图案30与第四 设计图案40之间的宽空间Sw,或者可将其尺寸减小为具有与等于或 小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽度。然后,所述方法还 可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。如上 所述,在自对准双图案化工艺中,可将修改的布局Lm分离为分别在 两个光掩模上的两个布局。进一步参照图2F,可将修改的布局Lm分 离为第一光掩模和第二光掩模,并将其用于自对准双图案化工艺。
    图2H是概念性地示出当利用图2G所示的修改的布局Lm执行自 对准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局 Lp。参照图2H,间隔件图案70可形成在第一修改的设计图案10m和 第二设计图案20的周边上以形成第一最终图案10p、第二最终图案 20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p。形成在第一修改的设 计图案10m的额外图案50的周边上的间隔件图案70可将第三最终图 案30p和第四最终图案40p分离。
    图2I至图2K是示出根据本发明构思的实施例的设计用于自对 准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的晶圆 中的图案的平面图。
    参照图2A、图2B和图2I,所述方法可包括:将初始布局Li分 离为多个子布局Ls1、Ls2和Ls3;将第二子布局Ls2的第二设计图 案20替换为第二修改的设计图案20m以形成第二修改的子布局 Lsm2。第二修改的设计图案20m可包括具有分支形状的额外图案50。 第一子布局Ls1可对应于第一光掩模布局,第二修改的子布局Lsm2 可对应于第二光掩模布局。
    在另一实施例中,分离初始布局Li的步骤可包括:提取和分离 包括第一设计图案10的第一子布局Ls1和包括第二设计图案20的第 二子布局Ls2;以及省略第三设计图案30和第四设计图案40。
    图2J是第一子布局Ls1和第二修改的子布局Lsm2彼此邻近的 修改的布局Lm。参照图2I和图2J,修改的布局Lm可包括具有第一 设计图案10的第一子布局Ls1和具有第二修改的设计图案20m的第 二修改的子布局Lsm2。在修改的布局Lm中,第二修改的设计图案20m 的额外图案50可邻近第一设计图案10,或者可与第一设计图案10 毗邻或重叠。通过第二修改的设计图案20m的额外图案50,可去除 图2A所示的设置在第三设计图案30与第四设计图案40之间的宽空 间Sw,或者可将其尺寸减小为具有与等于或小于极限分辨率的窄空 间Sn的宽度相似的宽度。然后,所述方法还可包括利用修改的布局 Lm在晶圆上执行自对准双图案化工艺。如上所述,在自对准双图案 化工艺中,可将修改的布局Lm分离为分别在两个光掩模上的两个布 局。进一步参照图2I,可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和第二 光掩模,并且可将其用于自对准双图案化工艺。
    图2K是概念性地示出当利用图2J所示的修改的布局Lm执行自 对准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局 Lp。参照图2K,间隔件图案70形成在第一设计图案10和第二修改 的设计图案20m的周边上,以形成第一最终图案10p、第二最终图案 20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p。形成在第二设计图案 20的额外图案50上的间隔件图案70可将第三最终图案30p和第四 最终图案40p分离。
    根据本发明构思的各个实施例,将具有各个图案10、20、30和 40的初始布局Li分别分离为具有不单独地重叠的图案10和20的至 少两个子布局Ls1和Ls2,并通过修改所述两个子布局Ls1和Ls2中 的至少一个来产生修改的布局Lm,仅利用修改的布局Lm(即,两个 光掩模)执行自对准双图案化工艺,并且可形成与初始布局Li实质 相同或与其相似的图案10p、20p、30p和40p?;痪浠八?,通过自对 准双图案化工艺可形成存在于初始布局Li中但从修改的布局Lm中省 略的两个或更多个图案。根据本发明构思的实施例,通过执行双图案 化工艺可在不执行直接形成工艺的情况下形成两个分离的最终图案 30p和40p。
    图3A至图3E是根据本发明构思的各个实施例的示出设计用于 自对准双图案化工艺的修改的布局的方法和利用修改的布局形成的 晶圆中的图案的平面图。
    参照图3A,所述方法可包括准备初始布局Li。初始布局Li可 包括彼此分离的至少第一图案10、第二图案20和第三图案30。图案 10、20和30可包括第一设计图案10、与第一设计图案10相对的第 二设计图案20和在第一设计图案10和第二设计图案20之间的第三 设计图案30??砜占銼w1和Sw2可设置为邻近第三设计图案30的至 少两侧。例如,第一宽空间Sw1可沿着X方向设置在第一设计图案 10与第三设计图案30之间,第二宽空间Sw2可沿着Y方向设置为邻 近第三设计图案30的一端。
    参照图3B,所述方法可包括将初始布局Li分离为至少三个子布 局Ls1、Ls2和Ls3。所述至少三个子布局Ls1、Ls2和Ls3可包括不 同的图案10、20和30,以使得各图案不重叠。例如,所述方法可包 括:通过从初始布局Li中提取和分离第一设计图案10产生第一子布 局Ls1;以及从初始布局Li中提取和分离第二设计图案20产生第二 子布局Ls2??刹环掷牒筒ǖ谌杓仆及?0的第三子布局Ls3 作为独立的布局(即,可省略第三子布局Ls3)。
    参照图3C,所述方法可包括:形成包括第一修改的设计图案10m 的第一修改的子布局Lsm1,通过修改第一子布局Ls1的第一设计图 案10获得第一修改的设计图案10m;以及形成包括第二修改的设计 图案20m的第二修改的子布局Lsm2,通过修改第二子布局Ls2的第 二设计图案20获得第二修改的设计图案20m。第一修改的设计图案 10m可包括第一水平额外图案51h,第二修改的设计图案20m可包括 第二水平额外图案52h和竖直额外图案52v。第二修改的设计图案20m 的竖直额外图案52v可去除图3A所示的第一宽空间Sw1或者可将图 3A所示的第一宽空间Sw1的宽度减小至极限分辨率或更小。第二修 改的设计图案20m的第二水平额外图案52h可去除图3A所示的第二 宽空间Sw2,或者可将图3A所示的第二宽空间Sw2的宽度减小至极 限分辨率或更小。第一修改的设计图案10m的第一水平额外图案51h 可限定第二修改的设计图案20m的竖直额外图案52v的端部。另外, 第一修改的设计图案10m的第一水平额外图案51h可将第二修改的设 计图案20m的形状改变为闭合曲线的形状。此外,第一修改的设计图 案10m的第一水平额外图案51h也可确保第二修改的设计图案20m 的竖直额外图案52v和第二水平额外图案52h在几何上连续或连接。 第一修改的子布局Lsm1可对应于第一光掩模布局,第二修改的子布 局Lsm2可对应于第二光掩模布局。
    图3D是第一修改的子布局Lsm1和第二修改的子布局Lsm2布置 为彼此邻近的修改的布局Lm。参照图3D,修改的布局Lm可包括具有 第一修改的设计图案10m的第一修改的子布局Lsm1和具有第二修改 的设计图案20m的第二修改的子布局Lsm2。与图3A所示的初始布局 Li相比,第一修改的设计图案10m替代了第一设计图案10,第二修 改的设计图案20m替代了第二设计图案20,并且省略了第三设计图 案30。通过第一修改的设计图案10m和第二修改的设计图案20m,可 去除图3A所示的第一宽空间Sw1和第二宽空间Sw2,或者可将其尺 寸减小为具有与等于或小于极限分辨率的窄空间Sn的宽度相似的宽 度。然后,所示方法还可包括利用修改的布局Lm在晶圆上执行自对 准双图案化工艺。如上所述,在自对准双图案化工艺中,可将修改的 布局Lm分离为分别在两个光掩模上的两个布局。进一步参照图3C, 可将修改的布局Lm分离为第一光掩模和第二光掩模,并且可将其用 于自对准双图案化工艺。
    图3E是概念性地示出当利用图3D所示的修改的布局Lm执行自 对准双图案化工艺时间隔件图案70形成在晶圆上的形状的图案布局 Lp。参照图3E,间隔件图案70可形成在第一修改的设计图案10m和 第二修改的设计图案20m的周边上,因此可形成第一最终图案10p、 第二最终图案20p和第三最终图案30p?;痪浠八?,形成在第二修改 的设计图案20m的周边上的间隔件图案70可限定第三最终图案30p, 并且形成在第一水平额外图案51h的周边上的间隔件图案70可确保 第二最终图案20p具有闭合曲线的形状或者在几何上连接。
    根据本发明构思的实施例,特定图案的两个方向可与邻近空间 间隔开或与邻近空间分离。初始布局Li和修改的布局Lm的全部可为 点对称、线对称或镜面对称。
    除在晶圆上执行的自对准双图案化工艺以外,可利用计算机执 行参照图1A至图3E的以上工艺。
    图4A至图4Q是示出根据本发明构思的实施例的执行自对准双 图案化工艺的方法的平面图。
    参照图4A,所述方法可包括准备初始布局Li、通过修改初始布 局Li获得的修改的布局Lm以及通过进一步对修改的布局Lm进行修 改获得的最终布局Lf。
    初始布局Li可包括第一设计图案10、第二设计图案20、在第 一设计图案10和第二设计图案20之间的第三设计图案30以及宽度 超过第三设计图案30的短边的宽度的宽空间Sw??砜占銼w可为第 一设计图案10与第二设计图案20之间的空间。
    修改的布局Lm可包括第一修改的设计图案10m和第二设计图案 20。第一修改的设计图案10m可包括延伸至初始布局Li的宽空间Sw 上的额外图案50。参照图1A至图1K将更加清楚地理解参照图4A的 本发明构思的实施例。
    根据将要在利用修改的布局Lm在晶圆上形成图案的工艺中执行 的处理,通过进一步对修改的布局Lm进行修改来获得最终布局Lf。 例如,根据在周边的外表面上形成间隔件图案的正光刻工艺和在周边 的内表面上形成间隔件图案的负光刻工艺的组合来进一步对修改的 布局Lm进行修改。在实施例中,将描述在第一修改的设计图案10m 的周边的内表面上形成间隔件图案的工艺。因此,最终布局Lf可包 括第一延伸和修改的设计图案10me??山钪詹季諰f分离为包括第 一延伸和修改的设计图案10me的第二光掩模布局和包括第二设计图 案20的第一光掩模布局。
    图4B至图4Q是示出通过利用图4A所示的修改的布局Lm在包 括半导体器件的晶圆上执行自对准双图案化工艺来形成半导体器件 的方法的平面图。在图4B至图4Q中,(A)是沿着图4A中的线I-I' 截取的纵向剖视图,(B)是沿着图4A中的线II-II'截取的纵向剖 视图。在图4B、图4I和图4Q中,在各个纵向剖视图的上方还提供 了最终布局Lf的平面图。
    参照图4B,所述方法可包括在基底层100上形成目标层110a、 下掩模层120a、第一上掩模层131a和第一蚀刻掩模图案161??衫?用包括图4A所示的第二设计图案20的第一光掩模PM1形成第一蚀刻 掩模图案161。因此,第一蚀刻掩模图案161可限定第二设计图案20。 例如,在顶视图中,第一蚀刻掩模图案161可与修改的布局Lm的第 二设计图案20实质相同。利用虚线在图4B中虚拟地示出图4A中的 第一延伸和修改的设计图案10me。
    基底层100可包括体硅晶圆、绝缘体上硅(SOI)晶圆、诸如SiGe 晶圆的外延生长层、诸如二氧化硅层或氮化硅层的绝缘层或各种其它 材料层。
    目标层110a可包括将要被图案化的材料层。例如,在本发明构 思的实施例中,目标层110a可包括诸如钨(W)的导电材料。
    下掩模层120a可包括相对于目标层110a具有蚀刻选择性的材 料。例如,下掩模层120a可包括氮化硅。在目标层110a与下掩模层 120a之间还可包括比目标层110a和下掩模层120a更软、更柔或更 稀疏的诸如二氧化硅的绝缘材料层。
    第一上掩模层131a可包括相对于下掩模层120a具有蚀刻选择 性的材料。第一上掩模层131a可包括二氧化硅或多晶硅。在另一实 施例中,第一上掩模层131a可包括具有良好流动性的二氧化硅,并 包括诸如旋涂硬(SOH)掩模的碳(C)。
    第一蚀刻掩模图案161可包括相对于第一上掩模层131a具有蚀 刻选择性的材料。例如,第一蚀刻掩模图案161可包括光致抗蚀剂、 二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶硅中的一种。第一蚀刻掩模图案 161可包括正型光致抗蚀剂。此外,第一蚀刻掩模图案161可包括通 过光致抗蚀剂图案形成的氮化硅图案、氮氧化硅图案或多晶硅图案中 的一种。在以下的示例实施例的描述中,第一蚀刻掩模图案161包括 光致抗蚀剂。
    参照图4C,所述方法可包括通过利用第一蚀刻掩模图案161作 为蚀刻掩模蚀刻第一上掩模层131a以形成第一上掩模图案131。第 一蚀刻掩模图案161可具有小竖直厚度??伤婧笕コ谝皇纯萄谀M?案161。然而,应该理解,在其它实施例(未示出)中,第一蚀刻掩 模图案161可留在第一上掩模图案131上。
    参照图4D,所述方法可包括:在第一上掩模图案131的侧表面 和上表面上保形地形成第一间隔件层141a;以及在第一间隔件层 141a的整个表面上形成第一中间掩模层151a。第一间隔件层141a 可包括相对于第一上掩模图案131具有蚀刻选择性的材料。例如,第 一间隔件层141a可包括与下掩模层120a的材料相同的材料。第一中 间掩模层151a可包括相对于第一间隔件层141a具有蚀刻选择性的材 料。例如,第一中间掩模层151a可包括二氧化硅、多晶硅或SOH。
    参照图4E,所述方法可包括通过执行诸如回蚀或CMP工艺的平 坦化工艺部分地去除第一中间掩模层151a的上部来形成暴露出第一 间隔件层141a的最上面的表面的第一中间掩模图案151。
    参照图4F,所述方法可包括通过利用第一中间掩模图案151作 为蚀刻掩模蚀刻暴露的第一间隔件层141a来部分地暴露出下掩模层 120a的表面,以形成第一间隔件图案141。
    参照图4G,所述方法可包括通过选择性地蚀刻暴露的下掩模层 120a来形成具有第一沟槽T1的初始下掩模图案120p,所述第一沟槽 T1部分地暴露目标层110a的上表面。当第一间隔件层141a和下掩 模层120a包括相同材料时,第一间隔件层141a和下掩模层120a可 通过相同的蚀刻工艺连续地去除。
    参照图4H,所述方法可包括去除第一中间掩模图案151和第一 上掩模图案131。在第一中间掩模图案151和第一上掩模图案131包 括相同的材料的实施例中,可同时去除二者。
    参照图4I,所述方法可包括:在所得结构的整个表面上形成第 二上掩模层132a;以及在第二上掩模层132a上形成第二蚀刻掩模图 案162??衫冒ㄍ?A所示的第一延伸和修改的设计图案10me的 第二光掩模PM2形成第二蚀刻掩模图案162。因此,第二蚀刻掩模图 案162可限定第一延伸和修改的设计图案10me。例如,在顶视图中, 第二蚀刻掩模图案162可与图4A所示的第一延伸和修改的设计图案 10me实质相同。利用图4I中的虚线虚拟地示出图4A的第二设计图 案20。
    第二上掩模层132a可填充第一沟槽T1。第二上掩模层132a可 包括与第一上掩模层131a的材料相同的材料。例如,第二上掩模层 132a可包括二氧化硅、SOH或多晶硅。第二蚀刻掩模图案162可包括 与第一蚀刻掩模图案161的材料相同的材料。例如,在第二蚀刻掩模 图案162中可包括光致抗蚀剂、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或多晶 硅中的一种。在一些实施例中,第二蚀刻掩模图案162可包括通过负 型光致抗蚀剂或光致抗蚀剂图案形成的氮化硅图案、氮氧化硅图案或 多晶硅图案中的一种。
    参照图4J,所述方法可包括通过利用第二蚀刻掩模图案162作 为蚀刻掩模蚀刻第二上掩模层132a来形成第二上掩模图案132???通过去除第一沟槽T1中的第二上掩模层132a的一部分来暴露出目标 层110a的上表面的一部分。第二蚀刻掩模图案162可被薄化以具有 小的竖直厚度。一旦形成第二上掩模图案132,则可去除第二蚀刻掩 模图案162。
    参照图4K,所述方法可包括:在第二上掩模图案132上保形地 形成第二间隔件层142a;以及在第二间隔件层142a的整个表面上形 成第二中间掩模层152a。第二间隔件层142a可完全填充第一沟槽T1。
    参照图4L,所述方法可包括通过部分地去除第二中间掩模层 152a的上部来形成第二中间掩模图案152,其暴露出第二间隔件层 142a的最上面的表面??赏ü葱兄钊缁厥垂ひ栈駽MP工艺的平坦 化工艺去除第二中间掩模层152a的上部。
    参照图4M,所述方法可包括利用第二中间掩模图案152作为蚀 刻掩模来按顺序蚀刻暴露的第二间隔件层142a、通过蚀刻第二间隔 件层142a的暴露的部分暴露出的第一间隔件图案141的一部分以及 通过蚀刻第一间隔件图案141的暴露的部分暴露出的初始下掩模图 案120p的一部分。通过该蚀刻工艺,第二间隔件层142a转换为第二 间隔件图案142,初始下掩模图案120p转换为具有第二沟槽T2的下 掩模图案120,第二沟槽T2暴露出目标层110a的上表面的另外部分。
    参照图4N,所述方法可包括去除第二中间掩模图案152和第二 上掩模图案132。下掩模图案120、第一间隔件图案141和第二间隔 件图案142可保留在目标层110a上。
    参照图4O,所述方法可包括通过利用第一间隔件图案141、第 二间隔件图案142和下掩模图案120作为蚀刻掩模选择性地蚀刻目标 层110a来形成目标图案110。
    参照图4P,所述方法可包括去除第一间隔件图案141、第二间 隔件图案142和下掩模图案120??赏ü缋醚橇姿?H3PO4)或 氢氟酸(HF)执行湿蚀刻工艺去除第一间隔件图案141、第二间隔件 图案142和下掩模图案120。
    图4Q是利用修改的布局Lm形成的目标图案110的比较图。参 照图4Q,根据本发明构思的实施例,在目标图案110中形成有修改 的布局Lm和/或最终布局Lf中省略的第三设计图案30。
    图5A至图5Q是示出根据本发明构思的实施例的通过利用修改 的布局执行自对准双图案化工艺在晶圆中形成图案的方法的平面图。
    参照图5A,所述方法可包括准备初始布局Li、通过修改初始布 局Li准备修改的布局Lm以及准备通过对修改的布局Lm进行修改获 得的最终布局Lf。
    初始布局Li可包括第一设计图案10、第二设计图案20、第三 设计图案30和第四设计图案40。初始布局Li可包括在第一设计图 案10与第三设计图案30之间、在第一设计图案10与第四设计图案 40之间、在第二设计图案20与第三设计图案30之间以及在第二设 计图案20与第四设计图案40之间的窄空间Sn,以及在第三设计图 案30与第四设计图案40之间的宽空间Sw。如上所述,窄空间Sn的 宽度可等于或小于极限分辨率,宽空间Sw的宽度可等于或大于极限 分辨率。
    修改的布局Lm可包括第一修改的设计图案10m和第二修改的设 计图案20m。在修改的布局Lm中,可省略初始布局Li的第三设计图 案30和第四设计图案40。第一修改的设计图案10m可包括延伸至宽 空间Sw上的第一额外图案51。第一额外图案51可邻近第二修改的 设计图案20m,或可毗邻第二修改的设计图案20m。第二修改的设计 图案20m可包括也延伸至宽空间Sw上的第二额外图案52。第二额外 图案52可邻近第一修改的设计图案10m,或可毗邻第一修改的设计 图案10m。第一额外图案51和第二额外图案52可部分地重叠。
    根据将要在利用修改的布局Lm在晶圆上形成图案的工艺中执行 的处理,通过进一步对修改的布局Lm进行修改获得最终布局Lf。例 如,根据在周边的外表面上形成间隔件图案的正光刻工艺和在周边的 内表面上形成间隔件图案的负光刻工艺的组合来进一步对修改的布 局Lm进行修改。在实施例中,将描述在第一修改的设计图案10m的 周边的内表面上形成间隔件图案。因此,可将最终布局Lf分离为包 括第一修改的设计图案10m的第一光掩模布局和包括第二延伸和修 改的设计图案20me和第二延伸的额外图案52e的第二光掩模布局。 参照图2A至图2K将更详细地理解参照图5A的本发明构思的实施例。
    图5B至图5Q是示出通过利用图5A所示的最终布局Lf执行自 对准双图案化工艺在晶圆中形成图案的方法的平面图。在图5B至图 5Q中,(A)是沿着图5A中的线III-III'截取的纵向剖视图,(B) 是沿着图5A中的线IV-IV'截取的纵向剖视图,(C)是的沿着图5A 中的线V-V'截取的纵向剖视图。在图5B、图5I和图5Q中,在各个 纵向剖视图上方也提供了最终布局Lf的平面图。
    参照图5B,所述方法可包括在基底层100上形成目标层110a、 下掩模层120a、第一上掩模层131a和第一蚀刻掩模图案161??衫?用包括图5A所示的第一修改的设计图案10m的第一光掩模PM1形成 第一蚀刻掩模图案161。因此,第一蚀刻掩模图案161可限定第一修 改的设计图案10m。例如,在顶视图中,第一蚀刻掩模图案161可与 修改的布局Lm和/或最终布局Lf的第一修改的设计图案10m实质相 同。利用虚线在图5B中虚拟地示出了图5A所示的第二延伸和修改的 设计图案20me。
    参照图5C,所述方法可包括通过利用第一蚀刻掩模图案161作 为蚀刻掩模蚀刻第一上掩模层131a形成第一上掩模图案131。第一 蚀刻掩模图案161可被薄化以具有小的竖直厚度。在描绘的实施例 中,第一蚀刻掩模图案161留在第一上掩模图案131上。在其它实施 例中,在形成第一上掩模图案131之后可去除第一蚀刻掩模图案161。
    参照图5D,所述方法可包括在第一上掩模图案131的侧表面和 薄化的第一蚀刻掩模图案161的侧表面和上表面上保形地形成第一 间隔件层141a。另外,第一中间掩模层151a可形成在第一间隔件层 141a的整个表面上。
    参照图5E,所述方法可包括通过例如执行诸如回蚀工艺或CMP 工艺的平坦化工艺部分地去除第一中间掩模层151a的上部,以形成 暴露出第一间隔件层141a的最上面的表面的第一中间掩模图案151。 如图5E所示,形成在第一上掩模图案131和/或第一蚀刻掩模图案 161的上表面和侧壁上的第一间隔件层141a的上部可通过第一中间 掩模图案151暴露出来。
    参照图5F,所述方法可包括通过利用第一中间掩模图案151作 为蚀刻掩模蚀刻暴露的第一间隔件层141a来部分地暴露出下掩模层 120a的表面。通过该蚀刻工艺可形成部分地暴露出下掩模层120a的 表面的第一间隔件图案141??杀┞冻龅谝皇纯萄谀M及?61的上表 面和侧表面以及第一上掩模图案131的侧表面。暴露的第一蚀刻掩模 图案161相对于第一间隔件层141a可具有蚀刻选择性,从而在蚀刻 第一间隔件层141a的过程中基本不蚀刻第一蚀刻掩模图案161。
    参照图5G,所述方法可包括通过选择性地蚀刻暴露的下掩模层 120a形成具有第一沟槽T1的初始下掩模图案120p,所述第一沟槽 T1暴露出目标层110a的上表面的一部分。
    参照图5H,所述方法可包括去除第一中间掩模图案151、第一 蚀刻掩模图案161和第一上掩模图案131。在一些实施例中,由于第 一中间掩模图案151和第一上掩模图案131包括相同的材料,因此二 者可同时去除。第一蚀刻掩模图案161也可同时去除。例如,当第一 蚀刻掩模图案161包括光致抗蚀剂,并且第一中间掩模图案151和第 一上掩模图案131包括具有碳的二氧化硅时,可利用氧(O2)等离子 体通过灰化工艺去除所有三种图案。此外,当第一蚀刻掩模图案161、 第一中间掩模图案151和第一上掩模图案131包括相同材料时,可同 时去除第一蚀刻掩模图案161、第一中间掩模图案151和第一上掩模 图案131。
    参照图5I,所述方法可包括:在所得结构的整个表面上形成第 二上掩模层132a;以及在第二上掩模层132a上形成第二蚀刻掩模图 案162??衫冒ㄍ?A所示的第二延伸和修改的设计图案20me的 第二光掩模PM2形成第二蚀刻掩模图案162。因此,第二蚀刻掩模图 案162可限定第二延伸和修改的设计图案20me。例如,在顶视图中, 第二蚀刻掩模图案162可与图5A所示的第二延伸和修改的设计图案 20me实质相同。在图5I中利用虚线虚拟地示出图5A所示的第一修 改的设计图案10m。
    参照图5J,所述方法可包括将第二蚀刻掩模图案162薄化以使 得第二蚀刻掩模图案具有小的竖直厚度。随后可通过利用第二蚀刻掩 模图案162作为蚀刻掩模蚀刻第二上掩模层132a来形成第二上掩模 图案132。在描绘的实施例中,第二蚀刻掩模图案162留在第二上掩 模图案132上。然而,在其它实施例中,在形成第二上掩模图案132 之后可去除第二蚀刻掩模图案162。
    参照图5K,所述方法可包括:在第二上掩模图案132和薄化的 第二蚀刻掩模图案162上保形地形成第二间隔件层142a;以及在第 二间隔件层142a的整个表面上形成第二中间掩模层152a。
    参照图5L,所述方法可包括:通过执行诸如回蚀工艺或CMP工 艺的平坦化工艺部分地去除第二中间掩模层152a的上部,以形成暴 露出第二间隔件层142a的最上面的表面的第二中间掩模图案152。
    参照图5M,所述方法可包括按顺序利用第二中间掩模图案152 作为蚀刻掩模蚀刻暴露的第二间隔件层142a,蚀刻通过蚀刻第二间 隔件层142a暴露出的第一间隔件图案141的一部分,以及蚀刻通过 蚀刻第一间隔件图案141暴露出的初始下掩模图案120p的一部分, 以形成第二间隔件图案142和下掩模图案120,下掩模图案120中具 有第二沟槽T2,其暴露出目标层110a的上表面的所选部分。
    参照图5N,所述方法可包括去除第二中间掩模图案152、第二 蚀刻掩模图案162和第二上掩模图案132。
    参照图5O,所述方法可包括通过利用第一间隔件图案141、第 二间隔件图案142和下掩模图案120作为蚀刻掩模选择性地蚀刻目标 层110a来形成目标图案110。
    参照图5P,所述方法可包括去除第一间隔件图案141、第二间 隔件图案142和下掩模图案120。
    图5Q是利用初始布局Li和修改的布局Lm通过上述方法形成的 图案的图案布局Lp。图案布局Lp可包括第一最终图案10p、第二最 终图案20p、第三最终图案30p和第四最终图案40p??赏ü鲜?方法形成第一最终图案10p和第二最终图案20p来自然地形成第三最 终图案30p和第四最终图案40p。第一最终图案10p和第二最终图案 20p可包括分别按照分支形状突出的最终额外图案51和52??山?外图案51和52划分以分别限定第三最终图案30p和第四最终图案 40p。
    图6A至图6Q是示出根据本发明构思的实施例的通过利用修改 的布局执行自对准双图案化工艺在晶圆中形成图案的方法的平面图。 参照图6A,所述方法可包括准备初始布局Li、通过修改初始布局Li 获得的修改的布局Lm和通过对修改的布局Lm进行修改获得的最终布 局Lf。最终布局Lf可包括第一延伸和修改的设计图案10me。
    初始布局Li可包括分离的至少第一设计图案10、第二设计图案 20和第三设计图案30以及第一宽空间Sw1和第二宽空间Sw。参照图 3A将更详细地理解初始布局Li。
    修改的布局Lm可包括第一修改的设计图案10m和第二修改的设 计图案20m。与初始布局Li相比,省略和去除了第三设计图案30。 参照图3D将更详细地理解修改的布局Lm。
    根据将要在利用修改的布局Lm在晶圆上形成图案的工艺中的处 理,通过对修改的布局Lm进行修改获得最终布局Lf。例如,利用在 周边的外表面上形成间隔件图案的正光刻工艺和在周边的内表面上 形成间隔件图案的负光刻工艺来对修改的布局Lm进行修改。在实施 例中,将描述在第一修改的设计图案10m的周边的内表面上形成间隔 件图案的工艺。因此,可将最终布局Lf分离为包括第一延伸和修改 的设计图案10me的第二光掩模布局和包括第二修改的设计图案20m 的第一光掩模布局。
    图6B至图6Q是示出通过利用图6A所示的最终布局Lf执行自 对准双图案化工艺在晶圆上形成图案的方法的平面图。在图6B至图 6Q中,(A)是沿着图6A所示的线VI-VI'截取的纵向剖视图,(B) 是沿着图6A所示的线VII-VII'截取的纵向剖视图,(C)是沿着图 6A所示的线VIII-VIII'截取的纵向剖视图。在图6B、图6I和图6Q 中,在各个纵向剖视图上方还提供了最终布局Lf的平面图。
    参照图6B,所述方法可包括在基底层100上形成目标层110a、 下掩模层120a、第一上掩模层131a和第一蚀刻掩模图案161??衫?用包括图6A所示的第二修改的设计图案20m的第一光掩模PM1形成 第一蚀刻掩模图案161。因此,第一蚀刻掩模图案161可限定第二修 改的设计图案20m。例如,在顶视图中,第一蚀刻掩模图案161可与 修改的布局Lm的第二修改的设计图案20m实质相同。第一蚀刻掩模 图案161可包括光致抗蚀剂图案或利用光致抗蚀剂图案形成的氮化 硅图案、氮氧化硅图案或多晶硅图案中的一种。在图6B中利用虚线 虚拟地示出图6A所示的第一延伸和修改的设计图案10me。
    参照图6C,所述方法可包括通过利用第一蚀刻掩模图案161作 为蚀刻掩模蚀刻第一上掩模层131a来形成第一上掩模图案131。第 一蚀刻掩模图案161可留在第一上掩模层131a上,如图6C所示。然 而,应该理解,在其它实施例中,在形成第一上掩模图案131之后可 去除第一蚀刻掩模图案161。
    参照图6D,所述方法可包括:在第一上掩模图案131的侧表面 和薄化的第一蚀刻掩模图案161的侧表面和和上表面上保形地形成 第一间隔件层141a;以及在第一间隔件层141a的整个表面上形成第 一中间掩模层151a。
    参照图6E,所述方法可包括通过执行诸如回蚀工艺或CMP工艺 的平坦化工艺部分地去除第一中间掩模层151a的上部来形成暴露第 一间隔件层141a的最上面的表面的第一中间掩模图案151??赏ü?第一中间掩模图案151暴露形成在第一上掩模图案131和/或第一蚀 刻掩模图案161的上表面和侧壁上的第一间隔件层141a的上表面。
    参照图6F,所述方法可包括通过利用第一中间掩模图案151作 为蚀刻掩模蚀刻暴露的第一间隔件层141a来形成第一间隔件图案 141。该蚀刻工艺可部分地暴露下掩模层120a的表面。
    参照图6G,所述方法可包括通过选择性地蚀刻暴露的下掩模层 120a形成具有第一沟槽T1的初始下掩模图案120p,第一沟槽T1暴 露出目标层110a的上表面的一部分。
    参照图6H,所述方法可包括去除第一中间掩模图案151、第一 蚀刻掩模图案161和第一上掩模图案131。
    参照图6I,所述方法可包括:在所得结构的整个表面上形成第 二上掩模层132a;以及在第二上掩模层132a上形成第二蚀刻掩模图 案162??衫冒ㄍ?A所示的第一延伸和修改的设计图案10me的 第二光掩模PM2形成第二蚀刻掩模图案162。因此,第二蚀刻掩模图 案162可限定第一延伸和修改的设计图案10me。在图6I中利用虚线 虚拟地示出了图6A所示的第二修改的设计图案20m。
    参照图6J,所述方法可包括:通过利用第二蚀刻掩模图案162 作为蚀刻掩模蚀刻第二上掩模层132a来形成第二上掩模图案132。 在一些实施例中,第二蚀刻掩模图案162可留在第二上掩模图案132 上,但是在当前实施例中,去除了第二蚀刻掩模图案162。
    参照图6K,所述方法可包括:在去除第二蚀刻掩模图案162之 后在第二上掩模图案132上保形地形成第二间隔件层142a;以及在 第二间隔件层142a的整个表面上形成第二中间掩模层152a。第二间 隔件层142a可填充第一沟槽T1。
    参照图6L,所述方法可包括:通过执行诸如回蚀工艺或CMP工 艺的平坦化工艺部分地去除第二中间掩模层152a的上部来形成暴露 第二间隔件层142a的上表面的第二中间掩模图案152。
    参照图6M,所述方法可包括:利用第二中间掩模图案152作为 蚀刻掩模蚀刻暴露的第二间隔件层142a,以及蚀刻第一间隔件图案 141的暴露的部分和初始下掩模图案120p的一部分,以形成第二间 隔件图案142和下掩模图案120以及第二沟槽T2,第二沟槽T2暴露 目标层110a的上表面的一部分。
    参照图6N,所述方法可包括去除第二中间掩模图案152、第二 蚀刻掩模图案162和第二上掩模图案132。下掩模图案120、第一间 隔件图案141和第二间隔件图案142可保留在目标层110a上。
    参照图6O,所述方法可包括通过利用第一间隔件图案141、第 二间隔件图案142和下掩模图案120作为蚀刻掩模选择性地蚀刻目标 层110a来形成目标图案110。
    参照图6P,所述方法可包括去除第一间隔件图案141、第二间 隔件图案142和下掩模图案120。
    图6Q是图案布局Lp与目标图案110比较的示图。参照图6Q, 根据本发明构思的实施例,形成了修改的布局Lm的第一修改的设计 图案10m和第二修改的设计图案20m以及在最终布局Lf中省略的第 三设计图案30。
    图7A是概念性地示出根据本发明构思的实施例的半导体???2200的示意图。参照图7A,半导体???200可包括安装在??榛?2210上的处理器2220和半导体器件2230。处理器2220和/或半导体 器件2230可包括通过本发明构思的各个实施例制造的半导体器件中 的至少一个。输入/输出端子2240可设置在??榛?210的至少一 侧上。
    图7B和图7C是概念性地示出根据本发明构思的实施例的电子 系统的框图。参照图7B,根据本发明构思的实施例的电子系统2300 可包括主体2310、显示单元2360和外部设备2370。
    主体2310可包括微处理器单元2320、电源2330、功能单元2340 和/或显示控制器单元2350。主体2310可包括具有印刷电路板(PCB) 和/或壳体的系统板或母板。微处理器单元2320、电源2330、功能单 元2340和显示控制单元2350可安装在或设置在主体2310的上表面 上或其内部。显示单元2360可设置在主体2310的上表面上或其内部 /外部。
    显示单元2360可显示通过显示控制单元2350处理的图像。例 如,显示单元2360可包括液晶显示器(LCD)、有源矩阵有机发光二 极管(AMOLED)或各种显示面板。显示单元2360可包括触摸屏。因 此,显示单元2360可具有输入/输出功能。
    电源2330可将电流或电压供应至微处理器单元2320、功能单元 2340、显示控制单元2350等。电源2330可包括充电电池、用于干电 池的插孔和/或电压/电流转换器。
    微处理器单元2320可从电源2330接收电压,以控制功能单元 2340和显示单元2360。例如,微处理器单元2320可包括CPU或应用 处理器(AP)。
    功能单元2340可执行电子系统2300的各种功能。例如,功能 单元2340可包括触摸板、触摸屏、易失性或非易失性存储器、存储 卡控制器、相机、灯、语音和运动图像再现处理器、无线发送/接收 天线、扬声器、麦克风、USB端口或者具有各种功能的单元。
    微处理器单元2320或功能单元2340可包括通过本发明构思的 各个实施例制造的半导体器件中的至少一个。
    参照图7C,根据本发明构思的实施例的电子系统2400可包括通 过总线2420执行数据通信的微处理器2414、存储器系统2412和用 户接口2418。微处理器2414可包括CPU或AP。电子系统2400还可 包括与微处理器2414直接通信的RAM 2416。微处理器2414和/或RAM  2416可装配在一个封装件中。用户接口2418可用于将信息输入电子 系统2400中,或者从电子系统2400中输出信息。例如,用户接口 2418可包括触摸板、触摸屏、键盘、鼠标、扫描仪、语音检测器、 阴极射线管(CRT)监视器、LCD、AMOLED、等离子体显示面板(PDP)、 打印机、灯或各种输入/输出装置。存储器系统2412可存储微处理器 2414的操作代码、由微处理器2414处理的数据或外部输入数据。存 储器系统2412可包括存储器控制器、硬盘或固态驱动器(SSD)。微 处理器2414、RAM 2416和/或存储器系统2412可包括通过本发明构 思的各个实施例制造的半导体器件中的至少一个。
    根据本发明构思的各个实施例,布局设计方法可形成修改的布 局,其通过修改具有带三种或更多种形状的独立图案的初始布局中的 至少一个图案而获得。
    当使用修改的布局时,可通过执行两次光刻工艺的自对准双图 案化工艺形成三个或更多个独立图案。
    以上是实施例的示出,而不应理解为限制实施例。虽然已经描 述了几个实施例,本领域技术人员应该容易地理解,在不很大地脱离 新颖性教导和优点的情况下,实施例中的许多修改都是可以的。因此, 所有这些修改旨在被包括在权利要求定义的本发明构思的范围内。因 此,应该理解,以上是各个实施例的示出,而不应认为是对公开的特 定实施例的限制,并且对公开的实施例的修改以及其它实施例旨在被 包括在权利要求的范围内。

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    利用 对准 图案 化工 进行 方法
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